發(fā)布時間：2024-02-03 07:32

　　相比單一的模塊,ISOS(輸入串聯(lián)、輸出串聯(lián))模塊化電源可靠性和電壓等級較高,適用于雙級式V2G (Vehicle-to-grid)系統(tǒng)。然而在能量雙向流動的場合,模塊化電源需要很多輸入均壓環(huán)路,這將導(dǎo)致可靠性的下降。本文針對以上問題,提出利用雙向有源橋式電路來組成ISOS模塊,并采用同占空比控制,增加了可靠性。本文在分析DAB(雙向有源橋式電路)工作狀態(tài)的基礎(chǔ)上,研究了能量流動方向與移相角的關(guān)系。建立DAB的小信號模型和平均電路模型,對器件的損耗和原邊／副邊軟開關(guān)的區(qū)域進(jìn)行分析,并對模型的準(zhǔn)確性進(jìn)行驗證。針對ISOS電源,對比了三環(huán)控制、雙環(huán)控制和同占空比控制,同占空比控制有控制環(huán)路少、容錯率高等優(yōu)點,本研究采用同占空比來控制輸入串聯(lián)、輸出串聯(lián)的DAB的控制策略。針對同占空比控制下的輸入串聯(lián)、輸出串聯(lián)DAB模塊,建立了其小信號模型,并利用仿真驗證控制策略的穩(wěn)定性,綜合分析了各個參數(shù)對輸入電壓分壓的影響。在綜合考慮無功環(huán)流、軟開關(guān)范圍、能量傳遞能力、輸出電壓紋波等因素的基礎(chǔ)上,對DAB模塊的開環(huán)參數(shù)以及閉環(huán)采樣電路等輔助電路進(jìn)行設(shè)計。針對16路MOSFET,采用TMS320F28335...

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１?ＩＳＯＳ連接的雙向有源橋式電路??其中是一個跟西比、串聯(lián)電感、變換器的工作頻率、占空比都有關(guān)系??的量

的電流建模，估算電路的損耗。??２．２雙向有源橋式ＤＣ／ＤＣ變換器工作原理??輸入串聯(lián)、輸出串聯(lián)的ＤＡＢ電路圖如圖２－１，ＤＡＢ的輸出與輸入端口的??電壓電流關(guān)系可Ｗ用下面的公式描述ＰＳＩ：??１、二?ＫＶ。?（２－１）??（２－２）??Ｓｉｉ?｜山八４＝?Ｓ口山；主??一］?山....

圖２－２開關(guān)的工作圖??（１）工作狀態(tài)ｌＵ

工作了很長的時間，各個變量均為周期變量；開關(guān)的并聯(lián)電容與串聯(lián)電感的??諧振周期很大；兩邊的方波發(fā)生器均為理想的電源。??雙向有源橋式ＤＣ／ＤＣ變換器的器件工作情況如圖２－２所示，此時能量從??原邊流向副邊，Ｖｐ和Ｖｓ分別是變壓器原邊和副邊的電壓，這兩個波形都是方??波，一個周期分....

圖２－４忽略諧振過程的電壓電流波形??首先計算電感電流的斜率：??反１＝平?料）??

?Ｌ??圖２－３?ＤＡＢ簡化模型??‘????ｈ?ｈ?Ｉ??＾?Ｔｉ?ｌ……ｒｔｓｚｚｚｄ…．ｒ

圖２－７移相控制下的軟開關(guān)范圍??

所Ｗ開關(guān)管的開通損耗和二極管的反向恢復(fù)損耗可Ｗ忽略，近似認(rèn)??為是零。??然而，從圖２－５中可Ｗ看出，開關(guān)管關(guān)斷的時電流比較大，因此根據(jù)相??應(yīng)的關(guān)斷電流和工作電壓，對應(yīng)典型關(guān)斷損耗曲線給出的數(shù)據(jù)表，可Ｗ得出??晶體管關(guān)斷損耗的計算公式：??心曲?ｓｅ＝＆ｆ＂乂令?口－２；ｌ）?....

本文編號：3893964