基于原子層沉積技術(shù)和高深寬比硅微基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),分別選用W、TiN和Al₂O₃作為電極層、緩沖層和介質(zhì)層,實現(xiàn)了兩種三維MIM電容器.采用SEM、XRD、XPS和電學(xué)測試儀等分析手段,重點研究原子層沉積技術(shù)所制備的TiN薄膜特性及其對MIM電容器的影響.結(jié)果表明:無定型TiN薄膜具有良好的化學(xué)計量比和導(dǎo)電特性,其應(yīng)力緩沖作用增加了電容器金屬與介質(zhì)層間的粘附性,且提高電容器容值達8.3%.

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
    1.1 制備工藝
    1.2 測試與表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 容器微觀結(jié)構(gòu)形貌分析
    2.2 TiN薄膜化學(xué)組分分析
    2.3 TiN薄膜晶相分析
    2.4 TiN薄膜電阻率分析
    2.5 MIM電容器容值測試
3 結(jié)論



本文編號：3803329