發(fā)布時(shí)間：2021-04-18 00:34

　　為制備具有析氫良好催化性能與耐蝕性能的鎳基納米晶鍍層,采用脈沖電沉積技術(shù),以純Cu為基體,在不同工藝條件下（鍍液pH、電流密度、占空比和鍍液溫度）,制備了平均晶粒尺寸不同的Ni-Co-W合金鍍層。并采用掃描電鏡（SEM）及其附帶能譜儀（EDS）、X射線衍射儀、陰極極化曲線、電化學(xué)阻抗譜、tafel曲線對(duì)不同工藝條件下制備的Ni-Co-W合金鍍層的微觀相貌、元素組成、晶粒尺寸、相結(jié)構(gòu)及其析氫、耐腐蝕性能進(jìn)行了分析研究。結(jié)果表明:通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)可制備平均晶粒尺寸不同的納米晶Ni-Co-W合金鍍層。當(dāng)電流密度為2.5 A/dm²,占空比為20%,鍍液溫度30℃,電鍍時(shí)間30min,鍍液pH值等于4時(shí),Ni-Co-W合金鍍層平均晶粒尺寸最細(xì)小為59 nm。此時(shí),鍍層具有良好的析氫催化性能和耐腐蝕性能。其在1 mol/L的NaOH溶液中穩(wěn)定析氫的析氫過電位為1.072 V,在3.5 wt%的NaCl中的自腐蝕電位(E_corro)和自腐蝕電流(J_corro)分別為-0.29 V和4.768E-7 A/cm²。... 

【文章來源】：華北理工大學(xué)河北省

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

不同pH值下制備的Ni-Co-W合金鍍層的表面形貌

第3章工藝參數(shù)對(duì)Ni-Co-W合金鍍層的影響-27-圖15是不同電流密度下制備的Ni-Co-W合金的表面形貌。由圖15可知，電流密度為1.25A/dm2時(shí)，鍍層表面平整。隨著電流密度逐漸增大時(shí)，鍍層表面裂紋也隨之變少、變校這是因?yàn)殡S著電流密度的增大，鍍層中Co的含量逐漸減小，使其晶格畸變程度減小，鍍層的內(nèi)應(yīng)力自然也隨之減小，裂紋自然也會(huì)越來越少[56]。（a）1.25A/dm2；（b）2.5A/dm2；（c）3.75A/dm2；（d）5.00A/dm2；（e）6.25A/dm2圖15不同電流密度下Ni-Co-W合金鍍層的表面形貌Fig.15SurfacemorphologyofNi-Co-Walloycoatingsatdifferentcurrentdensities3.2.2電流密度對(duì)Ni-Co-W合金鍍層沉積速率的影響圖16是電流密度對(duì)Ni-Co-W合金鍍層沉積速率的影響。由圖16可知，隨著電流密度增大，Ni-Co-W合金的沉積速率先增大后減校當(dāng)電流密度為5A/dm2時(shí)，合金的沉積速率最大。1.252.503.755.006.25406080100currentdensity/(A/dm2)Depositionrate/(gh-1)圖16電流密度對(duì)Ni-Co-W合金鍍層沉積速率的影響Fig.16EffectofcurrentdensityondepositionrateofNi-Co-Walloycoatings

華北理工大學(xué)碩士學(xué)位論文-34-圖25是不同占空比下制備的Ni-Co-W合金的表面形貌。由圖25可知，占空比為10%時(shí)，鍍層表面有明顯的劃痕，這是因?yàn)樵谡伎毡容^小時(shí)，通電時(shí)間短，沉積速率孝鍍層厚度薄造成的。當(dāng)占空比增高時(shí)，劃痕消失，合金表面由胞狀晶粒組成。（a）10%；（b）20%；（c）30%；（d）40%；（e）50%圖25不同占空比下制備的Ni-Co-W合金鍍層的表面形貌Fig.25SurfacemorphologyofNi-Co-Walloycoatingsdepositedunderdifferentdutycycle3.3.2占空比對(duì)Ni-Co-W合金鍍層沉積速率的影響圖26是占空比對(duì)Ni-Co-W合金沉積速率的影響。由圖26可知，隨著占空比的增大，Ni-Co-W合金的沉積速率先增大后減校當(dāng)占空比為40%時(shí)，合金的沉積速率最大。1020304050406080100120Depositionrate/(gh-1)pwm/%圖26占空比對(duì)Ni-Co-W合金鍍層沉積速率的影響Fig.26EffectofdutycycleondepositionrateofNi-Co-Walloycoatings

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3144442