本文關(guān)鍵詞：襯底及其溫度對鋁誘導(dǎo)非晶硅薄膜晶化的影響

  更多相關(guān)文章： 襯底 非晶硅 鋁誘導(dǎo) 退火 晶化

【摘要】：利用磁控濺射鍍膜技術(shù),采用不同溫度在玻璃、單晶硅襯底上濺射α-Si/Al膜,并在N_2氣氛中進行快速光熱退火;利用X射線衍射(XRD)儀和拉曼散射光譜儀對薄膜樣品進行表征分析。結(jié)果表明:單晶硅襯底有利于α-Si/Al膜的晶化;襯底溫度從室溫到200℃之間逐漸升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;隨著溫度進一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。單晶硅襯底上200℃時α-Si/Al膜可直接晶化。通過計算,得出襯底參數(shù)對薄膜的晶相比、晶粒尺寸、帶隙及界面體積分數(shù)的調(diào)制關(guān)系。
【作者單位】： 可再生能源材料先進技術(shù)與制備教育部重點實驗室;云南師范大學(xué)太陽能研究所;
【關(guān)鍵詞】： 襯底 非晶硅 鋁誘導(dǎo) 退火 晶化
【基金】：國家自然科學(xué)基金聯(lián)合基金(U1037604)
【分類號】：TM914.42
【正文快照】： 0引言高效、低成本和環(huán)境友好的太陽電池一直是人們追求的目標。晶體硅太陽電池由于需要大量原料,未來成本下降的空間有限。為此,薄膜太陽電池引起了人們的關(guān)注[1]。其中,非晶硅(α-Si)薄膜太陽電池具有制造工藝簡單,原材料用量少(僅為晶體硅的約1%[2]),易實現(xiàn)大面積生產(chǎn),可在

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 夏冬林;楊晟;徐慢;趙修建;;金屬鋁誘導(dǎo)法低溫制備多晶硅薄膜[J];感光科學(xué)與光化學(xué);2006年02期

2 楊仕娥;文黎巍;陳永生;汪昌州;谷錦華;郜小勇;盧景霄;;襯底溫度和硼摻雜對p型氫化微晶硅薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性的影響[J];物理學(xué)報;2008年08期

【共引文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 楊棟華;歐信兵;張津;;超細晶／納米晶鋁膜的研究現(xiàn)狀[J];材料導(dǎo)報;2007年10期

2 郝殿中;韓培高;蘇富芳;馬麗麗;宋連科;孔德勝;;襯底溫度對電子束沉積LaF_3薄膜性能的影響[J];光電子.激光;2011年06期

3 李新利;盧景霄;王志永;谷錦華;李瑞;楊仕娥;;硼摻雜微晶硅薄膜的橢圓偏振光譜分析[J];硅酸鹽學(xué)報;2010年10期

4 徐禮;秦曉梅;;鋁膜沉積溫度對非晶硅薄膜晶化的影響[J];上海師范大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2011年03期

5 谷錦華;丁艷麗;楊仕娥;郜小勇;陳永生;盧景霄;;橢圓偏振技術(shù)研究VHF-PECVD高速沉積微晶硅薄膜的異常標度行為[J];物理學(xué)報;2009年06期

6 丁艷麗;朱志立;谷錦華;王志勇;申陳海;楊仕娥;盧景霄;;襯底H等離子體預(yù)處理時間對微晶硅薄膜生長的影響[J];真空;2009年06期

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前8條

1 徐禮;增透型AZO薄膜的制備及應(yīng)用[D];上海師范大學(xué);2011年

2 楊棟華;超細晶/納米晶純Al厚膜的制備及性能研究[D];重慶工學(xué)院;2008年

3 沈峰;PECVD法制備P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜[D];武漢理工大學(xué);2008年

4 孟亞麗;15CrMnMoVA鋼磁控濺射鍍鋁耐腐蝕性研究[D];廣東工業(yè)大學(xué);2012年

5 王全宏;Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜及Al薄膜對鋼基體疲勞性能的影響[D];中南大學(xué);2012年

6 江子榮;摻雜納米硅薄膜的制備及其光電學(xué)特性[D];河北大學(xué);2013年

7 陳乙豪;p-i-n結(jié)構(gòu)nc-Si:H薄膜太陽電池的制備與光電性能研究[D];河北大學(xué);2014年

8 齊曉光;HIT太陽電池的制備與性能研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2014年

【二級參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 汪昌州;楊仕娥;盧景霄;;硅基薄膜太陽電池窗口材料的研究進展[J];材料導(dǎo)報;2007年01期

2 戴永兵,鄒雪城,徐重陽,李興教,沈荷生,張志明;準分子激光誘導(dǎo)非晶硅晶化制備多晶硅薄膜晶體管[J];微電子學(xué);2000年05期

3 陳永生;郜小勇;楊仕娥;盧景霄;谷錦華;;沉積溫度對微晶硅薄膜結(jié)構(gòu)特性的影響[J];物理學(xué)報;2007年07期

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前9條

1 李鶴;李學(xué)東;李娟;吳春亞;孟志國;熊紹珍;張麗珠;;表面修飾改善溶液法金屬誘導(dǎo)晶化薄膜穩(wěn)定性與均勻性研究[J];物理學(xué)報;2008年04期

2 段國平;陳俊領(lǐng);韓俊鶴;黃明舉;;488nm連續(xù)激光晶化本征非晶硅薄膜的喇曼光譜研究[J];光子學(xué)報;2011年11期

3 趙尚麗;楊仕娥;張麗偉;陳永生;陳慶東;盧景霄;;高電導(dǎo)率高晶化率p型微晶硅薄膜的制備[J];材料導(dǎo)報;2008年04期

4 陳一匡,林揆訓(xùn),羅志,梁銳生,周甫方;鋁誘導(dǎo)非晶硅薄膜的場致低溫快速晶化及其結(jié)構(gòu)表征[J];物理學(xué)報;2004年02期

5 余云鵬,林璇英,林舜輝,黃銳;PECVD低溫制備晶化硅薄膜及其機制淺析[J];汕頭大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2004年02期

6 劉緒偉;郜小勇;趙劍濤;楊仕娥;陳永生;谷錦華;盧景霄;;本征納米硅薄膜的微結(jié)構(gòu)表征[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報;2007年03期

7 余楚迎;林璇英;黃銳;;以SiCl_4/H_2為氣源低溫制備pc-Si薄膜的穩(wěn)恒光電導(dǎo)特性[J];功能材料;2007年05期

8 陳飛;張曉丹;趙穎;魏長春;孫建;;非晶/微晶過渡區(qū)內(nèi)材料性能及電池的研究[J];人工晶體學(xué)報;2007年01期

9 ;[J];;年期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 夏冬林;郝江波;姜宏;趙修建;;退火時間對電場輔助鋁誘導(dǎo)晶化非晶硅薄膜的影響[A];中國硅酸鹽學(xué)會特種玻璃分會第三屆全國特種玻璃會議論文集[C];2007年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 章山山;HWCVD系統(tǒng)中沉積參數(shù)對Si：H薄膜結(jié)晶性的影響[D];蘭州大學(xué);2012年

，

本文編號：1110655