近閾值電壓啟動的遲滯電流模BOOST型轉換器設計
本文關鍵詞:近閾值電壓啟動的遲滯電流模BOOST型轉換器設計
更多相關文章: BOOST型DC-DC轉換器 遲滯電流模式 同步整流 低壓啟動
【摘要】:近年來,隨著人們對無線能量獲取方面的廣泛研究,尤其是對各類環(huán)境能量的收集和利用,使開關電源的市場需求不斷增大,如何設計一個低啟動電壓、低功耗、高轉換效率的集成BOOST型直流-直流(DC-DC)轉換器逐漸成為了大家的研究重點。本文首先介紹了BOOST型直流-直流電壓轉換器的基本原理,詳細對比分析了各種反饋模式、開關調(diào)制方式以及系統(tǒng)的功率級模型,并且根據(jù)市場應用需求,選擇了遲滯電流模作為系統(tǒng)的反饋控制模式。接著對系統(tǒng)的低壓啟動原理進行了重點分析,給出一種新型、高效的三步近閾值電壓啟動電路模型,并且對芯片的低功耗設計提出了一些具體的解決辦法。緊接著,根據(jù)前面系統(tǒng)級模型參數(shù)的確定,分別設計了各模塊電路,包括近閾值電壓啟動電路、帶隙基準源、誤差放大器、遲滯比較器、全周期電流檢測電路和過溫保護電路,給出了詳細的電路結構,并對其原理進行了細致的分析,最后,基于SMIC 0.18μm雙阱CMOS工藝,使用Spectre仿真工具對所有模塊電路及系統(tǒng)進行了仿真驗證。仿真結果表明,本文所設計的BOOST型DC-DC轉換器能夠正常工作,并且各項參數(shù)均滿足設計要求。其最低輸入電壓可以低至0.35V,負載電流范圍為0.1-50mA,輸出電壓穩(wěn)定在1.8V,且紋波很小(CCM下紋波3mV,DCM下紋波10mV)。在低輸入電壓(0.35V)下轉換效率超過50%,當輸入電壓為1.2V,輸出電壓1.8V,負載電流25mA的情況下,轉換效率高達91%。并且系統(tǒng)可以根據(jù)負載電流的變化自動在CCM和DCM兩種模式間進行切換,提高了輕負載下系統(tǒng)的轉換效率。芯片內(nèi)置的過壓、過溫保護電路可以使芯片在各種復雜環(huán)境下都能安全的工作,抗振鈴電路有效地抑制了電磁干擾對芯片性能的影響。
【關鍵詞】:BOOST型DC-DC轉換器 遲滯電流模式 同步整流 低壓啟動
【學位授予單位】:西安電子科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2015
【分類號】:TM46
【目錄】:
- 摘要5-6
- ABSTRACT6-11
- 符號對照表11-12
- 縮略語對照表12-16
- 第一章 緒論16-20
- 1.1 能量獲取系統(tǒng)概述16-17
- 1.2 近閾值電壓啟動的低功耗開關電源的應用以及發(fā)展前景17-18
- 1.3 論文主要內(nèi)容及章節(jié)安排18-20
- 第二章 BOOST型DC-DC轉換器原理20-32
- 2.1 BOOST型DC-DC轉換器拓撲結構20
- 2.2 BOOST型DC-DC轉換器的工作模式和原理分析20-23
- 2.2.1 連續(xù)導通模式(CCM)21-22
- 2.2.2 非連續(xù)導通模式(DCM)22-23
- 2.3 反饋環(huán)路控制模式選擇23-28
- 2.3.1 電壓控制模式24-25
- 2.3.2 電流控制模式25-28
- 2.4 同步整流技術28-29
- 2.5 BOOST型轉換器穩(wěn)定性的分析與設計29-31
- 2.5.1 電壓環(huán)路穩(wěn)定性分析29
- 2.5.2 轉換器電壓環(huán)路的補償設計和頻率分析29-31
- 2.6 本章小結31-32
- 第三章 近閾值電壓啟動的遲滯電流模BOOST轉換器的系統(tǒng)設計32-44
- 3.1 系統(tǒng)功能及電特性參數(shù)的設計32-34
- 3.1.1 系統(tǒng)功能設計32-33
- 3.1.2 系統(tǒng)電路的主要電路模塊的工作原理33-34
- 3.2 低壓、低功耗設計34-42
- 3.2.1 近閾值電壓自啟動過程34-39
- 3.2.2 低功耗設計39-42
- 3.3 芯片外圍元件的設計42-43
- 3.3.1 電感的選擇42
- 3.3.2 輸入輸出電容設計42-43
- 3.4 本章小結43-44
- 第四章 近閾值電壓啟動的遲滯電流模BOOST轉換器模塊電路設計44-68
- 4.1 近閾值電壓啟動模塊44-47
- 4.1.1 低壓振蕩器(osc)和自舉升壓電路(bootstrap)44-45
- 4.1.2 時鐘高電平翻倍電路和電平轉換電路(level shift)45
- 4.1.3 電路仿真和分析45-47
- 4.2 帶隙基準源設計47-52
- 4.2.1 電路基本原理47-48
- 4.2.2 電路設計與分析48-50
- 4.2.3 電路的仿真和驗證50-52
- 4.3 誤差放大器的設計52-57
- 4.3.1 電路設計與分析53-55
- 4.3.2 電路的仿真和驗證55-57
- 4.4 遲滯比較器的設計57-60
- 4.4.1 電路設計與分析57-59
