目前我國(guó)安全級(jí)的核電設(shè)備需完成鑒定試驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證工程樣機(jī)指標(biāo)是否達(dá)到要求,鑒定合格才能對(duì)核電廠進(jìn)行供貨。而電磁兼容試驗(yàn)是鑒定試驗(yàn)中重要的一項(xiàng)。由于目前存在對(duì)設(shè)備電磁兼容設(shè)計(jì)這一環(huán)節(jié)重視不夠的現(xiàn)象,設(shè)備在電磁兼容試驗(yàn)后常需要專(zhuān)門(mén)進(jìn)行整改。且瞬態(tài)抗擾度試驗(yàn)對(duì)問(wèn)題設(shè)備的危害較大,常出現(xiàn)試驗(yàn)時(shí)設(shè)備內(nèi)的元器件被燒毀的情況,增加了對(duì)設(shè)備進(jìn)行抗擾度分析和整改的復(fù)雜度。因此針對(duì)核電廠電子設(shè)備的瞬態(tài)抗擾度分析及整改的全流程進(jìn)行研究具有重要意義。本文主要完成的工作有:首先分析研究了瞬態(tài)干擾源的能量特性及瞬態(tài)干擾的耦合途徑,并從使用及仿真的角度介紹了瞬態(tài)干擾抑制器件的選型及仿真模型,同時(shí)提到了規(guī)范使用瞬態(tài)干擾抑制器件的多級(jí)防護(hù)電路,搭建的電路設(shè)計(jì)及PCB設(shè)計(jì)的要點(diǎn)。然后針對(duì)目前關(guān)于電子設(shè)備瞬態(tài)抗擾度分析和整改措施系統(tǒng)性不強(qiáng)和不夠全面這一現(xiàn)狀,針對(duì)靜電放電（ESD）瞬態(tài)抗擾度試驗(yàn)、電快速瞬變脈沖群（EFT）抗擾度試驗(yàn)、浪涌（SURGE）瞬態(tài)抗擾度試驗(yàn)這三種瞬態(tài)抗擾度試驗(yàn),通過(guò)采用以問(wèn)題為導(dǎo)向的原則,提出了問(wèn)題自查和問(wèn)題定位并重的觀點(diǎn),基于以問(wèn)題為導(dǎo)向的思路,給出了更完備的電子設(shè)備瞬態(tài)抗擾度問(wèn)題整改流程。本文提出的... 

【文章來(lái)源】：南華大學(xué)湖南省

【文章頁(yè)數(shù)】：81 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

壓敏電阻仿真波形

南華大學(xué)碩士學(xué)位論文24完成TVS模型構(gòu)建后，搭建１KV脈沖波形對(duì)TVS的性能進(jìn)行測(cè)試，如下圖2.17所示，仿真波形圖如下圖2.18所示，可以看到TVS對(duì)沖擊電壓有明顯的抑制作用，同時(shí)響應(yīng)極快。R31.1Ω21L610uH12C18uFU18TCLOSE=0121KVR115Ω21R223Ω21U20SMAJ24CA1122VV圖2.17TVS仿真電路圖圖2.18TVS仿真波形圖2.4多級(jí)防護(hù)電路設(shè)計(jì)2.4.1防護(hù)電路設(shè)計(jì)規(guī)范防護(hù)電路是指位于端口處抵抗大電壓/大電流的瞬態(tài)干擾抑制器件的組合，由于各類(lèi)保護(hù)器件的優(yōu)缺點(diǎn)不一致，各類(lèi)型端口要求的效果不同。因此將他們有效組合可獲得最佳的效果。這對(duì)后期完成各端口防護(hù)電路設(shè)計(jì)有指導(dǎo)意義。端口可分為電源端口和信號(hào)端口：1)針對(duì)電源端口，相地之間一般選用氣體放電管和壓敏電阻串聯(lián)電路。相

