近些年來,隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,開發(fā)新一代具有高儲(chǔ)能低損耗的柔性電介質(zhì)材料顯得尤為迫切,聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物憑其高介電常數(shù)引發(fā)了極大的關(guān)注,成為最有潛力的電介質(zhì)儲(chǔ)能材料。本文以VDF與六氟丙烯(HFP)的共聚物P(VDF-HFP)為基體材料,同時(shí)引入核殼結(jié)構(gòu)M220(殼為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),核為丙烯酸酯類),采用溶液法制備了不同比例的P(VDF-HFP)/M220復(fù)合薄膜,并研究M220對(duì)P(VDF-HFP)結(jié)晶行為和儲(chǔ)能性能的影響。此外,分別采用熔融混合法和溶液流延法,引入了導(dǎo)電填料碳納米管(MWCNTs),制備了不同比例的P(VDF-HFP)/MWCNTs兩相復(fù)合薄膜和P(VDF-HFP)/PMMA/MWCNTs三相復(fù)合薄膜(PMMA含量為10%),并通過對(duì)薄膜晶相結(jié)構(gòu)、介電性能和機(jī)械性能的對(duì)比研究來探討MWCNTs對(duì)復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)與性能的影響。M220含量低時(shí)可作為異相成核劑,促進(jìn)P(VDF-HFP)的結(jié)晶,但是含量高時(shí)核殼結(jié)構(gòu)部分破裂會(huì)阻礙結(jié)晶。復(fù)合材料的介電常數(shù)和介電損耗隨著M220的加入有所降低,但復(fù)合薄膜的擊穿強(qiáng)度顯著提高,當(dāng)M220含量為5%時(shí),...

【文章頁(yè)數(shù)】：72 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1材料的極化類型與頻率的關(guān)系

但是每一種極化都有其固定的頻率，極化類型與頻率的關(guān)系如圖1-1所示。(1)位移極化電子的位移極化指電子云在外電場(chǎng)下發(fā)生相對(duì)于分子骨架的移動(dòng)，使正負(fù)電荷中心發(fā)生位置偏移造成的；原子的位移極化是指分子骨架在外電場(chǎng)下發(fā)生變形，由于各原子的電負(fù)性不同，在外電場(chǎng)下發(fā)生的位置移動(dòng)也會(huì)不同....

圖2-1介電性能測(cè)試電極簡(jiǎn)圖

測(cè)試前在薄膜兩面分別涂范圍設(shè)置為20Hz-5MHz，測(cè)試電壓為原理可用公式(2-1)表示：=×(2)2×0介電常數(shù)；)；)；直徑(m)；數(shù)，值為8×10-12(F/m)。損耗測(cè)試中所用的電極如圖2-1所示。

圖2-2GB/T1040.3-2006的試樣尺寸要求

第2章實(shí)驗(yàn)材料及分析方法合薄膜以15mm/min的拉伸速率進(jìn)行拉伸試驗(yàn)，得到復(fù)合薄膜的拉率。

圖3-1P(VDF-HFP)/M220復(fù)合薄膜制備流程

燕山大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文第3章P(VDF-HFP)/M220復(fù)合薄膜的制備與性能研究3.1P(VDF-HFP)/M220復(fù)合薄膜的制備本章主要采用溶液流延法的工藝制備了M220含量分別為0%、3%、5%和8%的P(VDF-HFP)/M220復(fù)合薄膜。制備過程....

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