本文關(guān)鍵詞：表面活性劑在多晶硅片制絨中的應(yīng)用研究

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【摘要】：多晶硅太陽(yáng)能電池表面的化學(xué)制絨法可極大地提高電池的光電轉(zhuǎn)化效率,而且成本低,適合工業(yè)化生產(chǎn)。但是傳統(tǒng)的酸性制絨體系反應(yīng)速度不易控制、所得絨面容易有暗紋、不夠均勻且絨面反射率偏高,所以本論文利用掃描電鏡(SEM)和紫外可見(jiàn)近紅外分光光度儀,研究了NaNO2/HF/H2O、HF/HNO3/H2O和KMnO4/HF/H2O四種制絨體系反應(yīng)配比、反應(yīng)時(shí)間和是否加入表面活性劑對(duì)絨面反射率的影響,探索表面活性劑加入前后絨面反射率的變化規(guī)律。在HF/HNO3/H2O體系中,增加制絨體系中HN03的含量,制絨液的氧化能力增強(qiáng),表面活性劑會(huì)被氧化而失去了相應(yīng)的功能,反應(yīng)出現(xiàn)過(guò)度腐蝕的情況,制得的絨面反射率比原始硅片還要高。降低HN03的含量可獲得較好效果,HF/HNO3/H2O比例為1/1/2,表面活性劑10.60 g,冰水浴中制絨反應(yīng)2 min,反射率20.47%。HF/HNO3體系不加入添加劑會(huì)出現(xiàn)過(guò)度腐蝕。加入表面活性劑可獲得較好的減反射效果,HF/HNO3比例為3/1,表面活性劑D 0.60 g,冰水浴中制絨反應(yīng)1 min,反射率18.38%。提出了新型KMnO4/HF/H2O和NaNO2/HF/H2O制絨體系,研究表明在這兩種新體系中加入表面活性劑后,硅片反射率均有降低。KMnO4/HF/H2O 和 NaNO2/HF/H2O體系獲得最優(yōu)減反射效果的配方如下：KMnO4/HF/H2O/surfactant D=3.60 g/30 mL/210 mL/0.60 g,在室溫下發(fā)生反應(yīng)3 min,反射率為19.02%, NaNO2/HF/H2O/surfactant B=0.90 g/150mL/90mL/0.30g,室溫反應(yīng)2.75 min,反射率為19.92%。
【學(xué)位授予單位】：大連理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM914.41;TN304.12

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前4條

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本文編號(hào)：1242764