電源芯片LDO器件的單粒子效應研究
發(fā)布時間:2024-06-12 05:47
隨著航天科技的迅速發(fā)展,集成電路的集成度越來越高,各種電子元器件被廣泛應用于航天器上。復雜的空間輻射環(huán)境將給電子元器件及其電路帶來及其嚴峻的輻射安全問題。人們?yōu)榱吮阌谘芯靠臻g輻射效應,將空間輻射環(huán)境分為輻射帶,宇宙射線,太陽風和太陽耀斑。正是這些不同來源的輻射粒子,主要有電子,質子和重離子極易對航空航天等航天器上的電子元器件及電路產生極為嚴重的輻射安全問題。研究半導體器件及其電路的空間輻射效應,提高其抗輻射水平是近年來國內外微電子學十分重視的課題。低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator,LDO)作為重要的半導體器件被廣泛應用于衛(wèi)星和飛船等具有空間輻射的領域。其作為各種電子設備中的重要組成部分之一,其性能的優(yōu)劣直接關系到整個電子設備的技術指標和能否可靠性地工作,一旦在空間輻射環(huán)境下出現(xiàn)失效,將會給整個飛船和衛(wèi)星等航天器帶來十分嚴重的故障,造成極大的經濟損失。因此對電源芯片空間輻射效應進行深入研究顯得尤為重要。從輻射損傷機理來看,輻射對半導體材料作用的兩個基本效應為電離損傷效應和位移損傷效應。在微觀上,電離損傷效應主要是輻照粒子與靶原子中的電子相互作用,把自身的能量傳...
【文章頁數(shù)】:56 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
本文編號:3993314
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圖1-1范艾倫輻射帶示意圖
銀河宇宙射線質子和離子1keV-500MeV1.2.1范爾倫帶輻射帶是地球磁場捕獲外層空間的帶電粒子而形成的,其示意圖如圖1-1。主要包含俘獲電子和質子。俘獲電子分為內帶電子和外帶電子。內帶電子的能量小于5MeV。外帶電子的能量高達7MeV。原輻射帶內帶和外帶之間存....
圖1-2輻射源與器件輻射效應的對應關系
圖1-2輻射源與器件輻射效應的對應關系ig.1-2Correspondingrelationshipbetweenradiationsourceandradiationeffectofde量效應環(huán)境中遇到的總劑量效應幾乎都歸因于輻射帶的俘獲電子和太陽耀是....
圖2-1HI-13實驗裝置圖
圖2-1HI-13實驗裝置圖Fig.2-1HI-13experimentaldevicediagram負離子注入器:用來產生可變能量的束流,主要由負離子源,預加速空系統(tǒng)等組成。高壓發(fā)生器:位于脈沖系統(tǒng)后端,鋼桶結構,用以盛放絕緣氣體。加速管:位于高壓發(fā)生器的后端,....
圖2-2LDO的基本原理圖
低壓差電壓調整器(LowDropoutRegulator,LDO),是新一代的集成電路穩(wěn)壓器是線性集成集成電路的重要分支,它在電子設備小型化和輕量化發(fā)展中受到極大。制作工藝在近些年取得了迅速發(fā)展。它的產品已由過去的混合式集成穩(wěn)壓器發(fā)單片式集成穩(wěn)壓器,即把構成穩(wěn)壓器的調整晶體....
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