本文關(guān)鍵詞：單晶硅表面微結(jié)構(gòu)的制備及應(yīng)用

  更多相關(guān)文章： 太陽電池 單晶硅表面微結(jié)構(gòu) 表面制絨 反射率 磷酸鉀/磷酸氫二鉀

【摘要】：近年來,隨著太陽能技術(shù)的迅猛發(fā)展,不僅在研究領(lǐng)域已經(jīng)取得了突破性的進(jìn)展,在工業(yè)生產(chǎn)的規(guī)模上也逐步擴(kuò)大。為了獲得更高的效率以及降低生產(chǎn)成本,研究者們對(duì)太陽能技術(shù)進(jìn)行不斷的革新。而太陽電池表面制絨是生產(chǎn)高效率晶體硅太陽電池的關(guān)鍵技術(shù)之一,有利于降低晶體硅太陽電池表面對(duì)太陽光的反射,增加光生電荷,提高太陽電池的短路電流等各項(xiàng)指標(biāo),能在很大程度上提升電池的性能。本文主旨在于使用新的腐蝕試劑來制備單晶硅表面微結(jié)構(gòu),探索實(shí)驗(yàn)最佳條件,來制備良好的硅表面微結(jié)構(gòu),然后運(yùn)用到硅太陽電池制絨中,以獲得較好的單晶硅絨面和較低的絨面反射率。本文首次采用K3PO4/K2HPO4體系來制備單晶硅表面微結(jié)構(gòu),設(shè)置三組不同實(shí)驗(yàn)條件,通過大量反復(fù)實(shí)驗(yàn),不斷優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件,最后獲得制備良好單晶硅表面微結(jié)構(gòu)的最佳工藝。經(jīng)過對(duì)制備單晶硅表面微結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析,靈活運(yùn)用到制備單晶硅絨面的試驗(yàn)中,然后設(shè)置五組實(shí)驗(yàn)條件分別為:①不同質(zhì)量濃度的K3PO4腐蝕溶液、②不同質(zhì)量濃度的K2HPO4腐蝕溶液、③不同質(zhì)量濃度比的K3PO4/K2HPO4混合溶液、④不同腐蝕時(shí)間、⑤不同腐蝕溫度,來研究對(duì)單晶硅表面制絨及反射率的影響。采用掃描電子顯微鏡觀察單晶硅表面微結(jié)構(gòu)和絨面的形貌,用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試絨面的反射率圖譜,通過不同條件的對(duì)比實(shí)驗(yàn),分析實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),得出以下結(jié)果:獲得良好單晶硅表面微結(jié)構(gòu)即“金字塔”尺寸均勻,大小為1-2um的最佳工藝為在制絨體系K3PO4/K2HPO4中固定K2HPO4質(zhì)量濃度為1%、配制K3PO4/K2HPO4質(zhì)量濃度比為25:1,反應(yīng)溫度為85℃,反應(yīng)時(shí)間為4min50s。而在單晶硅制絨實(shí)驗(yàn)中,最后得出制絨體系中固定K2HPO4質(zhì)量濃度為1%,配制K3PO4/K2HPO4質(zhì)量濃度比為15:1,在反應(yīng)溫度為85℃的條件下,腐蝕時(shí)間為15min可以獲得加權(quán)平均反射率為11.27%的高質(zhì)量單晶硅絨面。
【關(guān)鍵詞】：太陽電池 單晶硅表面微結(jié)構(gòu) 表面制絨 反射率 磷酸鉀/磷酸氫二鉀
【學(xué)位授予單位】：云南師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM914.4;TN304.12
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-8
• 第一章 緒論8-19
• 1.1 引言8-10
• 1.2 光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r10-16
• 1.2.1 太陽電池發(fā)展歷史10-12
• 1.2.2 國外光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r12-13
• 1.2.3 國外光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r13-16
• 1.3 光生伏特效應(yīng)及太陽能工作原理16-17
• 1.4 本文研究背景及意義17-19
• 第二章 單晶硅表面微結(jié)構(gòu)制備機(jī)理19-26
• 2.1 單晶硅晶體結(jié)構(gòu)19-22
• 2.2 單晶硅表面微結(jié)構(gòu)的制備機(jī)理22-24
• 2.3 單晶硅絨面制備工藝24-25
• 2.4 單晶硅制備絨面過程流程圖25-26
• 第三章 單晶硅表面微結(jié)構(gòu)的制備26-39
• 3.1 前言26
• 3.2 實(shí)驗(yàn)部分26-28
• 3.2.1 試劑與儀器26-27
• 3.2.2 單晶硅實(shí)驗(yàn)樣品制備及清洗27-28
• 3.3 單晶硅表面微結(jié)構(gòu)制備28-30
• 3.4 結(jié)果與討論30-38
• 3.4.1 反應(yīng)時(shí)間對(duì)形成單晶表面微結(jié)構(gòu)制備的影響30-32
• 3.4.2 磷酸鉀與磷酸氫二鉀質(zhì)量濃度比對(duì)形成單晶表面微結(jié)構(gòu)制備的影響32-35
• 3.4.3 反應(yīng)溫度對(duì)形成單晶表面微結(jié)構(gòu)制備的影響35-38
• 3.5 結(jié)論38-39
• 第四章 硅表面微結(jié)構(gòu)在硅太陽電池中的應(yīng)用39-57
• 4.1 前言39-40
• 4.2 實(shí)驗(yàn)部分40-41
• 4.2.1 試劑與儀器40-41
• 4.3 單晶硅絨面的制備41-42
• 4.4 結(jié)果與討論42-56
• 4.4.1 不同質(zhì)量濃度的磷酸鉀對(duì)單晶硅絨面的影響42-46
• 4.4.2 不同的磷酸氫二鉀量含量對(duì)單晶硅絨面的影響46-48
• 4.4.3 磷酸鉀與磷酸氫二鉀質(zhì)量濃度比對(duì)單晶硅絨面的影響48-52
• 4.4.4 反應(yīng)時(shí)間對(duì)單晶硅絨面的影響52-54
• 4.4.5 溫度對(duì)單晶硅絨面的影響54-56
• 4.5 結(jié)論56-57
• 第五章 總結(jié)與展望57-60
• 5.1 主要總結(jié)57-59
• 5.2 本文創(chuàng)新點(diǎn)59
• 5.3 研究展望59-60
• 參考文獻(xiàn)60-64
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文和研究成果64-65
• 致謝65

【參考文獻(xiàn)】

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 董密;太陽能光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)與控制策略研究[D];中南大學(xué);2007年

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本文編號(hào)：1053929