本文關(guān)鍵詞： 氧化鋁陶瓷 表面閃絡(luò) 摻雜 氧化鉻　出處：《人工晶體學(xué)報》2014年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：陶瓷絕緣子沿面閃絡(luò)現(xiàn)象是制約電真空器件使用的重要原因。以95%的Al2O3陶瓷為基料,摻雜0~1.5wt%Cr2O3,制備鉻摻雜的氧化鋁陶瓷絕緣子,研究了鉻的摻雜含量對該絕緣材料燒結(jié)性能和真空絕緣性能的影響。結(jié)果表明:Cr3+摻雜顯著降低了95%氧化鋁陶瓷的氣孔率,促進(jìn)了陶瓷的燒結(jié),并降低了陶瓷的燒結(jié)溫度,使鉻摻雜氧化鋁陶瓷的晶粒更加細(xì)小均勻。摻雜量為0.5wt%的Cr2O3真空沿面閃絡(luò)電壓最高,達(dá)到65 kV/cm,主要原因是鉻的摻雜降低了樣品的氣孔率和二次電子發(fā)射系數(shù),過量摻雜造成了更多的晶體結(jié)構(gòu)缺陷,反而降低了陶瓷絕緣子的真空耐電壓。
[Abstract]:The flashover phenomenon of ceramic insulators along the surface is an important factor restricting the use of vacuum devices. Taking 95% Al2O3 ceramics as the base material and doping 0 1. 5 wtCr 2O 3 as the base material, chromium doped alumina ceramic insulators are prepared. The effect of Cr doping content on the sintering and vacuum insulating properties of the insulating material was studied. The results showed that the porosity of 95% alumina ceramics was significantly reduced, the sintering temperature was decreased and the sintering temperature was decreased. The Cr2O3 vacuum flashover voltage of 0.5 wt% is the highest, reaching 65 kV / cm. The main reason is that Cr doping reduces the porosity and the secondary electron emission coefficient of the samples. Excessive doping results in more defects in crystal structure and decreases the vacuum voltage resistance of ceramic insulators.
【作者單位】： 南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：江蘇高校優(yōu)勢學(xué)科建設(shè)工程 長江學(xué)者和創(chuàng)新團(tuán)隊發(fā)展計劃(PCSIRT)
【分類號】：TM216;TQ175.74

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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9 杜e，

本文編號：1516179