復(fù)合絕緣子因其輕便、抗振性強、污閃電壓高、經(jīng)濟性良好等優(yōu)點在電力行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。但隨著全球大氣環(huán)境的惡化,其表面積污不斷增多,由復(fù)合絕緣子污閃造成的電力系統(tǒng)事故也時有發(fā)生。絕緣子表面積累污穢后,在一定條件下將會形成干區(qū),干區(qū)閃絡(luò)形成局部電弧,局部電弧橋接為長弧直至貫穿整個絕緣子表面,引起閃絡(luò)發(fā)生,因此對不同污穢條件下沿面電弧形成過程及關(guān)鍵參數(shù)進行研究有重要的工程實際意義。本文基于FZSW-10/4復(fù)合支柱絕緣子展開研究,進行人工污穢試驗,記錄絕緣子發(fā)生污閃的全過程;對比分析不同污穢等級下的鹽密值對絕緣子起暈電壓與閃絡(luò)電壓的影響。試驗結(jié)果表明:絕緣子發(fā)生污閃時最早產(chǎn)生局部電弧的位置是靠近高壓端金具側(cè)的立柱;根據(jù)試驗現(xiàn)象可將污閃放電發(fā)展過程分為局部電弧產(chǎn)生、橋接和沿面閃絡(luò)三個階段;起暈電壓和閃絡(luò)電壓與不同鹽密之間符合冪函數(shù)規(guī)律,且當(dāng)鹽密值大于0.10mg/cm²時,其對起暈、閃絡(luò)電壓的影響效果明顯減弱�；趭W本斯諾污閃放電基礎(chǔ)模型和氣體動力學(xué)(MHD)理論,建立復(fù)合絕緣子污閃電弧動態(tài)發(fā)展模型,根據(jù)人工污穢試驗條件確定仿真參數(shù),采用COMSOL多物理場耦合模塊進行數(shù)值...

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題研究背景及意義
        1.1.1 課題研究背景
        1.1.2 課題研究目的及意義
    1.2 絕緣子產(chǎn)品國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
    1.3 絕緣子污閃研究國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
        1.3.1 絕緣子污閃試驗研究
        1.3.2 絕緣子污閃仿真研究
    1.4 本文研究的主要內(nèi)容
第2章 絕緣子污閃機理及模型建立
    2.1 絕緣子污閃機理和發(fā)展過程
        2.1.1 絕緣子污閃機理
        2.1.2 絕緣子污閃發(fā)展過程
    2.2 絕緣子污閃奧本斯諾模型
    2.3 絕緣子污閃放電干區(qū)數(shù)學(xué)模型及邊界條件設(shè)定
        2.3.1 數(shù)學(xué)方程
        2.3.2 邊界條件
    2.4 本章小結(jié)
第3章 絕緣子人工污穢試驗
    3.1 試品
    3.2 試驗原理及試驗設(shè)備參數(shù)
        3.2.1 試驗原理
        3.2.2 試驗設(shè)備參數(shù)
    3.3 試驗準(zhǔn)備與試驗步驟
        3.3.1 試驗準(zhǔn)備工作
        3.3.2 試驗步驟
    3.4 污閃電弧發(fā)展過程及結(jié)果分析
        3.4.1 污閃電弧發(fā)展過程
        3.4.2 試驗結(jié)果分析
    3.5 本章小結(jié)
第4章 絕緣子污閃動態(tài)發(fā)展過程的仿真分析
    4.1 復(fù)合絕緣子仿真模型的建立
        4.1.1 仿真模型
        4.1.2 仿真參數(shù)
    4.2 仿真結(jié)果分析
        4.2.1 污閃電弧動態(tài)發(fā)展過程中溫度場分布
        4.2.2 污閃電弧動態(tài)發(fā)展過程中電場分布
        4.2.3 污閃電弧動態(tài)發(fā)展過程中電流密度分布
    4.3 本章小結(jié)
第5章 絕緣子污閃動態(tài)發(fā)展過程影響因素研究
    5.1 污穢電導(dǎo)率對絕緣子閃絡(luò)的影響
    5.2 干區(qū)個數(shù)對絕緣子閃絡(luò)的影響
    5.3 大氣壓強對絕緣子閃絡(luò)的影響
    5.4 本章小結(jié)
第6章 結(jié)論與展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻
在學(xué)研究成果
致謝



本文編號：3786142