聚酰亞胺（polyimide,PI）由于具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,機械性能和電氣絕緣性能,廣泛應(yīng)用于航空航天及電氣電子等領(lǐng)域。近年來,隨著交流變頻調(diào)速電機得到廣泛應(yīng)用,對絕緣材料的耐電暈性能的要求進(jìn)一步提高。因此耐電暈材料的設(shè)計研制已成為材料科學(xué)的研究熱點。本文采用納米SiO₂-Al₂O₃材料摻雜到PI基體中,制備了具有高耐電暈性能的納米電介質(zhì)材料。本文采用溶膠凝膠法與熱液法結(jié)合的方式,制備了納米SiO₂-Al₂O₃分散液,采用原位聚合法將所制備的納米SiO₂-Al₂O₃與PI復(fù)合,并采用流延法和浸膠法制備了PI/納米SiO₂-Al₂O₃單層和多層復(fù)合薄膜。采用X射線衍射、紅外光譜、透射電鏡等方法研究納米粒子及復(fù)合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明,納米SiO₂-Al₂O₃... 

【文章來源】：哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】：129 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

聚合物/層狀硅酸鹽復(fù)合材料的耐電暈機理的多核模型

圖 2-2 PAA/ 納米 SiO2-Al2O3復(fù)合薄膜的制備過程reparation procedure of PAA/ nano-SiO2-Al2O3compSiO2-Al2O3試樣及原料比例如表 2-4。表中 P摻雜量質(zhì)量分?jǐn)?shù)。納米 SiO2-Al2O3分散液中表 2-4 PI/納米 SiO2-Al2O3試樣及原料比例ab. 2-4 Samples of PI/nano-SiO2-Al2O3and the reacta 原料加入量(g)) SiO2-Al2O3ODA PMDA D0 10 10.9 111.0 10 10.9 123.2 10 10.9 136.9 10 10.9 152.3 10 10.9 9備 PI/納米 SiO2-Al2O3復(fù)合薄膜簡單，厚度控制準(zhǔn)確，適宜制備單層復(fù)合薄

圖 2-3 鋪膜機實物圖Fig.2-3 The home made filming machine制備單層薄膜的具體操作過程為：將光滑無痕的玻璃 PAA/納米 SiO2-Al2O3復(fù)合膠液涂于玻璃板上，通過調(diào)節(jié)厚度，打開驅(qū)動電機開關(guān)，刀架將推動鋪膜刀勻厚度均勻的 PAA/納米 SiO2-Al2O3薄膜；然后將玻璃度為 80℃，保持 15min，120℃保持 20min，180℃保 20min，最終亞胺化溫度為 340℃，保持 5min，關(guān)閉膜，即可制得單層 PI/納米 SiO2-Al2O3復(fù)合薄膜。5 為采用流延法制備的 PI/納米 SiO2-Al2O3單層薄膜（為 Sd-p，其中下角標(biāo) d 表示采用納米 SiO2-Al2O3序號膜摻雜量的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。表 2-5 不同組分的聚酰亞胺納米單層復(fù)合薄膜Tab.2-5 List of the prepared single layer PI nano-composite films樣名稱 厚度(μm) 納米粒子摻PI 25±0.5 0S1-1525±0.5 15S25±0.5 15

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
[1]聚酰亞胺/三氧化二鋁復(fù)合薄膜耐電暈性能及機理[D]. 夏旭.哈爾濱理工大學(xué) 2014
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