EP和CNTs改性P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的力學(xué)以及介電性能研究
發(fā)布時(shí)間:2023-02-20 21:25
隨著電子工業(yè)的發(fā)展,人們對(duì)電容器介電材料的要求也越來(lái)越高,具有高的介電常數(shù)、低的介電損耗和高的擊穿強(qiáng)度的電介質(zhì)材料日益成為人們研究的目標(biāo)。本文采用溶液澆鑄法制備了一系列EP/P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜。通過(guò)調(diào)整EP的固化條件,提高了復(fù)合薄膜的拉伸強(qiáng)度。結(jié)果表明,EP以微粒的形式均勻分散在基體中,在EP含量較高時(shí),EP微粒與P(VDF-HFP)在一起形成局部富集區(qū)域。偏振光顯微鏡觀察到了在富集區(qū)域外圍P(VDF-HFP)晶粒形成特殊的附生結(jié)晶。紅外光譜和X射線衍射分析表明,EP的加入使P(VDF-HFP)部分非極性α相轉(zhuǎn)化為弱極性γ相。隨著EP的加入,復(fù)合薄膜的介電常數(shù)略有下降,擊穿強(qiáng)度顯著提高。EP的加入使復(fù)合膜的的電滯回線趨于線性,能量損失大大降低,放電效率顯著提高。在氫氧化鉀作為催化劑的條件下,使EP的環(huán)氧基和CNTs的羧基進(jìn)行開(kāi)環(huán)反應(yīng),制備了EP包覆CNTs的雜化物,TEM下觀察到CNTs表面有一層殼體,FTIR和TG中都證明了EP的存在,說(shuō)明了EP成功接枝到CNTs的表面。采用溶液法制備了EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)納米復(fù)合薄膜,SEM觀察到納米粒子均勻分散在基體中...
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 研究背景
1.2 聚合物介電材料的機(jī)理及表征
1.2.1 介電常數(shù)
1.2.2 介電損耗
1.2.3 擊穿強(qiáng)度
1.2.4 儲(chǔ)能密度
1.3 聚偏氟乙烯
1.4 環(huán)氧樹(shù)脂
1.5 碳納米管
1.6 聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜的研究綜述
1.7 本文主要研究?jī)?nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)材料及測(cè)試方法
2.1 實(shí)驗(yàn)材料
2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.3 測(cè)試與表征
第3章 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電和力學(xué)性能
3.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的制備
3.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的力學(xué)性能和形態(tài)結(jié)構(gòu)
3.2.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的力學(xué)性能分析
3.2.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的形態(tài)結(jié)構(gòu)分析
3.3 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和熱分析
3.3.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的FTIR分析
3.3.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的XRD分析
3.3.3 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的DSC和 TG分析
3.4 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電性能
3.4.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電常數(shù)和介電損耗分析
3.4.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的擊穿強(qiáng)度分析
3.4.3 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電儲(chǔ)能分析
3.5 本章小結(jié)
第4章 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的介電性能
4.1 實(shí)驗(yàn)部分
4.1.1 EP包覆CNTs(EP-CNTs)納米粒子的制備
4.1.2 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的制備
4.2 EP包覆CNTs的結(jié)構(gòu)分析
4.2.1 EP包覆CNTs的 FTIR分析
4.2.2 EP包覆CNTs的 TG分析
4.2.3 EP包覆CNTs的透射電鏡分析(TEM)
4.3 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)和熱分析
4.3.1 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的FTIR分析
4.3.2 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的XRD分析
4.3.3 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的DSC和 TG分析
4.3.4 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的SEM分析
4.4 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的介電性能分析
4.4.1 介電常數(shù)和介電損耗分析
4.4.2 擊穿強(qiáng)度分析
4.5 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間承擔(dān)的科研任務(wù)與主要成果
致謝
本文編號(hào):3747342
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 研究背景
1.2 聚合物介電材料的機(jī)理及表征
1.2.1 介電常數(shù)
1.2.2 介電損耗
1.2.3 擊穿強(qiáng)度
1.2.4 儲(chǔ)能密度
1.3 聚偏氟乙烯
1.4 環(huán)氧樹(shù)脂
1.5 碳納米管
1.6 聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜的研究綜述
1.7 本文主要研究?jī)?nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)材料及測(cè)試方法
2.1 實(shí)驗(yàn)材料
2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
2.3 測(cè)試與表征
第3章 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電和力學(xué)性能
3.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的制備
3.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的力學(xué)性能和形態(tài)結(jié)構(gòu)
3.2.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的力學(xué)性能分析
3.2.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的形態(tài)結(jié)構(gòu)分析
3.3 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和熱分析
3.3.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的FTIR分析
3.3.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的XRD分析
3.3.3 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的DSC和 TG分析
3.4 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電性能
3.4.1 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電常數(shù)和介電損耗分析
3.4.2 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的擊穿強(qiáng)度分析
3.4.3 P(VDF-HFP)/EP復(fù)合薄膜的介電儲(chǔ)能分析
3.5 本章小結(jié)
第4章 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的介電性能
4.1 實(shí)驗(yàn)部分
4.1.1 EP包覆CNTs(EP-CNTs)納米粒子的制備
4.1.2 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的制備
4.2 EP包覆CNTs的結(jié)構(gòu)分析
4.2.1 EP包覆CNTs的 FTIR分析
4.2.2 EP包覆CNTs的 TG分析
4.2.3 EP包覆CNTs的透射電鏡分析(TEM)
4.3 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)和熱分析
4.3.1 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的FTIR分析
4.3.2 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的XRD分析
4.3.3 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的DSC和 TG分析
4.3.4 EP包覆CNTs的P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的SEM分析
4.4 EP包覆CNTs的 P(VDF-HFP)復(fù)合薄膜的介電性能分析
4.4.1 介電常數(shù)和介電損耗分析
4.4.2 擊穿強(qiáng)度分析
4.5 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間承擔(dān)的科研任務(wù)與主要成果
致謝
本文編號(hào):3747342
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