近年來,鹵化鉛基鈣鈦礦單晶材料APbX₃憑其載流子擴散距離長、陷阱態(tài)密度低和光吸收范圍寬等優(yōu)異的光電性能,已經(jīng)成為新型光電材料與與器件的重要研究領域。目前制備鹵化鉛基鈣鈦礦單晶的方法有溶液降溫法（STL）、反溶劑蒸氣結晶法（AVC）、逆溫結晶法（ITC）和熔融結晶法,其中逆溫結晶法合成速度最快,制備過程簡便,但報道的結晶產(chǎn)物不穩(wěn)定。本文優(yōu)化合成中部分參數(shù),以提高結晶效率并制備性能良好的甲胺基溴化鉛（CH₃NH₃PbBr₃）和甲胺基碘化鉛（CH₃NH₃PbI₃）鈣鈦礦單晶材料。論文通過甲胺基鹵化鉛溶解度與溫度的非常規(guī)關系,將甲胺、氫鹵酸、鉛鹽溶于合適的有機溶劑中,利用逆溫結晶法制備出甲胺基鹵化鉛CH₃NH₃PbX₃（X=Br或I）鈣鈦礦單晶材料。輔以現(xiàn)代測試手段對所合成的單晶材料進行了表征。研究結果表明,制備的甲胺基鹵化鉛鈣鈦礦單晶相純度高,其禁帶寬度比相應的多晶薄膜材料... 

【文章來源】：華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

鈣鈦礦分子結構

華 中 科 技 大 學 碩 士 學 位 論 文1.3 鹵化鉛基鈣鈦礦單晶的常用制備方法Weber 在 1978 年就報道了甲胺基碘化鉛鈣鈦礦單晶材料的制備[11]。2013 年，Baikie 等使用溶液降溫方法(STL)生長出甲胺基碘化鉛單晶體[12]；緊接著 2015 年 1月，Shi 等使用反溶劑蒸氣結晶法(AVC)方法制備出了甲胺基碘化鉛鈣鈦礦單晶[9]；同年 6 月 Kadro 等首次報道了逆溫溶解現(xiàn)象，并用此原理制備出了甲胺基碘化鉛鈣鈦礦單晶[13]。從那以后，更多的技術被用于生長甲胺基鹵化鉛鈣鈦礦單晶與全無機鹵化物鈣鈦礦單晶。這些方法可以分為四類，即溶液降溫法、反溶劑蒸氣結晶法(AVC)、逆溫結晶法(ITC)[14]和熔融結晶法。

中 科 技 大 學 碩 士 學 位 論鈣鈦礦材料的應用池發(fā)非對稱結晶(cavitation-triggered asymmetric crys鉛鈣鈦礦單晶薄膜，Bakr[30]團隊首次對鈣鈦礦單晶，使用兩種不同的器件結構： ITO/CH3NH3PH3PbBr3(1μm)/Au，電池結構如圖 1–4 所示。μm)/Au 的簡單單元結構，內(nèi)量子效率(IQE)高達 10采用基于 p–n 結的架構，效率可以提高到 6.5％。


本文編號：3412906