第4章核電廠某電子設(shè)備瞬態(tài)抗擾度問(wèn)題整改53圖4.13熱電偶共模端口PSPICE仿真圖Time0s0.2us0.4us0.6us0.8us1.0us1.2us1.4us1.6us1.8us2.0usV(TVS1:1)V(GDT1:1)0V40V80V120VTVS仿仿GDT仿仿圖4.14熱電偶共模端口波形圖(1)RS485端口浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)查看RS485端口共�；芈贩雷o(hù)設(shè)計(jì)如圖4.15所示，根據(jù)試驗(yàn)現(xiàn)象液晶屏閃屏、花屏、端口有火花。參考3.3.2防護(hù)器件的常見(jiàn)問(wèn)題分析，發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤如下：防護(hù)護(hù)器件選型錯(cuò)誤。TVS規(guī)格為SMAJ18CA，鉗位電壓為29.2V。但回路中工作電壓為12V，此時(shí)鉗位電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于工作電壓，會(huì)對(duì)后級(jí)電路造成影響，因此需要改進(jìn)。同時(shí)從試驗(yàn)現(xiàn)象來(lái)看，需要增強(qiáng)防護(hù)電路的通流量，因此將TVS換成了TSS，在二級(jí)防護(hù)電路中，TSS的通流容量更大。與TVS不同的是，TSS是電壓開(kāi)關(guān)型器件，將電壓從擊穿電壓下拉至器件維持電壓ＶT。TSS的擊穿電壓一般大于工作電壓的1.2~1.5倍。選用型號(hào)為P0220SAMCLRP，額定擊穿電壓

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]電源浪涌抗擾度測(cè)試及設(shè)計(jì)誤區(qū)分析[J]. 陳孝錫.  電子質(zhì)量. 2019(12)
[2]氣體放電管與半導(dǎo)體放電管配合使用方法的分析[J]. 徐黃飛,張其林,蔡露進(jìn),薛奇,朱若虛,劉超.  電瓷避雷器. 2019(01)
[3]電磁兼容檢測(cè)分析及優(yōu)化整改思路[J]. 蔡林,曾立英,蘇邦偉,唐晗翔.  通信電源技術(shù). 2018(08)
[4]礦用本安型傳感器浪涌仿真及整改思路[J]. 張子良.  煤礦安全. 2018(08)
[5]基于差模共模保護(hù)模式下的交流電源端口浪涌防護(hù)對(duì)比分析[J]. 許斌,湯偉,田宏強(qiáng),忽浩然,王磊.  電瓷避雷器. 2018(02)
[6]電磁兼容檢測(cè)與優(yōu)化研究[J]. 陳雪波.  技術(shù)與市場(chǎng). 2018(04)
[7]不同退耦電阻對(duì)信號(hào)SPD級(jí)間能量配合的影響[J]. 張秦國(guó),曾誠(chéng).  通訊世界. 2017(15)
[8]通信端口的浪涌(沖擊)防護(hù)[J]. 賴(lài)淋香.  電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn). 2016(02)
[9]我國(guó)核電廠安全級(jí)電氣設(shè)備鑒定標(biāo)準(zhǔn)體系簡(jiǎn)析[J]. 焦麗玲,王根生.  核標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量與質(zhì)量. 2016(01)
[10]瞬態(tài)電磁干擾特性對(duì)比及應(yīng)用[J]. 李云.  安全與電磁兼容. 2015(02)

碩士論文
[1]不同快脈沖下脈沖防護(hù)器件響應(yīng)特性與防護(hù)技術(shù)研究[D]. 張小威.西安電子科技大學(xué) 2019
[2]微控制器的ESD/EFT抗擾度測(cè)試與建模研究[D]. 朱偉.湘潭大學(xué) 2016
[3]電子設(shè)備的電磁兼容抗擾度試驗(yàn)（EMC）及其防護(hù)措施的研究[D]. 黃犇.浙江工業(yè)大學(xué) 2015
[4]小尺寸液晶顯示模組抗靜電方法研究[D]. 李蓉.大連理工大學(xué) 2014
[5]核電站儀控設(shè)備鑒定技術(shù)研究[D]. 姚惠欽.華東理工大學(xué) 2013
[6]用于CAN接口的浪涌抑制電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用研究[D]. 余曉東.北京交通大學(xué) 2012
[7]SPD級(jí)間能量配合的研究分析[D]. 柴健.南京信息工程大學(xué) 2012
[8]低壓交流電源系統(tǒng)雷電電涌防護(hù)的研究[D]. 盛財(cái)旺.北京交通大學(xué) 2011
[9]電子設(shè)備EFT測(cè)試與性能分析[D]. 牛海君.電子科技大學(xué) 2010
[10]電涌保護(hù)器的性能與試驗(yàn)方法研究[D]. 盧燕.南京信息工程大學(xué) 2008



本文編號(hào)：3430312