XLPE/OMMT納米復合材料電導和擊穿性能
發(fā)布時間:2021-12-24 22:14
為了研究納米蒙脫土的分散效果對復合材料電導和擊穿性能的影響,采用熔融共混的方法分別制備了無相容劑和以EEA、EVA為相容劑的3種聚合物/蒙脫土納米復合材料,研究了有機化蒙脫土(organic montmorillonite,OMMT)在聚合物中的層間距變化,對復合材料進行了直流電導–溫度和交流擊穿場強測試。結果表明:有機化OMMT的分散效果取決于相容劑的極性和有機插層劑的匹配效果;納米復合材料的體積電導率隨溫度的升高而增大,其數(shù)值大小與不同表面插層劑的插層效率有關;OMMT的加入,改變了聚合物的內(nèi)部結構,擊穿數(shù)據(jù)分散性明顯減小,插層分散的均勻性產(chǎn)生的界面狀態(tài)是影響納米復合材料擊穿場強的主要因素。
【文章來源】:高電壓技術. 2017,43(09)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
納米復合試樣的脆斷面SEM圖
李秀峰,彭云舜,咸日常,等:XLPE/OMMT納米復合材料電導和擊穿性能2855圖3XLPE與納米復合材料工頻擊穿場強Weibull分布圖Fig.3WeibulldistributionofthebreakdownfieldinXLPEandnanocomposites的XLPE/EVA/OMMT1平均擊穿場強提高了11.6%。在相同相容劑體系下,根據(jù)不同有機插層劑處理的OMMT的尺寸參數(shù)E0和形狀參數(shù)β數(shù)據(jù)顯示,相同OMMT添加量時,添加OMMT1的復合材料,擊穿場強高于添加OMMT2的復合材料,數(shù)據(jù)分散性小于添加OMMT2的復合材料。說明擊穿場強的提高與數(shù)據(jù)分散性的減孝OMMT的插層效率有關,也就是聚合物與OMMT片層的界面區(qū)域特性有關。3結論1)有機插層劑、相容劑對納米顆粒在基體樹脂中的熔融分散作用取決于有機插層劑與相容劑的極性匹配效果。OMMT1中的有機插層劑與聚乙烯分子極性匹配,使聚乙烯分子能部分插入OMMT1片層間,易形成插層型納米復合結構體系。相容劑EVA對聚乙烯鏈插入OMMT1片層有明顯的協(xié)效作
納米復合試樣的脆斷面SEM圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]納米氧化鎂聚丙烯復合絕緣材料的制備及其性能[J]. 江平開,孫小金,黃宇,卜晶,張軍,吳長順. 高電壓技術. 2017(02)
[2]關于工程電介質中幾個經(jīng)常涉及的問題與思考[J]. 雷清泉,李盛濤. 高電壓技術. 2015(08)
[3]直流電纜料工作溫度和擊穿特性的納米改性研究[J]. 陳錚錚,趙健康,歐陽本紅,張東菲,李建英,王詩航. 高電壓技術. 2015(04)
[4]低密度聚乙烯/納米蒙脫土復合材料的水樹枝生長特性[J]. 李劍,俸波,章華中,楊麗君,黃正勇. 高電壓技術. 2012(09)
[5]聚合物納米復合電介質的界面性能研究進展[J]. 羅楊,吳廣寧,彭佳,張依強,徐慧慧,王鵬. 高電壓技術. 2012(09)
[6]高介電常數(shù)的聚合物基納米復合電介質材料[J]. 黨智敏,王海燕,彭勃,雷清泉. 中國電機工程學報. 2006(15)
本文編號:3551290
【文章來源】:高電壓技術. 2017,43(09)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
納米復合試樣的脆斷面SEM圖
李秀峰,彭云舜,咸日常,等:XLPE/OMMT納米復合材料電導和擊穿性能2855圖3XLPE與納米復合材料工頻擊穿場強Weibull分布圖Fig.3WeibulldistributionofthebreakdownfieldinXLPEandnanocomposites的XLPE/EVA/OMMT1平均擊穿場強提高了11.6%。在相同相容劑體系下,根據(jù)不同有機插層劑處理的OMMT的尺寸參數(shù)E0和形狀參數(shù)β數(shù)據(jù)顯示,相同OMMT添加量時,添加OMMT1的復合材料,擊穿場強高于添加OMMT2的復合材料,數(shù)據(jù)分散性小于添加OMMT2的復合材料。說明擊穿場強的提高與數(shù)據(jù)分散性的減孝OMMT的插層效率有關,也就是聚合物與OMMT片層的界面區(qū)域特性有關。3結論1)有機插層劑、相容劑對納米顆粒在基體樹脂中的熔融分散作用取決于有機插層劑與相容劑的極性匹配效果。OMMT1中的有機插層劑與聚乙烯分子極性匹配,使聚乙烯分子能部分插入OMMT1片層間,易形成插層型納米復合結構體系。相容劑EVA對聚乙烯鏈插入OMMT1片層有明顯的協(xié)效作
納米復合試樣的脆斷面SEM圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]納米氧化鎂聚丙烯復合絕緣材料的制備及其性能[J]. 江平開,孫小金,黃宇,卜晶,張軍,吳長順. 高電壓技術. 2017(02)
[2]關于工程電介質中幾個經(jīng)常涉及的問題與思考[J]. 雷清泉,李盛濤. 高電壓技術. 2015(08)
[3]直流電纜料工作溫度和擊穿特性的納米改性研究[J]. 陳錚錚,趙健康,歐陽本紅,張東菲,李建英,王詩航. 高電壓技術. 2015(04)
[4]低密度聚乙烯/納米蒙脫土復合材料的水樹枝生長特性[J]. 李劍,俸波,章華中,楊麗君,黃正勇. 高電壓技術. 2012(09)
[5]聚合物納米復合電介質的界面性能研究進展[J]. 羅楊,吳廣寧,彭佳,張依強,徐慧慧,王鵬. 高電壓技術. 2012(09)
[6]高介電常數(shù)的聚合物基納米復合電介質材料[J]. 黨智敏,王海燕,彭勃,雷清泉. 中國電機工程學報. 2006(15)
本文編號:3551290
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