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快速暫態(tài)過(guò)電壓下隔離開關(guān)中盆式絕緣子的暫態(tài)電場(chǎng)分析

發(fā)布時(shí)間:2021-05-21 04:22
  氣體絕緣組合電器(Gas Insulated Switchgear,簡(jiǎn)稱GIS)中的盆式絕緣子起著支撐母線導(dǎo)體、隔絕各個(gè)氣室及電氣絕緣等重要作用,其性能好壞關(guān)系到GIS的穩(wěn)定運(yùn)行。制造盆式絕緣子的過(guò)程中,因操作不規(guī)范、工藝流程不完善、設(shè)備不穩(wěn)定等會(huì)在盆式絕緣子內(nèi)部產(chǎn)生氣泡或雜質(zhì)等缺陷。當(dāng)特快速暫態(tài)過(guò)電壓(Very Fast Transient Over-voltage,簡(jiǎn)稱VFTO)侵入到隔離開關(guān)內(nèi)部時(shí),氣泡或雜質(zhì)等缺陷會(huì)畸變盆式絕緣子電場(chǎng),導(dǎo)致盆式絕緣子局部放電,影響GIS正常運(yùn)行,從而危害盆式絕緣子的絕緣安全。因此,研究VFTO作用下氣泡等缺陷對(duì)盆式絕緣子電場(chǎng)分布的影響,對(duì)提高GIS運(yùn)行的安全性和穩(wěn)定性有著及其重要的意義。本文首先以某1100kV GIS變電站為例,利用電磁暫態(tài)程序搭建GIS內(nèi)部電氣設(shè)備的等效仿真計(jì)算模型。仿真計(jì)算隔離開關(guān)合閘操作時(shí)在GIS內(nèi)部主要電氣設(shè)備和與其相連變壓器上的VFTO。重點(diǎn)對(duì)隔離開關(guān)處VFTO的波形、幅值和主要頻率進(jìn)行仿真研究;谟邢拊矸抡嬗(jì)算VFTO或工頻電壓作用下,盆式絕緣子內(nèi)部分別存在氣泡或金屬絲缺陷時(shí)的電場(chǎng)分布,并分析氣泡或金屬絲等缺陷... 

【文章來(lái)源】:山東理工大學(xué)山東省

【文章頁(yè)數(shù)】:65 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 VFTO的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.2 盆式絕緣子的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.3 暫態(tài)電場(chǎng)的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.3 課題的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 GIS中的VFTO仿真計(jì)算
    2.1 GIS中的VFTO基本理論
        2.1.1 VFTO產(chǎn)生機(jī)理
        2.1.2 VFTO的特性
        2.1.3 VFTO分類
        2.1.4 VFTO對(duì)設(shè)備絕緣性能的威脅
        2.1.5 VFTO的抑制措施
    2.2 GIS中 VFTO暫態(tài)電路模型及參數(shù)
    2.3 1100KV GIS變電站建模及VFTO仿真計(jì)算
    2.4 本章小結(jié)
第三章 盆式絕緣子三維暫態(tài)電場(chǎng)數(shù)值分析
    3.1 有限元法求解電場(chǎng)概述
    3.2 VFTO作用下暫態(tài)電場(chǎng)計(jì)算的數(shù)值模擬
        3.2.1 盆式絕緣子暫態(tài)電場(chǎng)頻率模型的建立
        3.2.2 絕緣介質(zhì)高頻參數(shù)的確定
    3.3 VFTO作用下盆式絕緣子暫態(tài)電場(chǎng)的計(jì)算
        3.3.1 盆式絕緣子三維數(shù)學(xué)模型的建立
        3.3.2 盆式絕緣子三維暫態(tài)電場(chǎng)分布
    3.4 本章小結(jié)
第四章 存在氣泡缺陷的盆式絕緣子電場(chǎng)分析
    4.1 VFTO作用下氣泡對(duì)盆式絕緣子電場(chǎng)分布的影響
    4.2 VFTO作用下氣泡對(duì)附近電場(chǎng)分布的影響
        4.2.1 氣泡徑向位置對(duì)附近電場(chǎng)分布的影響
        4.2.2 氣泡距表面位置對(duì)電場(chǎng)分布的影響
        4.2.3 氣泡大小對(duì)附近電場(chǎng)分布的影響
    4.3 工頻電壓下氣泡對(duì)盆式絕緣子電場(chǎng)分布的影響
        4.3.1 氣泡位置對(duì)盆式絕緣子電場(chǎng)分布的影響
        4.3.2 氣泡位置對(duì)盆式絕緣子表面電場(chǎng)強(qiáng)度分布的影響
    4.4 本章小結(jié)
第五章 存在金屬絲缺陷的盆式絕緣子電場(chǎng)分析
    5.1 VFTO作用下徑向金屬絲對(duì)盆式絕緣子電場(chǎng)分布的影響
        5.1.1 金屬絲徑向位置對(duì)電場(chǎng)分布的影響
        5.1.2 金屬絲長(zhǎng)度對(duì)電場(chǎng)分布的影響
        5.1.3 金屬絲寬度對(duì)電場(chǎng)分布的影響
    5.2 VFTO作用下橫向金屬絲對(duì)盆式絕緣子電場(chǎng)分布的影響
        5.2.1 金屬絲徑向位置對(duì)電場(chǎng)分布的影響
        5.2.2 金屬絲長(zhǎng)度對(duì)電場(chǎng)分布的影響
        5.2.3 金屬絲寬度對(duì)電場(chǎng)分布的影響
    5.3 工頻電壓下金屬絲對(duì)盆式絕緣子電場(chǎng)分布的影響
        5.3.1 金屬絲位置對(duì)電場(chǎng)分布的影響
        5.3.2 金屬絲長(zhǎng)度對(duì)電場(chǎng)分布的影響
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
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致謝


