隨著人們對科技的不斷認知,煥然一新的世界進入了“科技信息時代”,在科技日新月異的發(fā)展同時人們不斷將科技推向綠色的能源化、環(huán)�；约暗统杀净�。作為環(huán)�？萍籍a(chǎn)業(yè)的重要組成部分-綠色能源電池在信息科技的發(fā)展中一直起著十分重要的作用。從十九世紀到如今,太陽能電池已經(jīng)發(fā)展到了第三代,其中鈣鈦礦太陽能電池（perovskite solar cells,PSCs）以其性能優(yōu)異、成本低廉、商業(yè)價值巨大從此在現(xiàn)代科技中大放異彩。隨著人們對太陽能電池技術(shù)需求的提高,PSC朝著可彎曲、可折疊的方向不斷發(fā)展。作為PSC應用最廣泛的陽極材料氧化銦錫（indium tin oxide,ITO）由于其原料昂貴、對環(huán)境污染等因素正逐漸被其他機械性能優(yōu)異的陽極材料所替代。目前我們常用來代替ITO的透明柔性導電電極有:納米線、碳納米管、石墨烯和導電聚合物等。其中石墨烯憑借優(yōu)良的導電性、光學性能以及極好的韌性,成為近幾年來備受研究者關(guān)注的材料之一。在電子傳輸層（electron transport layers ETLs）的選擇上為了具備更好的柔韌性,我們常用原子層沉積技術(shù)（atomic layer deposition ... 

【文章來源】：吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖

第1章緒論5圖1.2原子層沉積氧化鋁示意圖1.2.2原子層沉積ZnO作為電子傳輸層ALD不同于其他薄膜沉積方式，研究者在研究中發(fā)現(xiàn)：用ALD沉積技術(shù)得到的薄膜具有良好的致密性、均勻性、保型性以及優(yōu)秀的覆蓋率并且薄膜厚度調(diào)控容易，因此ALD可以生長出高質(zhì)量的氧化物薄膜即論文中的電子傳輸層薄膜。在應用于鈣鈦礦太陽能電池的眾多氧化物電子傳輸層中，ZnO的能級結(jié)構(gòu)使得ZnO與CH3NH3PbI3的能級匹配度良好，有利于電子的分離。同時因為較窄的帶隙，ZnO的電子遷

第1章緒論7圖1.3原子層沉積DEZ和H2O作為前驅(qū)體生長ZnO示意圖1.2.3分子層沉積方式的原理分子層沉積（moleculelayerdeposition，MLD）技術(shù)與ALD沉積技術(shù)的沉積原理類似，因為與ALD沉積技術(shù)的前驅(qū)體有所不同，所以這種沉積技術(shù)叫做分子層沉積。MLD同樣也屬于一種自限制的表面反應薄膜制備方法，同樣具有與ALD沉積技術(shù)相同的沉積優(yōu)勢，MLD與ALD可利用相同的設備進行沉積[12-16]，MLD可利用乙二醇、二胺等作為前驅(qū)體制備一些有機聚合物如：聚酰胺、聚酰亞胺等。該沉積方式用于制備各種有機聚合物薄膜。生長原理如圖所示為舉例MLD沉積Zincone的生長原理，采用DEZ與乙二醇作為前驅(qū)體來制備反應生長周期如圖所示：1、與ALD沉積類似，先將事先做好清洗的襯底放入反應室內(nèi)，抽氣后根據(jù)設定好的脈沖沉積配方通入TMA反應氣體；

【參考文獻】：
期刊論文
[1]高性能ZnO納米塊體材料的制備及其拉曼光譜學特征[J]. 秦秀娟,邵光杰,劉日平,王文魁,姚玉書,孟惠民.  物理學報. 2006(07)



本文編號：3375075