硅和聚3,4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸（Si/PEDOT:TSS）組成的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池因其聚合物制備過(guò)程簡(jiǎn)單、器件性能良好以及成本低廉等優(yōu)點(diǎn),成為一種優(yōu)良的光伏電池的制備技術(shù)。其陷光性結(jié)構(gòu)優(yōu)化、復(fù)合界面改性與器件結(jié)構(gòu)改造對(duì)提高電池器件效率具有重要意義并成為太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中的研究熱點(diǎn)。本文采用MACE法、水熱法、化學(xué)腐蝕等多種方法制備樣品,采用SEM、UV-Vis、少子壽命測(cè)試、太陽(yáng)能電池測(cè)試系統(tǒng)等一系列表征手段對(duì)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能陷光性微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化、復(fù)合界面改性進(jìn)行了具體研究:（1）在不同的蝕刻條件下,研究了不同抗蝕劑對(duì)硅片的保護(hù)作用,證實(shí)了3M9495MP雙面膠帶的有效性。（2）采用復(fù)合MAC與化學(xué)腐蝕法制備了多孔硅金字塔結(jié)構(gòu)硅材料,并研究沉銀時(shí)間、刻蝕時(shí)間和AgNO3濃度等多種因素對(duì)合成過(guò)程的影響。結(jié)果表明沉銀時(shí)間為2min;刻蝕時(shí)間為3min,AgNO3濃度為2.5mM時(shí)制備的樣品形貌性能最佳,實(shí)現(xiàn)提高電池性能的目的。（3）通過(guò)多種化學(xué)物理方法制備了一系列的硅金字塔、納米線、和多孔硅金字塔復(fù)合結(jié)構(gòu)材料,利用一系列表征手段對(duì)比了不同微納結(jié)構(gòu)和有機(jī)復(fù)合層的結(jié)合情況與最終復(fù)合電池的光電轉(zhuǎn)... 

【文章來(lái)源】：云南大學(xué)云南省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：77 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．２?（ａ）桂基混合太陽(yáng)能電池基本結(jié)構(gòu)；（ｂ）能帶示意圖??Ｆｉｇ．?１．２?（ａ）?Ｂａｓｉｃ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｓｉｌｉｃｏｎ－ｂａｓｅｄ?ｈｙｂｒｉｄ?ｓｏｌａｒ?ｃｅｌｌ；?（ｂ）?Ｅｎｅｒｇｙ?ｂａｎｄ?ｄｉａｇｒａｍ??

￣Ｖ?Ａ：：??圖１．３絨面結(jié)構(gòu)對(duì)入射光的減反射及光陷阱原理??Ｆｉｇ．?１．３?Ｔｈｅ?ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ?ｏｆ?ｒｅｄｕｃｉｎｇ?ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ?ａｎｄ?ｌｉｇｈｔ?ｔｒａｐ?ｂｙ?ｆｌａｎｎｅｌｅｔｔｅ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｎ??ｉｎｃｉｄｅｎｔ?ｌｉｇｈｔ??１．３．?２單晶硅表面制絨工藝??晶體硅表面可以通過(guò)一定的紋理化處理有效的增加硅晶片對(duì)入射光的吸收，??從而提高電池對(duì)光的利用率，提高器件的轉(zhuǎn)換效率。??ｂｅ，，??圖１．４第一輪（ａ）和第二輪（ｂ）?ＭａＣＥ過(guò)程后ＳｉＮＰｓ橫截面ＳＥＭ圖??Ｆｉｇ．?１．４?（ａ）?Ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎａｌ?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅｓ?ｏｆ?ＳｉＮＰｓ?ａｆｔｅｒ?ｔｈｅ?ｆｉｒｓｔ?ｒｏｕｎｄ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＭａＣＥ??ｐｒｏｃｅｓｓ?ａｎｄ?（ｂ）?ａｆｔｅｒ?ｔｈｅ?ｓｅｃｏｎｄ?ｒｏｕｎｄ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＭａＣＥ?ｐｒｏｃｅｓｓ．??７??

?云南大學(xué)碩士學(xué)位論文???部分光線在沒(méi)到達(dá)地球表面前就被吸收、散射和反射掉，所以實(shí)際輻射總強(qiáng)度要??比理論強(qiáng)度要弱些，這也就導(dǎo)致了到達(dá)地面的太陽(yáng)光譜與大氣層外光譜之間存在??差異性，ＡＭ?（ＡｉｒＭａｓｓ的簡(jiǎn)寫）通常被我們用來(lái)表示大氣質(zhì)量。在大氣層外太??陽(yáng)的直射光譜為ＡＭＯ，后面的數(shù)值是入射光與地球表面水平面垂線夾角０的余弦??的倒數(shù)，即ｌ／ｃ〇Ｓｅ。ＡＭ１．５Ｇ光譜是包含了直射和漫射在內(nèi)太陽(yáng)能到達(dá)地面總標(biāo)??準(zhǔn)光譜，總功率密度為ｌｋＷ／ｍ２，它也是目前國(guó)際上測(cè)試太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率時(shí)??常用的標(biāo)準(zhǔn)光譜。??２５００?１??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]異質(zhì)結(jié)界面修飾對(duì)TiO2/P3HT雜化太陽(yáng)電池光電性能的增強(qiáng)作用[J]. 裴娟,郝彥忠,呂海軍,孫寶,李英品,王尚鑫.  化學(xué)學(xué)報(bào). 2014(12)
[2]氮化硅薄膜對(duì)晶體硅材料和電池的鈍化效果研究[J]. 龔燦鋒,楊德仁,王曉泉,席珍強(qiáng),汪雷,闕端麟.  太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2005(05)
[3]空間電荷區(qū)和晶界復(fù)合對(duì)多晶太陽(yáng)電池基區(qū)少數(shù)載流子壽命的影響[J]. 陳鳳翔,崔容強(qiáng),孟凡英,趙占霞,古麗那,周之斌.  太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2003(05)



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