本文關(guān)鍵詞：高壓晶閘管換流閥電控型和光控型晶閘管反向恢復(fù)期的不同保護(hù)策略

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【摘要】：隨著我國(guó)高壓直流輸電(HVDC)的發(fā)展,不管是電控型(ETT)還是光控型(LTT)晶閘管換流閥,在運(yùn)行中其反向恢復(fù)期(reverse recovery period)保護(hù)功能均出現(xiàn)了一些缺陷和問(wèn)題,導(dǎo)致?lián)Q流閥強(qiáng)迫停運(yùn)。為此,作者在對(duì)這兩種不同技術(shù)換流閥反向恢復(fù)期的機(jī)理和不同的保護(hù)策略進(jìn)行分析研究的基礎(chǔ)上,針對(duì)在工程運(yùn)行中該保護(hù)出現(xiàn)誤判、誤動(dòng)、延時(shí)形成死區(qū)等缺陷的原因進(jìn)行了分析,得出主要原因?yàn)镋TT閥未能采用直接的正向電壓變換率(du/dt)探測(cè),而LTT閥則因該保護(hù)無(wú)雙重化配置和監(jiān)測(cè)功能。針對(duì)此,進(jìn)而提出ETT閥改進(jìn)為直接du/dt保護(hù)的策略;在LTT閥的RPU保護(hù)單元增加雙重化配置和監(jiān)測(cè)功能的優(yōu)化方案,為這一關(guān)鍵保護(hù)更加精準(zhǔn)有效提出了一種自主國(guó)產(chǎn)化的新思路。
【作者單位】： 西安西電電力系統(tǒng)有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 電控晶閘管 光控晶閘管 晶閘管控制單元 晶閘管電壓監(jiān)測(cè)板 反向恢復(fù)期保護(hù)單元 閥底部電子設(shè)備
【分類號(hào)】：TM721.1
【正文快照】： 0引言本世紀(jì)初,直接光控晶閘管(light trigger thy-ristor,LTT)問(wèn)世,以其較傳統(tǒng)電控晶閘管(electrictriggered thyristor,ETT)獨(dú)具的優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電晶閘管換流閥中。因此,在我國(guó)高壓晶閘管換流閥領(lǐng)域就形成了ETT和LTT晶閘管兩種技術(shù)的換流閥。目前,我國(guó)直流輸

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本文編號(hào)：552238