傳統(tǒng)電壓等級(jí)提升方式因?yàn)檠b置體積限制和穩(wěn)定性的要求逐步表現(xiàn)出較多局限性,而現(xiàn)如今智能高壓發(fā)生器由于開關(guān)電源技術(shù)等電力電子技術(shù)的發(fā)展擺脫了主要局限,從而具有了更便攜更穩(wěn)定的性能。高壓發(fā)生器一般分為交流高壓發(fā)生器、脈沖高壓發(fā)生器和直流高壓發(fā)生器。直流高壓發(fā)生器應(yīng)用較廣,可作為絕緣強(qiáng)度測試、泄露電流試驗(yàn)、高壓設(shè)備電源等,它是當(dāng)下高壓發(fā)生器研究的熱點(diǎn)。在分析現(xiàn)今國內(nèi)外對(duì)此技術(shù)的研究進(jìn)程,設(shè)計(jì)了一套智能直流高壓發(fā)生器,用電路原理分析的方法確定整體電路系統(tǒng)參數(shù),且制作了電路實(shí)物模塊并通過多次調(diào)試證明了其正確有效性,最后將電路模塊組合成完整的電路系統(tǒng),對(duì)其進(jìn)行完備的智能升壓控制技術(shù)驗(yàn)證。本設(shè)計(jì)智能化即實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)頻率跟蹤和輸出紋波的動(dòng)態(tài)調(diào)控,沿襲目前相關(guān)技術(shù)熱點(diǎn),提出并設(shè)計(jì)了幾項(xiàng)創(chuàng)新方案,解決了技術(shù)上的一些難點(diǎn),通過試驗(yàn)和實(shí)物驗(yàn)證,取得良好的效果。本文在技術(shù)創(chuàng)新上,包括以下幾個(gè)方面:在電路系統(tǒng)前端用開關(guān)電源直接替代EMI濾波電路和整流電路,避免引入高頻干擾并簡化電路;采用帶故障狀態(tài)反饋和有源米勒鉗位的MOS管驅(qū)動(dòng)光耦芯片并結(jié)合DE類逆變電路,實(shí)現(xiàn)高頻逆變,輸出電壓為高頻方波;計(jì)及升壓變壓器的磁芯損耗與繞...

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2-1總體電路結(jié)構(gòu)

上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文-7-第二章直流高壓發(fā)生器功率部分分析從有效闡述分析的角度和電路拓?fù)涔δ艹霭l(fā)，如圖2-1所示，本文總體電路結(jié)構(gòu)分為圖中虛線上側(cè)的功率部分和虛線下側(cè)的控制部分。文中涉及的直流高壓發(fā)生器，基本沿用電力電子技術(shù)提及的經(jīng)典電路拓?fù)�，功率部分包括電源端電路、逆變電�?...

圖2-4全橋電壓型逆變電路及移相調(diào)壓方式

上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文-10-變動(dòng)直流側(cè)電源電壓來實(shí)現(xiàn)。圖2-4全橋電壓型逆變電路及移相調(diào)壓方式Fig.2-4Fullbridgevoltageinvertercircuitandphase-shiftvoltageregulationmode對(duì)于阻感負(fù)載來說，可以通過圖2-4....

圖2-5全橋電流型逆變電路及輸出波形

上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文-12-圖2-5全橋電流型逆變電路及輸出波形Fig.2-5Fullbridgecurrentinvertercircuitandoutputwaveformt1-t2時(shí)，晶閘管V1和V4穩(wěn)定導(dǎo)通，負(fù)載電流近似恒定，t2時(shí)刻負(fù)載上的電壓為正極性。t2時(shí)刻給晶....

圖2-6變壓器簡化結(jié)構(gòu)

換轉(zhuǎn)移。t4時(shí)刻，換流完成，V1、V4關(guān)斷，V2、V3導(dǎo)通。t4時(shí)刻后，給晶閘管V1和V4觸發(fā)信號(hào)，V1、V4導(dǎo)通，再次進(jìn)入下一個(gè)換流階段。2.2升壓變壓器本設(shè)計(jì)中升壓變壓器是形成直流高壓的重要組成部分，針對(duì)逆變電路輸出脈沖頻率較高的特點(diǎn)，重點(diǎn)研究高頻變壓器的原理，結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性....

本文編號(hào)：3926684