超晶格結構相變及壓電特性的第一性原理研究
本文關鍵詞:超晶格結構相變及壓電特性的第一性原理研究
【摘要】:鐵電超晶格薄膜由于性能優(yōu)于單一鐵電材料而受到廣泛關注,在微電子器件及光伏薄膜電池中具有非常廣泛應用,已經(jīng)成為當前國際研究熱點問題;瘜W成分、組分比例以及應變等因素對超晶格性能影響較大。研究鐵電超晶格的相變規(guī)律,以及在平衡狀態(tài)下超晶格的性能對實際應用具有重要意義。本文依據(jù)第一性原理,對PbTi O_3/Sn Ti O_3(II-IV/II-IV)、Na TaO_3/KTa O_3(I-V/I-V)、Pb Ti O_3/Sn Zr O_3(II-IV/II-IV)三種1/1超晶格的相變機理進行探索,并考察超晶格在應變條件下Pb Ti O_3/Sn Ti O_3超晶格的極化和壓電行為等特性的變化趨勢。PbTi O_3/Sn Ti O_3(II-IV/II-IV)、Na TaO_3/KTaO_3(I-V/I-V)初始相為P4/mmm,而PbTi O_3/Sn Zr O_3(II-IV/II-IV)初始相為P4mm。通過密度泛函微擾理論計算布里淵區(qū)中心聲子的頻率來判斷結構的穩(wěn)定性。P4/mmm含有雙重簡并的虛頻聲子和在z方向上振動的較小的虛頻聲子,凍結雙重簡并的虛頻聲子得到Amm2相,凍結z方向上振動的虛頻聲子P4mm相。計算兩個相的的聲子譜,進一步凍結Amm2相中在z方向上振動的虛頻聲子和P4mm相中雙重簡并的虛頻聲子都能得到Cm相。通過凍結聲子法來研究相變,得到的新的相的對稱性越來越低,同時超晶格的體積逐漸增加而能量變低,所以得到新的相的穩(wěn)定性增加。在晶格不匹配應變由-1.5%增加到1.5%過程中,PbTiO_3/Sn Ti O_3超晶格基態(tài)相由Cm相轉變?yōu)锳mm2相。超晶格的能帶變窄,帶隙由1.17 e V增加到1.32 e V。波恩有效電荷降低,這表明在超晶格中存在電荷傳輸,超晶格中離子間相互作用減弱。自發(fā)極化和壓電系數(shù)在x、y方向上分量在應變由壓應變到拉應變過程中會出現(xiàn)下降,在z方向上分量會隨著Cm相轉化為Amm2相而消失。同時極化方向與z軸之間的夾角會隨著應變增加而增加,最終為90°。宏觀靜態(tài)介電張量隨著應變的增加下降,在x和y軸向最大值為6.629。
【關鍵詞】:第一性原理 相變 極化 壓電 帶隙
【學位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TM221
【目錄】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-8
- 第1章 緒論8-17
- 1.1 課題的背景及意義8-9
- 1.2 鐵電超晶格材料的研究進展9-16
- 1.2.1 組分對超晶格性能的影響9-12
- 1.2.2 力場和電場對超晶格性能的影響12-13
- 1.2.3 應變對超晶格結構的影響13-16
- 1.3 本論文研究內(nèi)容16-17
- 第2章 第一性原理基本理論17-25
- 2.1 引言17-18
- 2.2 密度泛函理論18-21
- 2.2.1 Hobenberg-Kohn定理18-19
- 2.2.2 Kohn-Sham方程19-20
- 2.2.3 自洽過程20
- 2.2.4 交換關聯(lián)泛函20-21
- 2.3 贗勢方法21
- 2.4 BERRY-PHASE方法21-23
- 2.5 密度泛函微擾理論23
- 2.6 VASP軟件23-24
- 2.7 本章小結24-25
- 第3章 超晶格結構相變計算25-39
- 3.1 計算方法25
- 3.2 超晶格結構優(yōu)化25-26
- 3.3 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格計算26-30
- 3.4 Na TaO_3/KTaO_3超晶格計算30-34
- 3.5 Pb TiO_3/SnZr O_3超晶格計算34-37
- 3.6 本章小結37-39
- 第4章 PbTi O_3/Sn TiO_3超晶格性能計算39-60
- 4.1 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格能帶結構計算39-41
- 4.2 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格電子態(tài)密度計算41-47
- 4.2.1 P4/mmm相電子態(tài)密度41-43
- 4.2.2 Amm2相電子態(tài)密度43-46
- 4.2.3 Cm相電子態(tài)密度46-47
- 4.3 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格能帶帶隙計算47-48
