晶體硅太陽電池太陽吸收率的影響因素分析
發(fā)布時間:2017-11-17 16:05
本文關(guān)鍵詞:晶體硅太陽電池太陽吸收率的影響因素分析
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【摘要】:建立晶體硅太陽電池對太陽光的吸收模型,根據(jù)模型討論影響硅太陽電池太陽吸收率的各種因素,進行相關(guān)分析和計算。探討太陽電池的結(jié)構(gòu)和制備工藝對太陽吸收率的影響,并通過相應(yīng)的試驗進行驗證。研究表明,鋁背反射器、硅片表面形貌、硼擴散濃度對晶體硅太陽電池的太陽吸收率有較大的影響,采用帶通濾光玻璃蓋片可顯著降低具有陷光結(jié)構(gòu)的高效率硅太陽電池的太陽吸收率。
【作者單位】: 上?臻g電源研究所;
【基金】:上海市科委基礎(chǔ)研究領(lǐng)域項目(13JC1404200)
【分類號】:TM914.4
【正文快照】: 0引言由于硅太陽電池可靠性高、成本低,在各類航天飛行器上得到了廣泛的應(yīng)用。在空間環(huán)境下,硅太陽電池的工作狀態(tài)與太陽吸收率密切相關(guān),太陽吸收率每增加0.01,電池的工作溫度將升高1℃,相應(yīng)地電池的輸出功率將下降0.4%[1]。近來太陽能無人機成為新的研究熱點,這些無人機大多,
本文編號:1196568
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