發(fā)布時(shí)間：2017-10-14 20:34

  本文關(guān)鍵詞：Cascode型GaN HEMT輸出伏安特性及其在單相逆變器中的應(yīng)用研究

  更多相關(guān)文章： 寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN HEMT 共源共柵結(jié)構(gòu) 輸出伏安特性

【摘要】：近年來隨著氮化鎵器件制造工藝的迅速發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ga N HEMT)已經(jīng)開始應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域。高壓共源共柵(Cascode)Ga N HEMT的出現(xiàn)使得Ga N器件可以在高壓場(chǎng)合進(jìn)行應(yīng)用。本文首先研究了耗盡型Ga N HEMT及Cascode Ga N HEMT全范圍輸出伏安特性及其特點(diǎn)。結(jié)合Si MOSFET和耗盡型Ga N HEMT的特性,本文重點(diǎn)研究了Cascode Ga N HEMT的工作模態(tài)及其條件。最后,給出了500W基于600V Cascode Ga N HEMT單相全橋逆變器的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)結(jié)果和仿真驗(yàn)證證明了理論分析的正確性。
【作者單位】： 北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子研究所;
【關(guān)鍵詞】： 寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN HEMT 共源共柵結(jié)構(gòu) 輸出伏安特性
【基金】：北京市科技計(jì)劃課題資助項(xiàng)目(Z141100003114011)
【分類號(hào)】：TN386;TM464
【正文快照】： Research on Output Volt-ampere Characteristics of Cascode Ga NHEMT and Its Application in Single-phase InverterLi Yan Zhang Yajing Trillion Q.Zheng Huang Bo Guo Xizheng(Institute of Power Electronics of Beijing Jiaotong University Beijing 100044 China)1

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 張雅靜;面向光伏逆變系統(tǒng)的氮化鎵功率器件應(yīng)用研究[D];北京交通大學(xué);2015年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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2 金花;許佐明;高穎;楊嘉祥;;水中交流電弧伏安特性仿真[J];電機(jī)與控制學(xué)報(bào);2008年05期

3 周林燕;高健雄;;水體非線性伏安特性的研究[J];電子設(shè)計(jì)工程;2013年19期

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6 高偉;電橋法測(cè)二極管的伏安特性[J];物理實(shí)驗(yàn);1994年04期

7 梁文俊;李堅(jiān);劉佳;金毓\，

本文編號(hào)：1033073