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電子束蒸發(fā)法制備倒置四結(jié)砷化鎵太陽電池減反射膜及其性能研究

發(fā)布時間:2024-11-02 17:51
  GaAs基系Ⅲ-Ⅴ族太陽電池具有光電轉(zhuǎn)換效率高、抗輻照性能好、耐高溫、可靠性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),因而其在空間能源領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中,與GaInP/GaAs/Ge三結(jié)電池相比,GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs四結(jié)電池的能帶匹配較為理想,進(jìn)一步地,為了提高該四結(jié)電池的光電轉(zhuǎn)換效率,除了優(yōu)化電池結(jié)構(gòu)外,還可通過設(shè)計減反射膜來增加電池的光利用,因此,在傳統(tǒng)TiO2/Al2O3雙層減反射膜的基礎(chǔ)上,本文引入低折射率的MgF2材料構(gòu)成TiO2/Al2O3/MgF2三層減反膜系用于實(shí)現(xiàn)更寬光譜的有效減反,并采用電子束蒸發(fā)技術(shù)完成了制備工作。主要研究內(nèi)容如下:(1)通過Essential Macleod軟件在300nm1800nm光譜范圍內(nèi)對TiO2/Al2O3/MgF2三層減反射膜進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計與性能分析。模擬...

【文章頁數(shù)】:76 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

電子束蒸發(fā)法制備倒置四結(jié)砷化鎵太陽電池減反射膜及其性能研究



士?超過40%[12]。而唯一能同時實(shí)現(xiàn)特定的帶隙和晶格匹配的Ga1-xInxN1-yAsy四元合金材料質(zhì)量較差,1997年Olson采用Ga0.93In0.07N0.023As0.977材料制備的第三子結(jié)的光電流和量子效率均較低。2011年美國Emcore公司在研制第三子結(jié)上取....


電子束蒸發(fā)法制備倒置四結(jié)砷化鎵太陽電池減反射膜及其性能研究



第1章緒論31.1.2GaAs基多結(jié)太陽電池的工作原理由于太陽光譜范圍很寬,其能量主要分布在0.29~3.0μm波長范圍內(nèi),并且單個帶隙材料的Eg值固定,因此較難充分利用該能量。光譜中能量小于Eg的光子不能被太陽電池吸收,而能量遠(yuǎn)大于Eg的光子雖然可以被電池吸收,但是被它激發(fā)的高....


電子束蒸發(fā)法制備倒置四結(jié)砷化鎵太陽電池減反射膜及其性能研究



第1章緒論4111111111111icossin1cosisinisincoscosisingggnBnnCnnnn111111cosisinYcosisinggCnnBnn明顯高于非聚光條件。無限多結(jié)電池的極限效率在非聚光條件下可以達(dá)到65.4%,在最大聚光條件下(約4620....


電子束蒸發(fā)法制備倒置四結(jié)砷化鎵太陽電池減反射膜及其性能研究



第3章IMM-4J太陽電池減反射膜的設(shè)計及優(yōu)化19圖3.1基于IMM-4J太陽電池的多層減反膜系結(jié)構(gòu)圖由于多結(jié)電池結(jié)構(gòu)復(fù)雜,為了便于多層減反射膜的制備及其光譜性能分析,需要對上述膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡化。在多結(jié)電池的四個主要吸收層材料中,GaAs材料折射率居中且容易獲得,可考慮使用單一介....



本文編號:4009903

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