Zn/Li摻雜PZT-PZN-PNN壓電陶瓷的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-03 02:19
采用傳統(tǒng)固相合成法制備了Zn/Li摻雜的0.83Pb(Zr1/2Ti1/2)O3-0.11Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.06Pb(Ni1/3Nb2/3)O3(PZT-PZN-PNN)壓電陶瓷,研究了不同含量的Zn/Li添加量對陶瓷的相結(jié)構(gòu)、顯微組織和電性能的影響。結(jié)果表明,隨著Zn/Li摻雜量的增加,相結(jié)構(gòu)由三方相向四方相轉(zhuǎn)變;介電常數(shù)εr、壓電常數(shù)d33和機(jī)電耦合系數(shù)kp均先增大后減小,而介電損耗tanδ和機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm呈先減小后增大的趨勢;當(dāng)添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(Zn/Li)=1%時(shí),該壓電陶瓷的綜合性能最佳,即d33=513pC/N,kp=0....
【文章來源】:壓電與聲光. 2017,39(06)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
圖3PZNNT-ZL壓電陶瓷斷面的SEM照片
大后減小的趨勢。當(dāng)w(ZL)=1%時(shí),εr=1694,且此時(shí)極化后的數(shù)值大于極化前,這是由于PZNNT-ZL陶瓷晶體結(jié)構(gòu)由四方相轉(zhuǎn)變?yōu)槿较,此處為兩相共存區(qū),且以三方相為主,兩相共存區(qū)有14個(gè)可能極化的方向[13-14],有利于電疇的取向,因而極化強(qiáng)度和εr較高。此外,極化后的tanδ均大于極化前的值,且隨著ZL摻雜量的增加,呈先減小后增大的趨勢,當(dāng)w(ZL)=1%時(shí),tanδ最校圖4PZNNT-ZL壓電陶瓷極化前、后的介電性能圖5為920℃燒結(jié)下不同ZL摻雜量陶瓷樣品的壓電性能。由圖可看出,組分中ZL含量對其壓電性能影響顯著。隨著ZL含量的增加,在w(ZL)=1%時(shí),d33和kp先增大后減少,最大d33=513pC/N,kp=0.635。此處出現(xiàn)兩相共存區(qū),且以三方相為主,可能極化的方向增加,電疇更易偏轉(zhuǎn),891第6期李俊慧等:Zn/Li摻雜PZT-PZN-PNN壓電陶瓷的研究
極化較充分[15]。而Qm呈先減小后增大的趨勢,Qm下降是由于摻雜后發(fā)生畸變,局部應(yīng)力阻礙了粒子振動。圖5PZNNT-ZL壓電陶瓷的壓電性能圖6為PZNNT-ZL陶瓷的電滯回線。由圖可見,隨著ZL摻雜量的增加,PZNNT-ZL陶瓷的剩余極化強(qiáng)度Pr先增加后降低,當(dāng)w(ZL)<1%時(shí),Pr從未添加時(shí)的31.9μC/cm2增加到w(ZL)=1%時(shí)的36.5μC/cm2,之后隨著ZL含量的進(jìn)一步增加而下降。由圖2可知,在w(ZL)=1%~1.5%時(shí),陶瓷材料處于三方相與四方相共存的區(qū)域,共有14個(gè)可能極化的方向,這些自發(fā)極化矢量均可在宏觀極化時(shí)有機(jī)會啟動參與到疇壁的轉(zhuǎn)向過程中來,因此,材料表現(xiàn)出相對較高的極化率和Pr。當(dāng)w(ZL)>1.5%時(shí),材料離開兩相共存區(qū),轉(zhuǎn)變?yōu)閱我蝗较鄷r(shí),由于可啟動的自發(fā)極化數(shù)量的減少,導(dǎo)致Pr下降[16-17]。由圖2還可看出,隨著陶瓷的平均晶粒尺寸減小,小晶粒中因?yàn)榫Ы鐚Ξ牨谶\(yùn)動的阻礙作用較大,不利于疇壁的運(yùn)動。當(dāng)w(ZL)=1%時(shí),陶瓷的鐵電性表現(xiàn)很好。研究表明,密度越大、微觀組織結(jié)構(gòu)缺陷越少,其性能越佳,說明通過ZL摻雜改性改善陶瓷結(jié)構(gòu),可進(jìn)一步優(yōu)化性能。圖6920℃燒結(jié)溫度下各組分的電滯回線3結(jié)論1)適當(dāng)加入Zn/Li能將Pb(Zr1/2Ti1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3陶瓷的燒結(jié)溫度從1000
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Co2O3摻雜對Pb(Ni1/3Nb2/3)(Zr,Ti)O3壓電陶瓷電學(xué)性能及介電弛豫的影響[J]. 彭貴貴,鄭德一,胡順敏. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2016(03)
[2]從PZT體系看無鉛壓電陶瓷的可能應(yīng)用[J]. 李靈芝,肖定全,朱建國,余萍,賃敦敏,鄢洪建. 壓電與聲光. 2004(06)
