本文關鍵詞：IGBT開關機理對逆變器死區(qū)時間的影響　出處：《電機與控制學報》2014年05期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： 逆變器 絕緣柵雙極型晶體管 死區(qū)時間 開通延時 關斷時間 橋路直通

【摘要】：為了研究逆變器中功率器件對死區(qū)時間設置的影響,依據(jù)半導體物理理論與死區(qū)時間的計算依據(jù),研究了電壓、電流、溫度對絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)開關時間的影響機理,給出了這3個因素對IGBT開關時間的影響規(guī)律,并得到了這3個因素對死區(qū)時間的影響機理。通過對兩電平半橋逆變單元測試表明:死區(qū)時間隨電壓的增大近似呈線性關系增大,隨電流的增大近似呈指數(shù)和雙曲線復合關系而減小,隨溫度的增大近似呈線性關系增大,且按照計算依據(jù)得到的死區(qū)時間與實測橋路直通的發(fā)生相符,驗證了理論分析的正確性。得出的結論可為實際應用中逆變器等電能變化裝置死區(qū)時間的設置以及死區(qū)補償算法的優(yōu)化提供重要的參考依據(jù)。
[Abstract]:In order to study the effect of power inverter device for dead time settings, calculated on the basis of basis theory of semiconductor physics and dead time, voltage, current research, the temperature of the insulated gate bipolar transistor (insulated-gate bipolar transistor, IGBT) the influence mechanism of switching time, the effects of these 3 factors on the IGBT switching time. The mechanism of these 3 factors on the dead time is obtained. Through the test of the two level inverter unit show that the dead time is linear with the increase of the voltage increases with the increase of current approximation, approximate exponential and hyperbolic relationship of composite decreases with the increase of the temperature is linear increase, and in accordance with the dead time the measured and calculated on the basis of the bridge through the line, verify the correctness of the theoretical analysis. The conclusion for the practical application in power inverter Can provide the important reference for the optimization of device changes the setting of dead time and dead time compensation algorithm.

【作者單位】： 海軍工程大學艦船綜合電力技術國防科技重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金重點項目(50737004);國家自然科學基金(51277178) 國家重點基礎研究發(fā)展計劃973項目(2013CB035601)
【分類號】：TM464
【正文快照】： 0引言隨著電力電子裝置在風力發(fā)電、高速電力機車、區(qū)域配電等場合的應用日益廣泛,其核心全控型功率器件———絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipo-lar transistor,IGBT)的工作等級越來越高,工作環(huán)境越來越惡劣,對大容量電能變換裝置的可靠性也提出了更加嚴格的要求。作

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：1378793