近年來(lái),鹵化鉛基鈣鈦礦單晶材料APbX₃憑其載流子擴(kuò)散距離長(zhǎng)、陷阱態(tài)密度低和光吸收范圍寬等優(yōu)異的光電性能,已經(jīng)成為新型光電材料與與器件的重要研究領(lǐng)域。目前制備鹵化鉛基鈣鈦礦單晶的方法有溶液降溫法（STL）、反溶劑蒸氣結(jié)晶法（AVC）、逆溫結(jié)晶法（ITC）和熔融結(jié)晶法,其中逆溫結(jié)晶法合成速度最快,制備過(guò)程簡(jiǎn)便,但報(bào)道的結(jié)晶產(chǎn)物不穩(wěn)定。本文優(yōu)化合成中部分參數(shù),以提高結(jié)晶效率并制備性能良好的甲胺基溴化鉛（CH₃NH₃PbBr₃）和甲胺基碘化鉛（CH₃NH₃PbI₃）鈣鈦礦單晶材料。論文通過(guò)甲胺基鹵化鉛溶解度與溫度的非常規(guī)關(guān)系,將甲胺、氫鹵酸、鉛鹽溶于合適的有機(jī)溶劑中,利用逆溫結(jié)晶法制備出甲胺基鹵化鉛CH₃NH₃PbX₃（X=Br或I）鈣鈦礦單晶材料。輔以現(xiàn)代測(cè)試手段對(duì)所合成的單晶材料進(jìn)行了表征。研究結(jié)果表明,制備的甲胺基鹵化鉛鈣鈦礦單晶相純度高,其禁帶寬度比相應(yīng)的多晶薄膜材料... 

【文章來(lái)源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：57 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

鈣鈦礦分子結(jié)構(gòu)

華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文1.3 鹵化鉛基鈣鈦礦單晶的常用制備方法Weber 在 1978 年就報(bào)道了甲胺基碘化鉛鈣鈦礦單晶材料的制備[11]。2013 年，Baikie 等使用溶液降溫方法(STL)生長(zhǎng)出甲胺基碘化鉛單晶體[12]；緊接著 2015 年 1月，Shi 等使用反溶劑蒸氣結(jié)晶法(AVC)方法制備出了甲胺基碘化鉛鈣鈦礦單晶[9]；同年 6 月 Kadro 等首次報(bào)道了逆溫溶解現(xiàn)象，并用此原理制備出了甲胺基碘化鉛鈣鈦礦單晶[13]。從那以后，更多的技術(shù)被用于生長(zhǎng)甲胺基鹵化鉛鈣鈦礦單晶與全無(wú)機(jī)鹵化物鈣鈦礦單晶。這些方法可以分為四類，即溶液降溫法、反溶劑蒸氣結(jié)晶法(AVC)、逆溫結(jié)晶法(ITC)[14]和熔融結(jié)晶法。

中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論鈣鈦礦材料的應(yīng)用池發(fā)非對(duì)稱結(jié)晶(cavitation-triggered asymmetric crys鉛鈣鈦礦單晶薄膜，Bakr[30]團(tuán)隊(duì)首次對(duì)鈣鈦礦單晶，使用兩種不同的器件結(jié)構(gòu)： ITO/CH3NH3PH3PbBr3(1μm)/Au，電池結(jié)構(gòu)如圖 1–4 所示。μm)/Au 的簡(jiǎn)單單元結(jié)構(gòu)，內(nèi)量子效率(IQE)高達(dá) 10采用基于 p–n 結(jié)的架構(gòu)，效率可以提高到 6.5％。


本文編號(hào)：3412906