柔性襯底CZTSSe薄膜材料的研究
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【摘要】:銅鋅錫硫(Cu2Zn Sn S4)半導(dǎo)體材料因其原材料儲量豐富,成本低,無污染,吸收系數(shù)高,帶隙可調(diào),轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點,成為最有前景的薄膜太陽電池之一。本論文采用熱蒸發(fā)法,在柔性襯底上使用不同工藝方法沉積CZTSSe薄膜,并對薄膜的形貌、晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了對比分析,確定了制備CZTSSe薄膜合適的工藝方法。探索了CZTSSe薄膜最佳的生長條件,在此基礎(chǔ)上制備出適合CZTSSe薄膜太陽電池應(yīng)用的CZTSSe薄膜。論文主要得到以下結(jié)果:(1)探索了柔性襯底的CZTSSe薄膜的沉積方法。采用低溫一步法、兩步沉積法和高溫一步法沉積CZTSSe薄膜,對三種工藝條件制備的薄膜形貌、晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比分析,最終確定高溫一步法為最佳制備方法。(2)探索了Cu蒸發(fā)源和Zn S蒸發(fā)源的最佳蒸發(fā)溫度。采用高溫一步法制備薄膜,改變Cu源和Zn S源的蒸發(fā)溫度,分析在不同蒸發(fā)溫度下薄膜的形貌、晶體結(jié)構(gòu),最終確定Cu源的最佳蒸發(fā)溫度為1160℃,Zn S源的最佳蒸發(fā)溫度為730℃。(3)通過工藝的改進(jìn),制備出適合器件應(yīng)用的CZTSSe薄膜。分析了薄膜的形貌、晶體結(jié)構(gòu),將薄膜的拉曼光譜與單相化合物的拉曼光譜進(jìn)行了比對,除CZTSSe相外未發(fā)現(xiàn)其他二元相和三元相。
【學(xué)位授予單位】:天津理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TM914.42
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,本文編號:1139167
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