替代SF 6 的環(huán)境友好混合氣體c-C 4 F 8 /N 2 絕緣特性
發(fā)布時(shí)間:2021-05-28 15:34
SF6因具有良好的絕緣效果而被廣泛地應(yīng)用于電力系統(tǒng)中。但同時(shí),SF6也是一種溫室氣體,隨著環(huán)境問題日益惡化,人們迫切需要找到替代SF6的絕緣氣體。為此,通過實(shí)驗(yàn)研究了環(huán)境友好氣體c-C4F8及c-C4F8/N2混合氣體替代SF6的可行性。通過調(diào)節(jié)電極間隙(16 mm)和氣壓(150350 k Pa),測量了氣體在不同條件下的擊穿電壓及擊穿電流波形,得到了氣體的絕緣特性并與SF6氣體進(jìn)行了對比分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:純凈的c-C4F8氣體的絕緣強(qiáng)度約為SF6的1.3倍,體積比為1:1的c-C4F8/N2混合氣體的絕緣強(qiáng)度約為與SF6的0.9倍。通過計(jì)算,c-C4
【文章來源】:高電壓技術(shù). 2017,43(02)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【文章目錄】:
0引言
1 環(huán)境友好氣體c-C4F8的基本特性
2 實(shí)驗(yàn)裝置與實(shí)驗(yàn)方法
2.1 高壓實(shí)驗(yàn)腔
2.2 電源和測量系統(tǒng)
2.3 實(shí)驗(yàn)方法和條件
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
3.1 純c-C4F8氣體擊穿特性
3.2 c-C4F8/N2混合氣體擊穿特性
4 結(jié)論
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)保型絕緣氣體的滅弧能力分析[J]. 肖登明,焦俊韜,YAN Jiudun. 高電壓技術(shù). 2016(06)
[2]用離子遷移技術(shù)實(shí)現(xiàn)大氣壓下電負(fù)性氣體電子吸附截面的測量研究[J]. 趙鋒,李勝利,李東,霍明霞,李晉城. 高電壓技術(shù). 2016(05)
[3]CF3I在微水條件下的放電分解組分研究[J]. 張曉星,戴琦偉,韓曄飛,肖淞. 高電壓技術(shù). 2016(01)
[4]氣體絕緣金屬封閉輸電線路的研究現(xiàn)狀及應(yīng)用前景[J]. 齊波,張貴新,李成榕,高春嘉,張博雅,陳錚錚. 高電壓技術(shù). 2015(05)
[5]雷電沖擊下稍不均勻電場中SF6/N2混合氣體的協(xié)同效應(yīng)[J]. 郭璨,張喬根,文韜,游浩洋,秦逸帆,馬徑坦. 高電壓技術(shù). 2015(01)
[6]C4F8/N2混合氣體局部放電特性實(shí)驗(yàn)研究[J]. 邢衛(wèi)軍,張國強(qiáng),李康,牛文豪,王新,王迎迎. 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2011(07)
[7]SF6斷路器強(qiáng)電流開斷噴管內(nèi)壓力測量[J]. 劉衛(wèi)東,吳俊勇,黃瑜瓏,吳軍輝,關(guān)永剛,張華,田剛領(lǐng). 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2010(07)
[8]檢測SF6氣體局部放電的多壁碳納米管薄膜傳感器[J]. 張曉星,任江波,肖鵬,唐炬,姚堯. 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2009(16)
[9]c-C4F8/CF4替代SF6可行性的SST實(shí)驗(yàn)分析[J]. 張劉春,肖登明,張棟,吳變桃. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2008(06)
[10]用改進(jìn)的蒙特卡羅法模擬SF6和CO2混合氣體電子崩參數(shù)[J]. 吳變桃,肖登明. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2007(01)
博士論文
[1]SF6替代氣體的蒙特卡羅模擬與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 劉雪麗.上海交通大學(xué) 2008
[2]SF6替代氣體c-C4F8及其混合氣體的絕緣性能研究[D]. 張劉春.上海交通大學(xué) 2007
本文編號:3208303
【文章來源】:高電壓技術(shù). 2017,43(02)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【文章目錄】:
0引言
1 環(huán)境友好氣體c-C4F8的基本特性
2 實(shí)驗(yàn)裝置與實(shí)驗(yàn)方法
2.1 高壓實(shí)驗(yàn)腔
2.2 電源和測量系統(tǒng)
2.3 實(shí)驗(yàn)方法和條件
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
3.1 純c-C4F8氣體擊穿特性
3.2 c-C4F8/N2混合氣體擊穿特性
4 結(jié)論
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)保型絕緣氣體的滅弧能力分析[J]. 肖登明,焦俊韜,YAN Jiudun. 高電壓技術(shù). 2016(06)
[2]用離子遷移技術(shù)實(shí)現(xiàn)大氣壓下電負(fù)性氣體電子吸附截面的測量研究[J]. 趙鋒,李勝利,李東,霍明霞,李晉城. 高電壓技術(shù). 2016(05)
[3]CF3I在微水條件下的放電分解組分研究[J]. 張曉星,戴琦偉,韓曄飛,肖淞. 高電壓技術(shù). 2016(01)
[4]氣體絕緣金屬封閉輸電線路的研究現(xiàn)狀及應(yīng)用前景[J]. 齊波,張貴新,李成榕,高春嘉,張博雅,陳錚錚. 高電壓技術(shù). 2015(05)
[5]雷電沖擊下稍不均勻電場中SF6/N2混合氣體的協(xié)同效應(yīng)[J]. 郭璨,張喬根,文韜,游浩洋,秦逸帆,馬徑坦. 高電壓技術(shù). 2015(01)
[6]C4F8/N2混合氣體局部放電特性實(shí)驗(yàn)研究[J]. 邢衛(wèi)軍,張國強(qiáng),李康,牛文豪,王新,王迎迎. 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2011(07)
[7]SF6斷路器強(qiáng)電流開斷噴管內(nèi)壓力測量[J]. 劉衛(wèi)東,吳俊勇,黃瑜瓏,吳軍輝,關(guān)永剛,張華,田剛領(lǐng). 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2010(07)
[8]檢測SF6氣體局部放電的多壁碳納米管薄膜傳感器[J]. 張曉星,任江波,肖鵬,唐炬,姚堯. 中國電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2009(16)
[9]c-C4F8/CF4替代SF6可行性的SST實(shí)驗(yàn)分析[J]. 張劉春,肖登明,張棟,吳變桃. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2008(06)
[10]用改進(jìn)的蒙特卡羅法模擬SF6和CO2混合氣體電子崩參數(shù)[J]. 吳變桃,肖登明. 電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2007(01)
博士論文
[1]SF6替代氣體的蒙特卡羅模擬與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 劉雪麗.上海交通大學(xué) 2008
[2]SF6替代氣體c-C4F8及其混合氣體的絕緣性能研究[D]. 張劉春.上海交通大學(xué) 2007
本文編號:3208303
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