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基于GD32芯片的SiC功率器件的高速永磁電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)研究

發(fā)布時間:2021-12-23 08:13
  高速永磁電機(jī)(high speed permanent magnet motor,HSPMM)具有效率高、功率密度高和動態(tài)響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),在高速加工中心、分子泵和飛輪儲能等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。但高速電機(jī)的驅(qū)動與傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動有所不同,要達(dá)到高速的要求,驅(qū)動系統(tǒng)中的功率器件開關(guān)頻率要足夠高。由于2018年中興事件給了國人太大的刺激,因此本文采用了擁有較高開關(guān)頻率的SiC MOSFET作為驅(qū)動系統(tǒng)的功率器件,并且使用了高性能國產(chǎn)芯片GD32F303作為驅(qū)動芯片來構(gòu)造HSPMM驅(qū)動系統(tǒng),嘗試建立基于中國芯的高速永磁電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)。首先介紹了當(dāng)前Si C功率器件和SiC驅(qū)動電路的研究現(xiàn)狀,以及高速永磁電機(jī)的分類與發(fā)展。介紹了永磁同步電機(jī)的結(jié)構(gòu)以及在各個坐標(biāo)系下的PMSM數(shù)學(xué)模型,然后簡單介紹了永磁同步電機(jī)的控制策略以及永磁同步電機(jī)的驅(qū)動控制系統(tǒng)。然后具體介紹了基于SiC高速永磁電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)平臺的硬件電路以及軟件的設(shè)計。在硬件電路的設(shè)計中,闡述了GD32F303硬件結(jié)構(gòu)與原理并凸顯出了其主控優(yōu)勢,詳細(xì)闡述了電源、驅(qū)動電路、保護(hù)電路、位置信號檢測電路等硬件電路的設(shè)計。在軟件設(shè)計當(dāng)中,利用軟件設(shè)計... 

【文章來源】:上海電機(jī)學(xué)院上海市

【文章頁數(shù)】:90 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

基于GD32芯片的SiC功率器件的高速永磁電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)研究


表面式永磁同步電機(jī)

同步電機(jī)


上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文-11-第二章永磁同步電機(jī)數(shù)學(xué)模型、控制策略及驅(qū)動控制系統(tǒng)2.1PMSM數(shù)學(xué)模型永磁同步電機(jī)主要是由定子以及轉(zhuǎn)子兩大部分組成的。根據(jù)永磁體在轉(zhuǎn)子上安裝的位置不一樣,可將PMSM表面式和內(nèi)埋式永磁同步電機(jī)。當(dāng)永磁體位于電機(jī)的鐵心內(nèi)部時,如圖2-1所示,這兩種結(jié)構(gòu)的電機(jī)屬于表面式永磁同步電機(jī),如圖2-2所示為隱極式永磁同步電機(jī),其永磁材料位于轉(zhuǎn)子內(nèi)部,具有非常不同的結(jié)構(gòu)。a)表貼式b)內(nèi)插式a)Tablestickerb)Interpolation圖2-1表面式永磁同步電機(jī)Fig.2-1Surfacepermanentmagnetsynchronousmotor圖2-2內(nèi)埋式永磁同步電機(jī)Fig.2-2Buriedpermanentmagnetsynchronousmotor

