發(fā)布時間：2017-10-31 03:26

  本文關(guān)鍵詞：納米線織構(gòu)的多晶硅太陽電池研究

  更多相關(guān)文章： 硅納米線陣列 太陽電池 陷光結(jié)構(gòu) 表面復(fù)合

【摘要】：采用無電化學(xué)刻蝕技術(shù),通過優(yōu)化Ag NO_3濃度、刻蝕溫度和刻蝕時間,研究在125 mm×125 mm多晶硅片表面制備均勻分布硅納米線陣列的方法,獲得了硅納米線織構(gòu)的多晶硅在寬光譜范圍內(nèi)(300~1000 nm)平均反射率約為8%。成功制備了表面具有硅納米線織構(gòu)的多晶硅太陽電池,并通過兩種改進(jìn)方法提高太陽電池效率:1)優(yōu)化硅納米線陣列的長度(約1.5μm),并利用PECVD方法在硅納米線陣列表面生長70 nm Si_3N_4薄膜進(jìn)行表面鈍化,納米線織構(gòu)的多晶硅太陽電池效率從8.95%提高到了11.41%。2)使用HNO_3和HF混合溶液去除硅襯底背表面的硅納米線陣列,使鋁背電極與多晶硅緊密接觸,太陽電池效率進(jìn)一步提高到13.99%。研究表明:所采用的改進(jìn)方法能有效提高納米線織構(gòu)多晶硅太陽電池的效率。
【作者單位】： 上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)研究院;浙江大學(xué)信電系;
【關(guān)鍵詞】： 硅納米線陣列 太陽電池 陷光結(jié)構(gòu) 表面復(fù)合
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展(863)計劃(2011AA050518) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展(973)計劃(2012CB934302)
【分類號】：TM914.41
【正文快照】： 0引言采用抗反射薄膜和金字塔結(jié)構(gòu)是減少光伏器件表面反射的常用方法[1~3],但這些結(jié)構(gòu)只有在很窄的入射波范圍內(nèi)才能達(dá)到低反射率。黑硅因其對近紫外到近紅外波段的入射光幾乎全部吸收[4~6],使原本灰色有光澤的表面看上去變成了黑色,這就是所謂“黑硅”,這種新材料一出現(xiàn)就引

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本文編號：1120609