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]GIS中VFTO、VFTC統(tǒng)計(jì)特性試驗(yàn)和仿真方法研究[J]. 段韶峰,趙琳,李志兵,詹花茂,李成榕,姚林志.  電網(wǎng)技術(shù). 2015(12)
[2]盆式絕緣子存在自由金屬顆粒時(shí)的電場(chǎng)分析及其對(duì)沿面閃絡(luò)的影響[J]. 高有華,王彩云,劉曉明,王珊,齊安智.  電工電能新技術(shù). 2015(08)
[3]特高壓GIS變電站VFTO仿真計(jì)算研究[J]. 王磊,陳潔,萬(wàn)磊,林曉靜,戴敏.  電力建設(shè). 2014(09)
[4]鐵氧體磁環(huán)抑制252 kV GIS中VFTO的試驗(yàn)研究[J]. 關(guān)永剛,郭珮琪,陳維江,劉衛(wèi)東,段韶峰,岳功昌.  高電壓技術(shù). 2014(07)
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[7]氣體絕緣開關(guān)設(shè)備的隔離開關(guān)分合空載短母線時(shí)特快速暫態(tài)過(guò)電壓及特快速暫態(tài)電流測(cè)量[J]. 詹花茂,趙承楠,段韶峰,李成榕,李志兵,歐陽(yáng)卓.  高電壓技術(shù). 2013(06)
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[10]GIS中金屬氧化物避雷器對(duì)特快速暫態(tài)過(guò)電壓的影響[J]. 林莘,王靜,徐建源,王娜.  高電壓技術(shù). 2012(10)

碩士論文
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[2]特快速暫態(tài)過(guò)電壓特性分析及其數(shù)值仿真研究[D]. 李巖.山東大學(xué) 2015
[3]GIS中特快速暫態(tài)過(guò)電壓研究[D]. 劉德東.華東交通大學(xué) 2015
[4]錫林郭勒500kV GIS變電站VFTO仿真計(jì)算及特性分析[D]. 孫嘉.華北電力大學(xué) 2015
[5]特高壓盆式絕緣子裂紋缺陷放電研究[D]. 苑維琦.華北電力大學(xué) 2014
[6]GIS中VFTO對(duì)隔離開關(guān)氣室的影響研究[D]. 左明鑫.沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué) 2014
[7]存在氣泡缺陷的盆式絕緣子電場(chǎng)仿真分析[D]. 羅文天.沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué) 2014
[8]精確電弧模型下GIS中VFTO的計(jì)算與分析[D]. 滕輝.廣西大學(xué) 2013
[9]特高壓GIS暫態(tài)過(guò)程及其絕緣子暫態(tài)特性研究[D]. 劉飛.沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué) 2013
[10]220kV GIS盆式絕緣子表面電荷累積與消散特性的研究[D]. 耿弼博.華北電力大學(xué) 2012



本文編號(hào):3199041

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