本文以TC4鈦合金板材低溫?cái)U(kuò)散連接工藝科研項(xiàng)目為背景,對(duì)鈦合金低溫?cái)U(kuò)散連接參數(shù)進(jìn)行了研究。主要研究了脈沖電沉積鎳鈷中間層的制備工藝,參數(shù)優(yōu)化,電沉積鎳鈷中間層熱穩(wěn)定性,低溫?cái)U(kuò)散連接接頭形貌及力學(xué)性能。利用脈沖電沉積的方法在TC4鈦合金上制備了不同厚度,不同成分的納米鎳鈷電沉積層,研究了Co元素與電流密度對(duì)晶粒尺寸、結(jié)合力、顯微硬度和表面粗糙度的影響。通過(guò)X射線衍射儀測(cè)得電沉積層結(jié)構(gòu)為面心立方結(jié)構(gòu),通過(guò)謝樂(lè)公式與透射電鏡觀察電沉積層晶粒尺寸為20nm左右且晶粒尺寸隨電流密度與Co元素含量增加而減小;電沉積層硬度在395.3～537.6HV之間,隨電流密度增加,電沉積液鈷含量增加而增加;電沉積層與基體間的結(jié)合力在40-67.8N之間,隨電流密度減少,基體表面粗糙度增加而增加,與鈷元素含量無(wú)關(guān);表面粗糙度隨著電流密度減小、鈷元素含量增加而降低,隨著鈦合金基體粗糙度增加而增加。電沉積層元素分布符合異常共沉積規(guī)律,最終確定電流密度2A/dm2,電沉積液鈷元素含量為20g/L,鈦合金基體用1500目砂紙打磨時(shí),電沉積層晶粒尺寸,表面質(zhì)量最優(yōu)。對(duì)不同Co元素含量電沉積層在800℃下,在真空與空氣中熱...

【文章頁(yè)數(shù)】：75 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1Ni/Al多層納米膜[21]

元素的高速、低溫、低損傷沉積，且設(shè)備簡(jiǎn)便可控、電沉積層面積大和附著力強(qiáng)。So′niaSimoes通過(guò)磁控濺射在TiNi與Ti6Al4V表面沉積了反應(yīng)性Ni/Ti納米多層，在擴(kuò)散連接過(guò)程中降低了溫度[14]。L.I.Duarte[20]使用磁控濺射，得到利用Cu改性的Ti/Al納米....

圖1-259.7A/dm2獲得的電沉積層[29]

哈爾濱工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文-4-增強(qiáng)陰極過(guò)電位，可以增強(qiáng)極化，從而促進(jìn)電沉積層形核，細(xì)化晶粒。此外，絡(luò)合鹽沉積液中絡(luò)合物可以增強(qiáng)陰極過(guò)電位，提升陰極極化，從而細(xì)化晶粒[23,24]。脈沖電沉積法的效率與直流電沉積相比有明顯提升，晶體的長(zhǎng)大速度和形核率對(duì)晶粒尺寸起決定作用。Deva....

圖1-3噴丸超聲自納米化示意圖[43]

哈爾濱工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文-7-時(shí)可以保持熱穩(wěn)定性。經(jīng)過(guò)激光沖擊噴丸（laser-shockpeening）處理的AISI304不銹鋼，表面層納米組織可以在800℃(T/Tm約0.6)保持穩(wěn)定性。張聰惠等[42]對(duì)采用SMAT技術(shù)實(shí)現(xiàn)表面納米化的Zr-4合金在不同溫度進(jìn)行退火，研....

圖1-4磁控濺射與累積輥軋制制備的Ni/Ti納米層[47]

哈爾濱工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文-8-圖1-4磁控濺射與累積輥軋制制備的Ni/Ti納米層[47]1.3Ni-Co電沉積層熱穩(wěn)定性近年來(lái)，隨著電沉積納米材料應(yīng)用的日益增加,其熱穩(wěn)定性研究越來(lái)越受到的重視。提高熱穩(wěn)定性方法主要有合金化，有序化，同素異性轉(zhuǎn)變，第二相等，其原理均為阻礙晶界移動(dòng)....

本文編號(hào)：3900984