- 4.4.2 電路的仿真和驗證59-60
- 4.5 全周期電流檢測電路的設計60-65
- 4.5.1 電路設計與分析61-63
- 4.5.2 電路的仿真和驗證63-65
- 4.6 過溫保護電路的設計65-67
- 4.6.1 電路設計與分析65-66
- 4.6.2 電路的仿真和驗證66-67
- 4.7 本章小結67-68
- 第五章 近閾值電壓啟動的遲滯電流模BOOST轉換器的整體仿真驗證68-76
- 5.1 典型應用電路68-69
- 5.2 整體電路仿真69-74
- 5.2.1 整體電路系統(tǒng)框圖69
- 5.2.2 近閾值電壓啟動系統(tǒng)輸出仿真69-70
- 5.2.3 連續(xù)電流工作模式(CCM)仿真70-72
- 5.2.4 斷續(xù)電流工作模式(DCM)仿真72
- 5.2.5 CCM與DCM模式的轉換72-73
- 5.2.6 線性瞬態(tài)響應73-74
- 5.3 本章小結74-76
- 第六章 總結76-78
- 參考文獻78-82
- 致謝82-84
- 作者簡介84-85
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1 劉之義,曹淑服;555定時器閾值電壓自浮動的探討[J];河北工業(yè)科技;2003年06期
2 袁晶;陸穎迪;;低電源電壓條件下的雙閾值電壓泵[J];電路與系統(tǒng)學報;2006年03期
3 彭彩君;蘇浩權;越澤庭;;大面積薄柵MOSFET的V_T與D_(OX)的關系研究[J];華南理工大學學報(自然科學版);1988年01期
4 李斌;宋芳芳;解江;章曉文;;PMOSFET的動態(tài)NBTI效應模型研究[J];華中科技大學學報(自然科學版);2010年12期
5 諶婧嬌;陳軍寧;高珊;;對稱薄膜雙柵MOSFET溫度特性的研究[J];合肥工業(yè)大學學報(自然科學版);2012年06期
6 李尊朝;羅誠;王闖;苗治聰;張莉麗;;部分耗盡異質(zhì)環(huán)柵場效應晶體管閾值電壓模型[J];西安交通大學學報;2013年12期
7 伍冬;劉輝;謝南;高岑岑;;快閃存儲器閾值電壓分布讀取電路設計[J];清華大學學報(自然科學版);2014年04期
8 龔仁喜,蔣超,鄧艷;深亞微米SOIMOSFET閾值電壓特性研究[J];廣西大學學報(自然科學版);2004年S1期
9 袁壽財;輻照對IGBT特性的影響[J];半導體技術;1997年04期
10 張海鵬,魏同立,馮耀蘭;寬溫區(qū)體硅MOST閾值電壓溫度特性的研究[J];東南大學學報;1999年06期
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1 崔錚;阮環(huán)陽;邱松;;介電層表面修飾對有機場效應晶體管閾值電壓的影響[A];中國化學會第28屆學術年會第4分會場摘要集[C];2012年
2 熊俊峰;劉祥遠;郭陽;;基于多閾值電壓技術的功耗優(yōu)化方法研究[A];第十六屆計算機工程與工藝年會暨第二屆微處理器技術論壇論文集[C];2012年
3 張洪濤;郭雪峰;;界面修飾功能化有機場效應晶體管[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年
4 孫向南;狄重安;王鷹;劉云圻;;高性能閾值電壓可調(diào)控場效應晶體管的制備[A];中國化學會第26屆學術年會有機固體材料分會場論文集[C];2008年
5 張志鋒;張鶴鳴;胡輝勇;宣榮喜;宋建軍;;應變Si溝道NMOSFET閾值電壓特性研究[A];第十五屆全國化合物半導體材料,微波器件和光電器件學術會議論文集[C];2008年
6 唐俊雄;唐明華;楊鋒;張俊杰;周益春;鄭學軍;;部分耗盡SOI MOSFETs中翹曲效應的溫度模型(英文)[A];第六屆中國功能材料及其應用學術會議論文集(2)[C];2007年
7 黃新林;竇建華;;基于自適應體偏壓技術的低功耗研究[A];全國第20屆計算機技術與應用學術會議(CACIS·2009)暨全國第1屆安全關鍵技術與應用學術會議論文集(下冊)[C];2009年
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2 朱朝嵩;GaAs閾值電壓均勻性與測試系統(tǒng)的研究[D];中國科學院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術研究所);2002年
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2 陳博文;Si基AlGaN/GaN增強型MIS-HFET閾值電壓調(diào)制技術研究[D];電子科技大學;2016年
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,本文編號:1000735
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