示意圖,坐標(biāo)變換,示意圖,旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系


上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文-15-PMSM在兩相靜止坐標(biāo)系下的電磁轉(zhuǎn)矩可表達(dá)為式(2-7):e3()2pssssTnii(2-7)式中,eT為電機(jī)電磁轉(zhuǎn)矩,pn為電機(jī)極對數(shù)。2.1.3兩相轉(zhuǎn)子同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下數(shù)學(xué)模型在經(jīng)過Clark變換后,永磁同步電機(jī)的數(shù)學(xué)模型中的電壓方程仍為交流量,控制仍然較為復(fù)雜。在這種情況下,我們可以將兩相靜止繞組代換為兩相旋轉(zhuǎn)繞組,使得交流量變成直流。當(dāng)兩相靜止坐標(biāo)系變換為兩相同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系DQ時,稱之為Park變換,如圖2-4所示圖2-42s/2rT坐標(biāo)變換示意圖Fig.2-42s/2rTcoordinatetransformationschematicdiagram根據(jù)圖2-4所表示的兩個坐標(biāo)系之間的關(guān)系,坐標(biāo)變換關(guān)系可由式(2-8)表示:2/2dsrqxxTxx(2-8)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]稀土永磁電機(jī)的應(yīng)用現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢[J]. 楊朋.  中國設(shè)備工程. 2019(01)
[2]“貿(mào)易戰(zhàn)”加速中國芯在夾縫中崛起[J]. 驚鴻.  互聯(lián)網(wǎng)周刊. 2018(08)
[3]大功率SiC-MOSFET模塊驅(qū)動技術(shù)研究[J]. 周帥,張小勇,饒沛南,張慶,施洪亮.  機(jī)車電傳動. 2018(02)
[4]基于全局非奇異快速終端滑模結(jié)構(gòu)作用下的永磁同步電機(jī)的研究[J]. 王磊,張振國,沈素素.  電子測量技術(shù). 2018(03)
[5]一種基于BJT的耐200℃高溫碳化硅MOSFET驅(qū)動電路[J]. 金淼鑫,高強(qiáng),徐殿國.  電工技術(shù)學(xué)報. 2018(06)
[6]基于Super-twisting滑模永磁同步電機(jī)驅(qū)動的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩控制[J]. 萬東靈,趙朝會,王飛宇,孫強(qiáng).  電機(jī)與控制應(yīng)用. 2017(10)
[7]SiC電力電子器件研究現(xiàn)狀及新進(jìn)展[J]. 劉佳佳,劉英坤,譚永亮.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(10)
[8]寄生電感對碳化硅MOSFET開關(guān)特性的影響[J]. 柯俊吉,趙志斌,魏昌俊,徐鵬,謝宗奎,楊霏.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(03)
[9]SiC MOSFET和Si IGBT的結(jié)溫特性及結(jié)溫監(jiān)測方法研究[J]. 寧圃奇,李磊,溫旭輝,張棟.  大功率變流技術(shù). 2016(05)
[10]SiC MOSFET開關(guān)特性及驅(qū)動電路的設(shè)計[J]. 劉仿,肖嵐.  電力電子技術(shù). 2016(06)

博士論文
[1]高速永磁電機(jī)綜合設(shè)計方法的研究[D]. 董劍寧.東南大學(xué) 2015
[2]高速永磁同步電動機(jī)控制技術(shù)研究[D]. 崔紅.沈陽工業(yè)大學(xué) 2012

碩士論文
[1]永磁同步電機(jī)直接轉(zhuǎn)矩?zé)o傳感器控制的研究[D]. 閆庚龍.太原科技大學(xué) 2018
[2]10kV/200A大功率碳化硅MOSFET混合模塊設(shè)計[D]. 肖強(qiáng).浙江大學(xué) 2016
[3]碳化硅功率器件在永磁同步電機(jī)驅(qū)動器中的應(yīng)用研究[D]. 聶新.南京航空航天大學(xué) 2015
[4]驅(qū)控一體化多軸運(yùn)動控制器的研究[D]. 劉博峰.上海交通大學(xué) 2015
[5]永磁電機(jī)的設(shè)計與分析[D]. 王瑋.南京理工大學(xué) 2014
[6]高速永磁無刷電機(jī)設(shè)計與控制系統(tǒng)研究[D]. 薛劭申.北京交通大學(xué) 2011
[7]基于模糊滑?刂频挠来烹姍C(jī)直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng)的研究[D]. 孫學(xué)方.東北大學(xué) 2010
[8]碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體薄膜的異質(zhì)外延生長技術(shù)及其結(jié)構(gòu)性質(zhì)分析[D]. 張永華.西安電子科技大學(xué) 2002



本文編號:3548122

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