- 4.4 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格波恩有效電荷計算48-51
- 4.5 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格極化特性計算51-54
- 4.5.1 極化強度計算方法51-52
- 4.5.2 Pb Ti O_3/SnTiO_3超晶格極化強度52-54
- 4.6 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格壓電響應系數(shù)計算54-56
- 4.7 Pb TiO_3/SnTiO_3超晶格介電張量的計算56-57
- 4.8 多層超晶格性能57-58
- 4.9 本章小結58-60
- 結論60-61
- 參考文獻61-66
- 致謝66
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 懷超璽;;淺析超晶格結構增強摻雜效果的機理[J];中國新技術新產(chǎn)品;2009年09期
2 包定華,張良瑩,姚熹;介電多層膜與人工介電超晶格的研究[J];壓電與聲光;1997年05期
3 孫兆偉;張興麗;;硅鍺超晶格結構熱導率的分子動力學模擬[J];哈爾濱工業(yè)大學學報;2011年07期
4 陳震;楊決寬;莊蘋;陳敏華;朱健;陳云飛;;InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜導熱系數(shù)測試[J];科學通報;2006年13期
5 軒林震,潘少華,陳正豪,陳凡,呂惠賓,趙彤,楊國楨;BaTiO_3/SrTiO_3超晶格的二次諧波產(chǎn)生研究[J];中國科學(A輯);1998年12期
6 包定華,阮凱斌;鐵電多層膜與鐵電超晶格[J];四川大學學報(自然科學版);2005年S1期
7 鄭聯(lián)喜,王玉田,莊巖,鄧禮生,肖智博,,胡雄偉,梁駿吾;超晶格結構X射線衍射分析及其結構參數(shù)的計算[J];發(fā)光學報;1995年02期
8 楊曉峰,溫廷敦;短周期超晶格能帶的贗勢法計算[J];華北工學院學報;1999年01期
9 范麗仙;陳桂華;羅詩裕;;半導體超晶格及其應用[J];東莞理工學院學報;2011年01期
10 王印月,許懷哲,張仿清;a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的界面特性研究[J];無機材料學報;1992年03期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 王珂;李煒坤;朱錦濤;;超分子誘導納米粒子有序組裝成超晶格結構[A];中國化學會第29屆學術年會摘要集——第33分會:納米材料合成與組裝[C];2014年
2 熊焱松;唐智勇;;陰離子對Cu_2S超晶格結構形成的影響[A];第十六屆全國晶體生長與材料學術會議論文集-08納米晶體及其表征[C];2012年
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 王長;太赫茲場和磁場作用下超晶格非線性動力學研究[D];中國科學院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術研究所);2007年
2 房丹;GaSb薄膜及其超晶格結構的分子束外延生長與物性研究[D];長春理工大學;2014年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 唐晗;介電超晶格納米復合結構光學表面波特性及制備工藝[D];南京大學;2013年
2 張嶼;InAs/GaSb超晶格結構制備及性質研究[D];長春理工大學;2014年
3 賈志宏;應變條件下鐵電超晶格結構壓電特性的第一性原理研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2014年
4 王丹丹;p型超晶格結構對紫外LED性能影響研究[D];西安電子科技大學;2014年
5 付言明;超晶格結構相變及壓電特性的第一性原理研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2016年
6 李華;超晶格材料的子帶結構[D];山東大學;2006年
7 盧葦;鐵電超晶格的橫場伊辛模型理論與模擬計算[D];四川大學;2005年
8 周明帥;光學超晶格中特殊光學功能的理論研究[D];南京大學;2012年
9 潘紅雅;半導體超晶格的X射線雙晶衍射研究[D];長春理工大學;2007年
10 彭現(xiàn)科;超晶格中一些動力學及輸運問題的理論研究[D];中國工程物理研究院;2006年
本文編號:731196
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianlidianqilunwen/731196.html