發(fā)布時(shí)間：2024-01-25 17:26

　　提高晶體硅電池光電轉(zhuǎn)換效率,關(guān)鍵在于如何實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)光的高效吸收和增強(qiáng)光生伏特效應(yīng)。如何提高晶體硅電池的吸光率、增強(qiáng)其光生伏特效應(yīng)、降低生產(chǎn)成本是晶體硅電池領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。在太陽(yáng)能利用研究領(lǐng)域,吸光結(jié)構(gòu)對(duì)太陽(yáng)能電池的光電特性影響很大,光功能織構(gòu)表面的研究已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外學(xué)者研究熱點(diǎn)。采用傳統(tǒng)的制絨技術(shù)在晶體硅表面直接加工出陷光織構(gòu),雖能夠提高晶體硅電池的吸光率,但也會(huì)產(chǎn)生新的表面缺陷而引起晶體硅電池光生伏特效應(yīng)下降。因此,表面光功能織構(gòu)的設(shè)計(jì)及制備成為高效晶體硅電池研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。本文分析晶體硅電池常規(guī)光功能織構(gòu)制備遇到的瓶頸問(wèn)題,提出了一種光面晶體硅復(fù)合三棱錐光功能織構(gòu)膜的吸光結(jié)構(gòu)。首先創(chuàng)建了光線(xiàn)在三棱錐光功能織構(gòu)膜外表面反射損失和內(nèi)表面折射損失的數(shù)學(xué)模型,優(yōu)化復(fù)合結(jié)構(gòu)光功能織構(gòu)膜的三棱錐側(cè)面傾角;結(jié)合三棱錐織構(gòu)膜的制備工藝,對(duì)該織構(gòu)膜的結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。其次,研究了光功能織構(gòu)膜凸三棱錐原始模芯的超精密切削,利用精密電鑄工藝制備凹三棱錐織構(gòu)的工作模具,采用UV壓印工藝制備三棱錐光功能織構(gòu)膜;并分析了制備精度對(duì)三棱錐織構(gòu)膜光學(xué)性能的影響。此外,通過(guò)對(duì)比絨面單晶硅電池、光面單晶硅電池和...

【文章頁(yè)數(shù)】：140 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

圖1.1單晶硅電池結(jié)構(gòu)

圖1.2晶體硅表面光路圖

圖1.3化學(xué)制

圖1.4PERL電池結(jié)構(gòu)[39]

本文編號(hào)：3885242