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不均勻電場(chǎng)SF 6 /CF 4 混合氣體的光譜實(shí)驗(yàn)研究

發(fā)布時(shí)間:2025-05-07 05:24
   文中通過(guò)對(duì)SF6/CF4混合氣體在針板電極電場(chǎng)條件下,采用光譜測(cè)量法分析SF6氣體含量為20%80%、壓強(qiáng)為0.1~0.3 MPa及電極間距在4~10 mm下的氣體擊穿等離子體導(dǎo)電通道的發(fā)射光譜。利用多譜線斜率法及Stark展寬法計(jì)算SF6/CF4混合氣體完全擊穿的等離子體通道中電子溫度、電子數(shù)密度等參數(shù),建立等離子體導(dǎo)電通道的電子溫度、電子數(shù)密度與氣體壓強(qiáng)、電極間距的關(guān)系。研究表明:當(dāng)電極間距為4 mm時(shí),隨著混合氣體壓強(qiáng)的升高等離子體電子溫度下降、電子數(shù)密度上升,ρSF6為80%時(shí)等離子體通道的電子溫度由0.1 MPa時(shí)的3.72×104 K下降到0.3 MPa時(shí)的1.99×104 K,電子數(shù)密度由2.61×1017 m-3增大到5.72×1017 m-3;0.1 MPa下電極間距在4 mm時(shí)等離子體通道中電子溫度隨SF6氣體含量的升高而上升,電子數(shù)密度呈下降趨勢(shì);電極間距在4~10 mm時(shí),ρSF...

【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)

【文章目錄】:
0 引言
1 光譜測(cè)量回路與方法
    1.1 光譜測(cè)量回路
    1.2 光譜測(cè)量實(shí)驗(yàn)方案
2 擊穿光譜采集與分析
    2.1 光譜測(cè)量原理
    2.2 電子溫度的計(jì)算與分析
    2.3 電子密度的計(jì)算與分析
3 結(jié)論



本文編號(hào):4043667

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