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Er 3+ /Ho 3+ /Yb 3+ 摻雜PSN-PMN-PT晶體的生長與表征

發(fā)布時(shí)間:2022-01-06 01:14
  Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTi O3[PSN-PMN-PT]鐵電單晶具有優(yōu)異的鐵電、壓電、熱釋電及電致應(yīng)變特性,近年來受到科研人員的極大關(guān)注。然而弱的光學(xué)性能極大限制了晶體在彩色顯示器、光學(xué)數(shù)據(jù)存儲器、短波長激光器等光學(xué)元器件和光-電耦合器件中的應(yīng)用。本文引入稀土離子Er3+、Ho3+和Yb3+,利用晶體場作用下稀土離子的發(fā)光來使晶體獲得一定的光學(xué)性能,同時(shí)研究稀土離子對晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響,以及分析晶體生長過程中可能存在的生長機(jī)制。首先,采用高溫溶液法成功生長了純PSN-PMN-PT和稀土離子(Er3+、Ho3+、Er3+/Yb3+和Ho3+/Yb3+)摻雜的PSN-PMN-PT晶體。XR... 

【文章來源】:西安工業(yè)大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】:81 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

Er 3+ /Ho 3+ /Yb 3+ 摻雜PSN-PMN-PT晶體的生長與表征


鐵電體的電滯回線

曲線,弛豫鐵電體,鐵電體


T/℃T/℃圖 1.2 弛豫鐵電體 PMN-PT 和普通鐵電體 BaTiO3的介電特性曲線[6]基弛豫鐵電晶體結(jié)構(gòu)和性能眾多的壓電材料體系中,目前獲得壓電性能最優(yōu)的為具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的一類鈦礦結(jié)構(gòu)的命名來源于一種天然的 CaTiO3礦物,結(jié)構(gòu)通式為 ABO3或 A(B1B鈣鈦礦結(jié)構(gòu)為立方晶系,空間群為 Oh1-Pm3m。圖 1.3 為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)單元示意點(diǎn)代表一個(gè)離子,半徑較小的 B 離子位于立方體的中心,O 離子位于立方體上,占據(jù) 8 個(gè)頂角的則為半徑較大的 A 離子。B 離子與 O 離子共同構(gòu)成了正氧八面體之間通過頂角相連,構(gòu)成了鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的基本骨架,A 離子則處在之間的空隙中。正氧八面體存在 3 個(gè)四重軸、4 個(gè)三重軸和 6 個(gè)二重軸。此類化方向也是沿這三個(gè)方向之一。

鈣鈦礦型結(jié)構(gòu),離子,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)


T/℃T/℃圖 1.2 弛豫鐵電體 PMN-PT 和普通鐵電體 BaTiO3的介電特性曲線[6]鉛基弛豫鐵電晶體結(jié)構(gòu)和性能眾多的壓電材料體系中,目前獲得壓電性能最優(yōu)的為具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的一類壓鈦礦結(jié)構(gòu)的命名來源于一種天然的 CaTiO3礦物,結(jié)構(gòu)通式為 ABO3或 A(B1B2)O鈣鈦礦結(jié)構(gòu)為立方晶系,空間群為 Oh1-Pm3m。圖 1.3 為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)單元示意圖點(diǎn)代表一個(gè)離子,半徑較小的 B 離子位于立方體的中心,O 離子位于立方體的上,占據(jù) 8 個(gè)頂角的則為半徑較大的 A 離子。B 離子與 O 離子共同構(gòu)成了正氧正氧八面體之間通過頂角相連,構(gòu)成了鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的基本骨架,A 離子則處在各之間的空隙中。正氧八面體存在 3 個(gè)四重軸、4 個(gè)三重軸和 6 個(gè)二重軸。此類材化方向也是沿這三個(gè)方向之一。

【參考文獻(xiàn)】:
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碩士論文
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[2]偽三元弛豫鐵電晶體的生長、組織與性能[D]. 胡萬輝.西安工業(yè)大學(xué) 2014
[3]PSN-PMN-PT鐵電晶體的生長、結(jié)構(gòu)與性能[D]. 田瑞英.西安工業(yè)大學(xué) 2013
[4]弛豫鐵電單晶的生長及其相結(jié)構(gòu)研究[D]. 唐斌.西北工業(yè)大學(xué) 2002



本文編號:3571420

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