GIS/GIL中金屬微粒污染問題研究進展
發(fā)布時間:2021-05-15 02:33
以SF6或SF6/N2混合氣體為絕緣介質(zhì)的GIS/GIL具有大容量、高可靠性和環(huán)境友好等特點,特別是在特高壓輸電及離岸大規(guī)模風電輸送領域具有巨大應用前景,而GIS/GIL中存在的金屬微粒污染問題是提高設備絕緣強度研究中的關鍵技術難題。首先介紹了GIS/GIL中金屬微粒的帶電及受力機理研究;然后分析歸納了交流、直流、沖擊等不同電壓類型與微粒的運動特性和設備絕緣劣化之間的關系和規(guī)律;并進一步,對比分析了GIS/GIL中由金屬微粒污染引起的典型絕緣故障,即運動微粒引起的氣隙擊穿和附著絕緣子表面的微粒引起的沿面閃絡;此外總結概述了目前主要的微粒抑制措施及其作用機理;最后指出現(xiàn)有GIS/GIL中微粒污染問題研究存在的不足和可能的解決途徑。
【文章來源】:高電壓技術. 2016,42(03)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:12 頁
【文章目錄】:
0 引言
1 微粒帶電及受力分析
2 不同電壓類型下微粒的運動及放電特性
2.1 交流電壓
2.2 直流電壓
2.3 沖擊電壓
3 金屬微粒引起的典型絕緣故障
3.1 微粒引起的氣隙擊穿
3.2 微粒引起的絕緣子沿面閃絡
1)附著在絕緣子表面的金屬微粒
2)懸浮金屬微粒
3)絕緣子附近電極表面的金屬微粒
3.3 微粒污染的檢測技術
4 微粒抑制措施
4.1 微粒陷阱
4.2 表面覆膜措施
5 結論
【參考文獻】:
期刊論文
[1]檢測GIS局部放電的矩形平面螺旋天線研究[J]. 李偉,舒娜,雷鳴,公多虎,張曉星,唐俊忠. 高電壓技術. 2014(11)
[2]GIS中典型局部放電的頻譜特征及傳播特性[J]. 丁登偉,唐誠,高文勝,劉衛(wèi)東,姚森敬,趙宇明. 高電壓技術. 2014(10)
[3]基于熒光光纖檢測GIS局部放電的多重分形譜識別[J]. 唐炬,曾福平,范慶濤,劉永剛,張曉星. 高電壓技術. 2014(02)
[4]GIS中局部放電特高頻電磁波激發(fā)特征分析(英文)[J]. 丁登偉,高文勝,姚森敬,劉衛(wèi)東,何嘉希. 高電壓技術. 2013(08)
[5]采用Fisher判別法對GIS中局部放電類型的識別(英文)[J]. DING Dengwei,GAO Wensheng,LIU Weidong. 高電壓技術. 2013(04)
[6]三種GIS局部放電檢測方法的比較分析研究[J]. 馬宏明,楊卓,譚向宇,盧勇,趙現(xiàn)平,王達達,譚旻,張少泉,王科,彭晶. 科學技術與工程. 2013(02)
[7]特高壓GIS變電站中快速暫態(tài)過電壓仿真及其特性分析[J]. 王娜,林莘,徐建源,王飛鳴,王靜. 高電壓技術. 2012(12)
[8]現(xiàn)場用GIS沖擊耐壓試驗及局部放電檢測裝置設計[J]. 孫強,董明,任重,任明,李彥明,邱愛慈. 高電壓技術. 2012(03)
[9]特快速瞬態(tài)過電壓和雷電沖擊作用下特高壓GIS絕緣特性[J]. 張璐,張喬根,劉石,殷禹,時衛(wèi)東,陳維江. 高電壓技術. 2012(02)
[10]GIS中典型局放缺陷的UHF信號與放電量的相關分析[J]. 張曉星,唐俊忠,唐炬,駱楊,謝顏斌. 高電壓技術. 2012(01)
本文編號:3186777
【文章來源】:高電壓技術. 2016,42(03)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:12 頁
【文章目錄】:
0 引言
1 微粒帶電及受力分析
2 不同電壓類型下微粒的運動及放電特性
2.1 交流電壓
2.2 直流電壓
2.3 沖擊電壓
3 金屬微粒引起的典型絕緣故障
3.1 微粒引起的氣隙擊穿
3.2 微粒引起的絕緣子沿面閃絡
1)附著在絕緣子表面的金屬微粒
2)懸浮金屬微粒
3)絕緣子附近電極表面的金屬微粒
3.3 微粒污染的檢測技術
4 微粒抑制措施
4.1 微粒陷阱
4.2 表面覆膜措施
5 結論
【參考文獻】:
期刊論文
[1]檢測GIS局部放電的矩形平面螺旋天線研究[J]. 李偉,舒娜,雷鳴,公多虎,張曉星,唐俊忠. 高電壓技術. 2014(11)
[2]GIS中典型局部放電的頻譜特征及傳播特性[J]. 丁登偉,唐誠,高文勝,劉衛(wèi)東,姚森敬,趙宇明. 高電壓技術. 2014(10)
[3]基于熒光光纖檢測GIS局部放電的多重分形譜識別[J]. 唐炬,曾福平,范慶濤,劉永剛,張曉星. 高電壓技術. 2014(02)
[4]GIS中局部放電特高頻電磁波激發(fā)特征分析(英文)[J]. 丁登偉,高文勝,姚森敬,劉衛(wèi)東,何嘉希. 高電壓技術. 2013(08)
[5]采用Fisher判別法對GIS中局部放電類型的識別(英文)[J]. DING Dengwei,GAO Wensheng,LIU Weidong. 高電壓技術. 2013(04)
[6]三種GIS局部放電檢測方法的比較分析研究[J]. 馬宏明,楊卓,譚向宇,盧勇,趙現(xiàn)平,王達達,譚旻,張少泉,王科,彭晶. 科學技術與工程. 2013(02)
[7]特高壓GIS變電站中快速暫態(tài)過電壓仿真及其特性分析[J]. 王娜,林莘,徐建源,王飛鳴,王靜. 高電壓技術. 2012(12)
[8]現(xiàn)場用GIS沖擊耐壓試驗及局部放電檢測裝置設計[J]. 孫強,董明,任重,任明,李彥明,邱愛慈. 高電壓技術. 2012(03)
[9]特快速瞬態(tài)過電壓和雷電沖擊作用下特高壓GIS絕緣特性[J]. 張璐,張喬根,劉石,殷禹,時衛(wèi)東,陳維江. 高電壓技術. 2012(02)
[10]GIS中典型局放缺陷的UHF信號與放電量的相關分析[J]. 張曉星,唐俊忠,唐炬,駱楊,謝顏斌. 高電壓技術. 2012(01)
本文編號:3186777
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