本文關(guān)鍵詞： 氮氧化硅 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 背面鈍化 晶硅太陽(yáng)能電池　出處：《物理學(xué)報(bào)》2014年12期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：研究了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝條件對(duì)氮氧化硅膜的生長(zhǎng)厚度及折射率的影響以及氮氧化硅/氮化硅疊層膜對(duì)p型硅片的鈍化效果.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比對(duì)氮氧化硅膜的影響較大,薄膜折射率能從1.48變化到2.1,厚度從30—60 nm不等.腔內(nèi)壓力和射頻功率主要影響膜厚,壓力越大,功率越大,沉積速率加快,生成的膜越厚.溫度對(duì)膜厚和折射率的影響可以忽略.鈍化效果顯示,在有無(wú)NH3下,N2O/SiH4流量比分別為20和30時(shí),退火后氮氧化硅/氮化硅疊層膜對(duì)p型硅的鈍化效果最好,其潛在電壓和少子壽命分別為652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均優(yōu)于參照組氮化硅膜樣品的鈍化效果.
[Abstract]:The effects of plasma enhanced chemical vapor deposition conditions on the growth thickness and refractive index of silicon oxide film and the passivation effect of silicon nitrogen oxide / silicon nitride laminated film on p type silicon wafer were studied. The flow rate of NH3 and the flow rate of N _ 2O / SiH _ 4 have great influence on the nitrous oxide film, and the refractive index of the film changes from 1.48 to 2.1. The thickness varies from 30 nm to 60 nm. The pressure in the cavity and RF power mainly affect the film thickness. The higher the pressure, the greater the power and the faster the deposition rate. The effect of temperature on film thickness and refractive index can be neglected. The passivation effect shows that the flow ratio of N _ 2O _ 2 / Si _ 4 is 20 and 30 respectively with or without NH3. After annealing, silicon oxide / silicon nitride laminated film has the best passivation effect on p-type silicon, its potential voltage and minority carrier lifetime are 652 MV / 56.7 渭 s and 649 MV / 50.8 渭 s, respectively. The passivation effect of silicon nitride film was better than that of the reference group.
【作者單位】： 湘潭大學(xué)材料與光電物理學(xué)院低維材料與應(yīng)用技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;南通大學(xué)江蘇省專用集成電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2011CB925604,2011CB922004) 中國(guó)博士后科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):20110490075)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TM914.42
【正文快照】： 1引言晶體硅太陽(yáng)能電池背面鈍化和背面反射增強(qiáng)是改善其性能的重要手段.當(dāng)前,商業(yè)化的晶體硅太陽(yáng)能電池廣泛采用n+/p/p+結(jié)構(gòu),其背場(chǎng)設(shè)計(jì)多采用鋁背場(chǎng)(Al-BSF).這種電池工藝簡(jiǎn)單,成本低廉,但其效率普遍只有16.5%—17.5%.這是因?yàn)椴牧现猩僮訑U(kuò)散長(zhǎng)度短,并且背面少數(shù)載流子的復(fù)合

【參考文獻(xiàn)】

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1 何悅;竇亞楠;馬曉光;陳紹斌;褚君浩;;熱原子層沉積氧化鋁對(duì)硅的鈍化性能及熱穩(wěn)定性[J];物理學(xué)報(bào);2012年24期

【共引文獻(xiàn)】

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1 安家才;廖華;梅鳳嬌;王建秋;李石周;;A1_2O_3薄膜的制備方法及其在太陽(yáng)電池上的應(yīng)用[J];云南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2013年02期

【相似文獻(xiàn)】

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1 秦捷,楊銀堂,傅俊興;SiON/SiN 太陽(yáng)電池雙層減反膜的性能研究[J];太陽(yáng)能學(xué)報(bào);1997年03期

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本文編號(hào)：1454463