本文關(guān)鍵詞： 憶阻器 非線性模型 串并聯(lián)電路 圖形用戶界面　出處：《物理學(xué)報》2014年12期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：憶阻器是一種新型的非線性動態(tài)可變電阻器,其阻值的變化依賴于通過它的電荷量或磁通量.作為第四種基本電路元器件,憶阻器在非易失性存儲器、非線性電路及系統(tǒng)、神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)等領(lǐng)域中有巨大的應(yīng)用潛能.憶阻器串并聯(lián)組合電路具有比單個憶阻器更為豐富的器件特性,引起了研究者越來越多的關(guān)注.本文推導(dǎo)了帶有窗函數(shù)的閉合形式的電荷及磁通量控制的憶阻器非線性模型,能夠有效地模擬憶阻器邊緣附近的非線性離子遷移現(xiàn)象,同時保證憶阻器的邊界條件.進一步,分別從憶阻器的器件參數(shù)和激勵閾值兩個角度,對憶阻器串并聯(lián)電路進行了全面的理論推導(dǎo)和數(shù)值分析.為了更加直觀地觀察憶阻器串并聯(lián)特性,設(shè)計了一種基于Matlab的憶阻器串并聯(lián)圖形用戶界面,能夠清晰地展示兩種分類方式下憶阻系統(tǒng)的器件特性,可為憶阻器組合電路的后續(xù)研究提供良好的理論參考和實驗依據(jù).
[Abstract]:The resistor is a new type of nonlinear dynamic variable resistor whose resistance depends on the charge or magnetic flux through it. As 4th basic circuit components the resistor is in the nonvolatile memory. Nonlinear circuits and systems, neural morphological systems and other fields have a great potential for application. More and more researchers pay attention to it. In this paper, the nonlinear model of the resistor controlled by the closed form of charge and magnetic flux with window function is derived. The nonlinear ion migration near the edge of the device can be simulated effectively, and the boundary conditions of the device can be ensured. Further, the device parameters and the excitation threshold can be obtained from the device parameters and the excitation threshold. In order to observe the series-parallel characteristics of the resistor more intuitively, a series-parallel graphical user interface based on Matlab is designed. It can clearly show the characteristics of the device in the two kinds of classification, and can provide a good theoretical reference and experimental basis for the subsequent research of the combined circuit of the resistor.
【作者單位】： 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院;香港城市大學(xué)機械與生物醫(yī)學(xué)工程系;
【基金】：教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃(批準號:教技函[2013]47號) 國家自然科學(xué)基金(批準號:61372139,61101233,60972155) 教育部“春暉計劃”科研項目(批準號:z2011148) 留學(xué)人員科技活動項目(批準號:渝人社辦[2012]186號) 重慶市高等學(xué)校優(yōu)秀人才支持計劃(批準號:渝教人[2011]65號) 重慶市高等學(xué)校青年骨干教師資助計劃(批準號:渝教人[2011]65號) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(批準號:XDJK2014A009,XDJK2013B011)資助的課題~~
【分類號】：TM54
【正文快照】： 1引言1971年,Chua教授[1]根據(jù)電路理論公理化體系的完備性闡述并定義了憶阻器的概念,稱之為除了電阻、電感、電容之外的第四種基本元器件.2008年5月,美國惠普實驗室的研究人員公布了基于二氧化鈦的交叉陣列存儲結(jié)構(gòu),并指出交叉點處的存儲單元即為Chua預(yù)言的憶阻器[2-4],立刻引

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6 潘t，

本文編號：1451447