本文關(guān)鍵詞：有機鐵電薄膜的制備與性質(zhì)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著電子信息技術(shù)的高速發(fā)展,鐵電材料因其在信息存儲、紅外傳感以及光學(xué)效應(yīng)方面的優(yōu)良性能而備受社會的關(guān)注和重視。尋找性質(zhì)更為優(yōu)越、價格更加低廉的鐵電材料并且制備相應(yīng)的鐵電薄膜以便更好地推進(jìn)其工業(yè)化應(yīng)用的進(jìn)程便成為了現(xiàn)在階段的一個非常重要的議題。一般的來說,我們傳統(tǒng)意義上所指的鐵電材料主要是以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)為主,比如PbTiO3,BaTiO3, NbLiO3等,而弛豫型鐵電體一般而言指的是前述晶體按照一定的比例混合而成的固溶體,比如Pb(Mgi/3Nb2/3)O3-xPbTiO3。但是這類鐵電體具有一些天然的缺點,主要在于有毒性,會對環(huán)境造成比較大的損害；制備過程需要高溫來燒結(jié),含有重金屬元素,難以生長出大塊的單晶等等。為了克服這些缺點,人們開始了一些分子基鐵電體的研究,并發(fā)現(xiàn)了一系列具有高轉(zhuǎn)變溫度以及低矯頑場等優(yōu)良特征的分子基鐵電體。而鐵電薄膜的性質(zhì)往往與晶體之間存在較大的差異,但是之前的薄膜研究主要集中在無機鐵電材料,對于分子基鐵電材料薄膜的研究還很少。論文主要研究了兩種新型的分子基鐵電材料二異丙胺溴(DIPAB)和二異丙胺高氯酸(DIPAP),探究制備這兩種材料薄膜的方法和條件以及薄膜的包括介電常數(shù)、壓電性、XRD等在內(nèi)的各項物理特性。特別是針對二異丙胺高氯酸,利用旋涂法得到了具有相當(dāng)高的平整度的薄膜。不同于二異丙胺高氯酸晶體的相變溫度338K,薄膜的相變溫度要比晶體的相變溫度低20K左右。薄膜和晶體一樣,都屬于非本征鐵電材料,并且相對于晶體在介電譜上的一致突變,薄膜的介電的突變隨著頻率的變化而變化,這是典型的介電弛豫的表現(xiàn)。并且通過熱釋電電流測量以及電滯回線測量等手段證實了薄膜弛豫現(xiàn)象的存在。由于二異丙胺高氯酸薄膜擁有可調(diào)控的階梯型介電常數(shù)和遠(yuǎn)小于其他鐵電材料的矯頑場強度等獨特的性質(zhì),因此非常有利于拓展二異丙胺高氯酸薄膜潛在的應(yīng)用范圍。
【關(guān)鍵詞】：分子基鐵電材料 鐵電相變 介電突變 弛豫 電滯回線
【學(xué)位授予單位】：南京大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TM221
【目錄】：

• 摘要4-6
• Abstract6-10
• 第一章 緒論10-25
• 1.1 引言10-11
• 1.2 晶體鐵電性質(zhì)和朗道理論11-15
• 1.2.1 晶體的鐵電性質(zhì)11-14
• 1.2.2 朗道理論14-15
• 1.3 鐵電材料研究歷史15-17
• 1.4 鐵電材料的性質(zhì)及其應(yīng)用17-19
• 1.5 分子基鐵電體的發(fā)展19-21
• 1.6 選題的主要內(nèi)容和意義21-22
• 參考文獻(xiàn)22-25
• 第二章 薄膜表征測量與設(shè)備25-32
• 2.1 X射線衍射(X-Ray diffraction,XRD)25-27
• 2.2 原子力顯微鏡(AFM)27-30
• 2.3 壓電力顯微鏡(PFM)30-31
• 參考文獻(xiàn)31-32
• 第三章 二異丙胺溴薄膜制備與特性研究32-43
• 3.1 二異丙胺溴鹽鐵電晶體32-37
• 3.2 旋涂法制備DIPAB薄膜37-38
• 3.3 DIPAB薄膜的物理特性表征38-41
• 3.4 小結(jié)41-42
• 參考文獻(xiàn)42-43
• 第四章 二異丙胺高氯酸薄膜制備與特性研究43-55
• 4.1 二異丙胺高氯酸鐵電晶體43-45
• 4.2 DIPAP薄膜的制備與物理性質(zhì)表征45-52
• 4.3 小結(jié)52-53
• 參考文獻(xiàn)53-55
• 第五章 總結(jié)55-56
• 碩士期間發(fā)表論文56-57
• 致謝57-58

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