本文選題：硅基光電子器件　切入點(diǎn)：光功率監(jiān)測器　出處：《光通信研究》2015年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：隨著集成光路復(fù)雜度的增加,需要在不影響系統(tǒng)正常工作的情況下,在鏈路內(nèi)使用光功率監(jiān)測器對集成光路進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測,有效地進(jìn)行器件行為分析。文章綜述了硅基光功率監(jiān)測器的最新研究進(jìn)展。重點(diǎn)闡述了表面態(tài)吸收、雙光子吸收、鍺吸收以及缺陷態(tài)吸收機(jī)制下的光功率監(jiān)測方案以及各自的優(yōu)缺點(diǎn),最后詳細(xì)討論了利用缺陷態(tài)吸收機(jī)制實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的巨大優(yōu)勢。
[Abstract]:With the increase of the complexity of integrated optical path, it is necessary to monitor the integrated optical path in real time by using optical power monitor in the link without affecting the normal operation of the system. The latest research progress of silicon based optical power monitor is reviewed in this paper. Surface state absorption, two-photon absorption, and two-photon absorption are emphasized. The optical power monitoring schemes under the absorption mechanism of germanium and defect state and their advantages and disadvantages are discussed in detail. Finally, the great advantages of using the absorption mechanism of defect state to realize photoelectric conversion are discussed in detail.
【作者單位】： 浙江大學(xué)信息電子與工程學(xué)院;
【基金】：國家“九七三”計劃資助項目(2013CB632105) 國家自然科學(xué)基金資助項目(61177055,61307074) 浙江省杰出青年科學(xué)基金資助項目(LR15F050002) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項資金資助項目
【分類號】：TN256;TM933.3

【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：1595834