碩士論文
[1]助燒劑對(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷材料燒結(jié)溫度和電學(xué)性能的影響[D]. 謝雪珂.陜西師范大學(xué) 2016
[2]BMT-PT基高溫壓電陶瓷的制備及其性能研究[D]. 晁波.陜西師范大學(xué) 2014
[3]PNN-PZT壓電陶瓷材料的低溫?zé)Y(jié)特性研究[D]. 高磊.華中科技大學(xué) 2012
本文編號:3318727
【文章來源】:壓電與聲光. 2017,39(06)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
圖3PZNNT-ZL壓電陶瓷斷面的SEM照片
大后減小的趨勢。當(dāng)w(ZL)=1%時(shí),εr=1694,且此時(shí)極化后的數(shù)值大于極化前,這是由于PZNNT-ZL陶瓷晶體結(jié)構(gòu)由四方相轉(zhuǎn)變?yōu)槿较,此處為兩相共存區(qū),且以三方相為主,兩相共存區(qū)有14個(gè)可能極化的方向[13-14],有利于電疇的取向,因而極化強(qiáng)度和εr較高。此外,極化后的tanδ均大于極化前的值,且隨著ZL摻雜量的增加,呈先減小后增大的趨勢,當(dāng)w(ZL)=1%時(shí),tanδ最校圖4PZNNT-ZL壓電陶瓷極化前、后的介電性能圖5為920℃燒結(jié)下不同ZL摻雜量陶瓷樣品的壓電性能。由圖可看出,組分中ZL含量對其壓電性能影響顯著。隨著ZL含量的增加,在w(ZL)=1%時(shí),d33和kp先增大后減少,最大d33=513pC/N,kp=0.635。此處出現(xiàn)兩相共存區(qū),且以三方相為主,可能極化的方向增加,電疇更易偏轉(zhuǎn),891第6期李俊慧等:Zn/Li摻雜PZT-PZN-PNN壓電陶瓷的研究
極化較充分[15]。而Qm呈先減小后增大的趨勢,Qm下降是由于摻雜后發(fā)生畸變,局部應(yīng)力阻礙了粒子振動。圖5PZNNT-ZL壓電陶瓷的壓電性能圖6為PZNNT-ZL陶瓷的電滯回線。由圖可見,隨著ZL摻雜量的增加,PZNNT-ZL陶瓷的剩余極化強(qiáng)度Pr先增加后降低,當(dāng)w(ZL)<1%時(shí),Pr從未添加時(shí)的31.9μC/cm2增加到w(ZL)=1%時(shí)的36.5μC/cm2,之后隨著ZL含量的進(jìn)一步增加而下降。由圖2可知,在w(ZL)=1%~1.5%時(shí),陶瓷材料處于三方相與四方相共存的區(qū)域,共有14個(gè)可能極化的方向,這些自發(fā)極化矢量均可在宏觀極化時(shí)有機(jī)會啟動參與到疇壁的轉(zhuǎn)向過程中來,因此,材料表現(xiàn)出相對較高的極化率和Pr。當(dāng)w(ZL)>1.5%時(shí),材料離開兩相共存區(qū),轉(zhuǎn)變?yōu)閱我蝗较鄷r(shí),由于可啟動的自發(fā)極化數(shù)量的減少,導(dǎo)致Pr下降[16-17]。由圖2還可看出,隨著陶瓷的平均晶粒尺寸減小,小晶粒中因?yàn)榫Ы鐚Ξ牨谶\(yùn)動的阻礙作用較大,不利于疇壁的運(yùn)動。當(dāng)w(ZL)=1%時(shí),陶瓷的鐵電性表現(xiàn)很好。研究表明,密度越大、微觀組織結(jié)構(gòu)缺陷越少,其性能越佳,說明通過ZL摻雜改性改善陶瓷結(jié)構(gòu),可進(jìn)一步優(yōu)化性能。圖6920℃燒結(jié)溫度下各組分的電滯回線3結(jié)論1)適當(dāng)加入Zn/Li能將Pb(Zr1/2Ti1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3陶瓷的燒結(jié)溫度從1000
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Co2O3摻雜對Pb(Ni1/3Nb2/3)(Zr,Ti)O3壓電陶瓷電學(xué)性能及介電弛豫的影響[J]. 彭貴貴,鄭德一,胡順敏. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2016(03)
[2]從PZT體系看無鉛壓電陶瓷的可能應(yīng)用[J]. 李靈芝,肖定全,朱建國,余萍,賃敦敏,鄢洪建. 壓電與聲光. 2004(06)
碩士論文
[1]助燒劑對(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷材料燒結(jié)溫度和電學(xué)性能的影響[D]. 謝雪珂.陜西師范大學(xué) 2016
[2]BMT-PT基高溫壓電陶瓷的制備及其性能研究[D]. 晁波.陜西師范大學(xué) 2014
[3]PNN-PZT壓電陶瓷材料的低溫?zé)Y(jié)特性研究[D]. 高磊.華中科技大學(xué) 2012
本文編號:3318727
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