隨著GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge四結(jié)太陽電池的快速發(fā)展,設計并鍍制可與四結(jié)太陽電池更加匹配的光學減反膜系變得尤為重要。實驗中通過TFCale軟件理論模擬了3對TiO₂/SiO₂(6層)減反膜系,其中理論模擬膜系與實際鍍制膜系反射率曲線重合性良好。實際制備并討論了離子源功率、薄膜物理厚度等參數(shù)對減反膜系反射率的影響。發(fā)現(xiàn)得到優(yōu)異反射率的關(guān)鍵在于對第二層SiO₂薄膜物理厚度的控制,尤其是在400¹ 000 nm波段內(nèi)。實驗中制備的3對TiO₂/SiO₂(6層)減反膜系在280¹ 400 nm波段內(nèi)其反射率均小于10%,特別是在影響四結(jié)太陽電池限流結(jié)的Ga In As/Ga In NAs兩結(jié)波段(670⁹00 nm/900¹ 100 nm)內(nèi),其反射率均在5%以下。

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