本文選題：多晶硅　切入點：金剛石線鋸　出處：《光子學報》2014年08期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為解決金剛石切割多晶硅片與常規(guī)HF-HNO3-H2O混合酸濕法制絨技術不兼容的問題,對金剛石切割多晶硅片的表面特性和大幅度提高混合酸溶液中HF的比例進行了刻蝕制絨實驗.結果表明,金剛石線切割多晶硅片表面存在約33%的光滑條帶區(qū)域,其余為與砂漿切割硅片表面相近的粗糙崩坑區(qū)域;這些光滑區(qū)域使得金剛石切割多晶硅片表面光反射率比砂漿切割多晶硅片高3%~4%;而且光滑區(qū)域在富HNO3和富HF的HF-HNO3-H2O混合酸溶液中均較難于腐蝕,使其刻蝕制絨后反射率比砂漿切割多晶硅片低1%~2%,制絨后的金剛石切割多晶硅片反射率比制絨后的砂漿切割多晶硅片高4%~6%,不能滿足太陽電池生產要求.富HNO3和富HF兩種酸刻蝕體系,均不能解決金剛石切割多晶硅片的制絨問題.
[Abstract]:In order to solve the problem of incompatibility between diamond cut polysilicon wafer and conventional HF-HNO3-H2O mixed acid wet cashmere technology, The surface characteristics of diamond cut polysilicon wafer and the increase of HF ratio in mixed acid solution were studied. The results showed that there was a smooth strip region of about 33% on the surface of diamond wire cut polysilicon wafer. The others are rough crater areas similar to the cutting surface of mortar. These smooth regions make the surface light reflectivity of diamond cut polysilicon wafer 3% higher than that of mortar cutting polysilicon wafer, and the smooth region is more difficult to corrode in HF-HNO3-H2O mixed acid solution rich in HNO3 and HF. The reflectivity of the diamond cut polysilicon wafer after etching is 1 / 2 lower than that of the mortar cutting polysilicon wafer. The reflectivity of the diamond cut polysilicon wafer after making cashmere is 4 / 6 higher than that of the mortar cutting polysilicon wafer after making the pile, which can not meet the requirements of solar cell production. Rich in HNO3 and HF. Two kinds of acid etching systems, Neither of them can solve the problem of making polysilicon wafer by diamond cutting.
【作者單位】： 南昌大學太陽能光伏學院;
【分類號】：TM914.4;;TN305.2

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本文編號：1599479