本文關(guān)鍵詞：退火工藝對(duì)制備二硼化鎂超導(dǎo)薄膜的影響

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【摘要】：采用了化學(xué)氣相沉積法(CVD),在低真空環(huán)境下制備出Mg B_2超導(dǎo)薄膜,并探索了退火溫度、退火時(shí)間、降溫速率對(duì)Mg B_2薄膜性能的影響。采用X射線衍射儀、掃描電鏡和低溫電導(dǎo)率測試系統(tǒng)對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和超導(dǎo)電性進(jìn)行了系統(tǒng)分析。研究表明:退火溫度在780℃,退火時(shí)間為120min,退火后的降溫速率控制在16℃/min左右,制備出的Mg B_2薄膜超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度T_(c(onset))為39.5K,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變寬度ΔT_c為2K,表現(xiàn)出最優(yōu)的超導(dǎo)性能,同時(shí)薄膜的成品率顯著提高。證明了通過優(yōu)化后,退火工藝可以顯著提高M(jìn)g B_2的超導(dǎo)性能。
【作者單位】： 貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51462003) 貴州省國際科技合作計(jì)劃項(xiàng)目(2013-7012) 貴州大學(xué)研究生創(chuàng)新基金(2015084)資助
【分類號(hào)】：TM26;TB383.2
【正文快照】： 1引言Mg B2超導(dǎo)體具有39K的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度,是金屬化合物超導(dǎo)體中轉(zhuǎn)變溫度最高的,因此,引起了科學(xué)家們的極大關(guān)注[1]。Mg B2超導(dǎo)體具有良好的特性,諸如簡單的晶體結(jié)構(gòu),相對(duì)較大的相干長度以及較高的臨界電流等,使其在電子學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用有著廣闊的前景[2-4]。而制備高質(zhì)量Mg B2薄膜

【相似文獻(xiàn)】

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10 晁崇_，

本文編號(hào)：1293230