本文關(guān)鍵詞： 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 硅薄膜 退火　出處：《人工晶體學(xué)報(bào)》2014年12期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)制備硅薄膜,對(duì)硅薄膜進(jìn)行退火處理。通過X射線衍射譜,拉曼光譜以及傅里葉變換紅外吸收光譜,研究了退火溫度在550~700℃范圍內(nèi),硅薄膜退火過程中的生長特性。實(shí)驗(yàn)表明:多晶硅的晶粒尺寸并不隨著退火溫度的提高而持續(xù)增大,當(dāng)退火溫度在550~650℃范圍內(nèi),硅薄膜始終表現(xiàn)出(111)方向的擇優(yōu)生長取向。當(dāng)退火溫度高于650℃時(shí),氧原子活性增強(qiáng),硅-氧鍵增加。對(duì)于存在應(yīng)變、已結(jié)晶的薄膜,由于內(nèi)部應(yīng)力的累積,薄膜更容易隨著退火溫度的升高而脫落。
[Abstract]:Silicon thin films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and annealed. By means of X-ray diffraction, Raman spectroscopy and Fourier transform infrared absorption spectroscopy, the annealing temperature was studied in the range of 550 ~ 700 鈩，

本文編號(hào)：1518698