介電電容器與其它電容器相比具有損耗低、工作電壓高、放電速度快等優(yōu)點。目前市面上的電容器,陶瓷電容器擊穿電壓低且損耗高,聚合物電容器的電位移很小,無法達到很高的儲能密度。這主要是由于材料的介電常數(shù)和擊穿強度是對立關(guān)系,即介電常數(shù)越高,材料的擊穿電壓會急劇下降。研究發(fā)現(xiàn),往聚合物材料中添加其他無機粒子如陶瓷粒子,形成復合材料可以有效提高其電位移值,但是直接添加同樣會使其電壓擊穿強度大大降低,無法達到人們預期的效果。如何在提高材料的電位移的同時保持較高的電壓擊穿強度是本文研究的重點。本文制備了PVDF基/二維無機粒子共聚形成的復合材料,測試復合材料的介電儲能性能,研究填料的結(jié)構(gòu)、添加量對材料性能的影響關(guān)系。主要研究內(nèi)容如下:1、在聚合物中添加經(jīng)過鹽酸多巴胺表面改性的片狀鈦酸鉍粉體制備成PVDF/P-Bi₄Ti₃O₁₂復合材料,同時設置聚合物中添加經(jīng)過鹽酸多巴胺表面改性處理的顆粒狀鈦酸鉍制備而成的PVDF/G-Bi₄Ti₃O₁₂復合材料作為比較組,測試分析兩組復合...

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 研究背景和意義
    1.2 復合材料的研究現(xiàn)狀
    1.3 研究內(nèi)容及目標
第2章 材料制備與測試
    2.1 材料制備
        2.1.1 片狀無機粒子的表面改性處理
        2.1.2 二硫化鉬@氮化硼混合液制備
        2.1.3 復合材料制備
    2.2 結(jié)構(gòu)表征測試
        2.2.1 掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)
        2.2.2 X射線衍射(XRD)
        2.2.3 差示掃描量熱法(DSC分析法)
        2.2.4 X射線光電子能譜分析(XPS)
        2.2.5 傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜分析(FTIR)
    2.3 復合材料的電性能測試
        2.3.1 介電性能測試
        2.3.2 擊穿強度測試
        2.3.3 鐵電性能測試
第3章 添加片狀Bi₄Ti₃O₁₂復合材料的表征與電性能分析
    3.1 引言
    3.2 添加P-Bi₄Ti₃O₁₂ 復合材料的結(jié)構(gòu)表征與分析
        3.2.1 P-Bi₄Ti₃O₁₂ 結(jié)構(gòu)表征與分析
        3.2.2 PVDF/P-Bi₄Ti₃O₁₂ 結(jié)構(gòu)表征與分析
    3.3 添加P-Bi₄Ti₃O₁₂ 復合材料的電性能分析
        3.3.1 PVDF/P-Bi₄Ti₃O₁₂ 的介電性能分析
        3.3.2 PVDF/P-Bi₄Ti₃O₁₂ 的儲能性能分析
        3.3.3 PVDF/P-Bi₄Ti₃O₁₂ 的疲勞測試與分析
    3.4 小結(jié)
第4章 添加片狀SrTiO₃復合材料的表征與電性能分析
    4.1 引言
    4.2 添加片狀SrTiO₃復合材料的結(jié)構(gòu)表征與分析
        4.2.1 SrTiO₃結(jié)構(gòu)表征與分析
        4.2.2 PVDF/SrTiO₃ 結(jié)構(gòu)表征與分析
    4.3 添加SrTiO₃復合材料的電性能分析
        4.3.1 PVDF/SrTiO₃ 的介電性能分析
        4.3.2 PVDF/SrTiO₃ 的儲能性能分析
        4.3.3 PVDF/SrTiO₃ 的疲勞測試與分析
    4.4 小結(jié)
第5章 添加MoS₂@BNNS的復合材料表征與電性能分析
    5.1 引言
    5.2 MoS₂@BNNS及其復合材料的制備與結(jié)構(gòu)表征
        5.2.1 MoS₂@BNNS及其復合材料的制備
        5.2.2 MoS₂@BNNS結(jié)構(gòu)表征
        5.2.3 添加MoS₂@BNNS的復合材料的結(jié)構(gòu)表征
    5.3 添加MoS₂@BNNS的復合材料的電性能分析
        5.3.1 PVDF/MoS₂@BNNS的介電性能分析
        5.3.2 PVDF/MoS₂@BNNS的儲能性能分析
        5.3.3 PVDF/MoS₂@BNNS的疲勞測試與分析
    5.4 小結(jié)
第6章 結(jié)論與展望
致謝
參考文獻
附錄



本文編號：3820699