基于鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)谷/自旋調(diào)控研究
發(fā)布時間:2023-10-08 19:36
二維材料一直以其優(yōu)異的性能和多樣的異質(zhì)堆疊特性備受矚目,隨著時間的推移,各個領(lǐng)域都在微納尺度展開了廣泛地研究。范德瓦爾斯層狀結(jié)構(gòu)為研究二維體系中的光與物質(zhì)相互作用提供了寶貴的平臺,而單層過渡金屬二硫?qū)倩?TMDs2)材料(例如WSe2)能夠?qū)崿F(xiàn)光的旋光性和谷的自由度之間的耦合。最近,長程磁有序在二維單層Cr2Ge2Te6和CrI3中被發(fā)現(xiàn),為研究原子級厚度的磁光現(xiàn)象提供了一個新的平臺。CrI3是其中最具有代表性的材料之一,其居里溫度(Tc)約為61 K,且其鐵磁性表現(xiàn)出很強的層數(shù)依賴性,奇數(shù)層表現(xiàn)為鐵磁性(FM),偶數(shù)層則表現(xiàn)為反鐵磁性(AFM)。CrI3在0.1 T左右外磁場下即可達到其飽和磁化強度。在與TMDs二維材料組成的范德華異質(zhì)結(jié)中,利用磁近鄰效應(yīng),可以實現(xiàn)對TMDs自旋和谷極化的操控,這一特性對自旋電子學和谷電子學具有重要意義。本文針對CrI3和WSe2構(gòu)...
【文章頁數(shù)】:55 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 二維材料的發(fā)展
1.3 鐵磁二維材料的結(jié)構(gòu)和性能
1.4 鐵磁二維材料的研究與應(yīng)用
1.4.1 鐵磁二維材料物理光學特性研究和應(yīng)用
1.4.2 鐵磁二維材料電學特性研究和應(yīng)用
1.4.3 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的研究
1.5 選題依據(jù)與研究內(nèi)容
第二章 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的制備和表征方法
2.1 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的制備方法
2.1.1 機械剝離法制備少層鐵磁二維材料
2.1.2 二維平臺轉(zhuǎn)移系統(tǒng)構(gòu)建異質(zhì)結(jié)
2.2 樣品表征和分析方法
2.2.1 磁光電一體拉曼共聚焦成像系統(tǒng)
2.2.2 光學顯微鏡
2.3 本章小結(jié)
第三章 基于CrI3與WSe2異質(zhì)結(jié)的自旋/谷調(diào)控
3.1 實驗條件
3.2 機械剝離法制備少層CrI3與單層WSe2材料
3.3 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)的構(gòu)建
3.4 CrI3和WSe2光學特性研究
3.5 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)在磁近鄰下的光學特性研究
3.6 基于CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)的自旋和谷極化的調(diào)控
3.7 本章小結(jié)
第四章 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)磁阻的研究
4.1 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)磁阻的研究
4.1.1 實驗條件
4.1.2 電學器件的制備以及材料的轉(zhuǎn)移
4.1.3 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)磁阻測試與分析
4.2 CrI3-graphene異質(zhì)結(jié)磁阻的研究
4.2.1 電學器件的制備以及材料的轉(zhuǎn)移
4.2.2 CrI3-graphene異質(zhì)結(jié)磁阻測試與分析
4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 總結(jié)
5.2 展望
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的成果
本文編號:3852657
【文章頁數(shù)】:55 頁
【學位級別】:碩士
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摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 二維材料的發(fā)展
1.3 鐵磁二維材料的結(jié)構(gòu)和性能
1.4 鐵磁二維材料的研究與應(yīng)用
1.4.1 鐵磁二維材料物理光學特性研究和應(yīng)用
1.4.2 鐵磁二維材料電學特性研究和應(yīng)用
1.4.3 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的研究
1.5 選題依據(jù)與研究內(nèi)容
第二章 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的制備和表征方法
2.1 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的制備方法
2.1.1 機械剝離法制備少層鐵磁二維材料
2.1.2 二維平臺轉(zhuǎn)移系統(tǒng)構(gòu)建異質(zhì)結(jié)
2.2 樣品表征和分析方法
2.2.1 磁光電一體拉曼共聚焦成像系統(tǒng)
2.2.2 光學顯微鏡
2.3 本章小結(jié)
第三章 基于CrI3與WSe2異質(zhì)結(jié)的自旋/谷調(diào)控
3.1 實驗條件
3.2 機械剝離法制備少層CrI3與單層WSe2材料
3.3 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)的構(gòu)建
3.4 CrI3和WSe2光學特性研究
3.5 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)在磁近鄰下的光學特性研究
3.6 基于CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)的自旋和谷極化的調(diào)控
3.7 本章小結(jié)
第四章 鐵磁二維材料范德華異質(zhì)結(jié)磁阻的研究
4.1 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)磁阻的研究
4.1.1 實驗條件
4.1.2 電學器件的制備以及材料的轉(zhuǎn)移
4.1.3 CrI3-WSe2 異質(zhì)結(jié)磁阻測試與分析
4.2 CrI3-graphene異質(zhì)結(jié)磁阻的研究
4.2.1 電學器件的制備以及材料的轉(zhuǎn)移
4.2.2 CrI3-graphene異質(zhì)結(jié)磁阻測試與分析
4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 總結(jié)
5.2 展望
致謝
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的成果
本文編號:3852657
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