本文關(guān)鍵詞：基于半導(dǎo)體功率損耗的小型風(fēng)電變換器可靠性研究

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【摘要】：基于半導(dǎo)體功率損耗,針對(duì)小型風(fēng)電永磁電機(jī)常用的Boost(Intermediate boost converter,IBC)、Buck-boost(Intermediate buck-boost converter,IBBC)、背靠背(Back-to-back converter,BBC)、矩陣(Matrix converter,MC)變換器可靠性進(jìn)行分析,確定變換器在特定風(fēng)速下的失效周期和可靠性。在統(tǒng)計(jì)學(xué)基礎(chǔ)上,建立了變換器元件的故障率統(tǒng)一計(jì)算模型。通過計(jì)算電力電子器件的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,確定Boost變換器相對(duì)其他變換器具有最高的失效周期。同時(shí)確定出變換器組件中,逆變器可靠性是影響變換器可靠性最重要的因素。通過現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)比較四種變換器可靠性和使用壽命,證明理論分析是正確的。
【作者單位】： 北方民族大學(xué)電氣信息工程學(xué)院;許繼電氣股份有限公司;
【基金】：寧夏自然科學(xué)基金項(xiàng)目(NZ12206)~~
【分類號(hào)】：TM46;TM614
【正文快照】： This work is supported by Natural Science Foundation of Ningxia(No.NZ12206)0引言風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)是包括機(jī)械系統(tǒng)(轉(zhuǎn)子、輪轂、齒輪箱等)、電氣系統(tǒng)(逆變器、整流器、控制)和負(fù)載的復(fù)雜系統(tǒng),任何子系統(tǒng)的故障由于更換和恢復(fù)都會(huì)造成巨大經(jīng)濟(jì)損失。因此,對(duì)于小型風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)

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1 ;IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET[J];電子制作;2010年04期

2 徐申;高海翔;何曉瑩;孫偉鋒;;基于CdV/dt現(xiàn)象分析的功率MOS管建模[J];東南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2010年01期

3 王彥剛;Jones Steve;劉國(guó)友;;功率IGBT模塊的可靠性分析[J];機(jī)車電傳動(dòng);2013年01期

4 吳政球,毛弋,荊勇;求解由節(jié)點(diǎn)功率引起線路潮流變化和功率損耗的方法[J];中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào);2002年09期

5 宋淑偉;;Power MOSFET功率損耗的數(shù)學(xué)分析及減小損耗的措施探討[J];電源世界;2007年02期

6 張西秦;;對(duì)“大馬拉小車”與節(jié)電的剖析[J];中氮肥;1990年01期

7 惠晶,蔡愛軍,沈錦飛,吳雷;新型ZCS-PLL控制的大功率逆變電源的研究[J];電力電子技術(shù);2004年06期

8 譚倫農(nóng),張保會(huì);輸電線路無(wú)功充電功率導(dǎo)致?lián)p耗的分?jǐn)倖栴}[J];電網(wǎng)技術(shù);2003年04期

9 M.Ishidoh;徐佩芬;;新型大功率非對(duì)稱GTO[J];機(jī)車電傳動(dòng);1992年04期

10 李衛(wèi)東,孫輝,武亞光;功率損耗向量圖及其在潮流追蹤研究中的應(yīng)用[J];哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2003年02期

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1 徐南屏;;IGBT、IGCT的應(yīng)用和前景[A];中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

2 鐘思正;鐘悅;;變壓器鐵蓋中的功率損耗[A];中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2004年

3 張玉明;張義門;;碳化硅功率器件[A];中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

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1 本報(bào)記者 檬曉;羅姆：加速發(fā)力SiC市場(chǎng)[N];中國(guó)電子報(bào);2011年

2 湖南 何姜明;功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的選擇與設(shè)計(jì)[N];電子報(bào);2013年

3 武漢 路石 摘編;高壓、功率升壓放大器PB50介紹[N];電子報(bào);2008年

4 cyf 翻譯;高效率無(wú)線發(fā)射機(jī)的動(dòng)態(tài)電源設(shè)計(jì)（12）[N];電子報(bào);2008年

5 山東 葛祥春 郎東風(fēng);SDH微波中的自適應(yīng)發(fā)信功控制(ATPC)技術(shù)[N];電子報(bào);2011年

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1 陳娜;中高壓功率IGBT模塊開關(guān)特性測(cè)試及建模[D];浙江大學(xué);2012年

2 張斌;高壓IGBT的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)及功率器件可靠性研究[D];浙江大學(xué);2013年

3 景巍;大功率三電平變頻器功率器件損耗研究[D];中國(guó)礦業(yè)大學(xué);2011年

4 周生奇;功率變流裝置中IGBT器件缺陷辨識(shí)研究[D];重慶大學(xué);2012年

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1 胡高宏;功率MOSFET低溫特性研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（電工研究所）;2005年

2 楊廣輝;功率MOSFET低溫動(dòng)態(tài)特性研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（電工研究所）;2006年

3 婁靖超;功率MOSFET的UIS特性研究[D];電子科技大學(xué);2009年

4 羅湘;大功率應(yīng)用條件下絕緣柵雙極型晶體管驅(qū)動(dòng)和保護(hù)技術(shù)的研究[D];中國(guó)電力科學(xué)研究院;2007年

5 張娟;SiC垂直功率MOSFET的設(shè)計(jì)與特性仿真[D];西安電子科技大學(xué);2008年

6 陳力;功率UMOSFET器件的特性研究與新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)[D];西南交通大學(xué);2012年

7 王文;4H-SiC功率MOSFET的研究及升壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用[D];西安電子科技大學(xué);2011年

8 李立;高壓大功率IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀的設(shè)計(jì)制作[D];北京工業(yè)大學(xué);2013年

9 張健亮;功率溝槽MOSFET的開關(guān)速度和柵漏電容C_（gd）的優(yōu)化設(shè)計(jì)和研究[D];復(fù)旦大學(xué);2009年

10 李鋒;功率IGBT的若干失效問題研究[D];西安理工大學(xué);2009年

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