發(fā)布時(shí)間：2021-03-29 01:02

　　氣候變暖和化石能源日益枯竭促使人類大規(guī)模開發(fā)利用太陽能。當(dāng)前硅基太陽能電池占據(jù)光伏市場絕大部分份額。冶金法制備太陽能級硅因成本低廉,環(huán)境友好具有大規(guī)模應(yīng)用的潛力。該法目前雖已取得許多研究成果,但因?qū)、P等非金屬雜質(zhì)去除不理想,依然沒有大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用。為推動(dòng)解決B、P去除這一關(guān)鍵問題,論文創(chuàng)新性的提出在硅表面原位構(gòu)建多孔層,通過多孔層強(qiáng)化吸除雜質(zhì)B、P。論文主要以工業(yè)硅為研究對象,采用水熱金屬離子輔助法原位構(gòu)建多孔層,探明刻蝕過程各因素對多孔形貌和B、P雜質(zhì)吸除的影響規(guī)律,同時(shí)研究了退火對工業(yè)硅中B、P雜質(zhì)的強(qiáng)化吸除作用,在此基礎(chǔ)上,分析多孔層吸除非金屬雜質(zhì)B、P的作用機(jī)理,深化對多孔層吸除B、P的理論認(rèn)識。論文主要研究內(nèi)容和結(jié)論如下:（1）硅表面多孔層的原位構(gòu)建。先以單晶硅為對象,比較了HF-Me_x（NO₃）_y-HNO₃中金屬離子種類等對多孔層形貌的影響規(guī)律,初步確定了水熱金屬離子輔助法的工藝參數(shù);并用工業(yè)硅片和工業(yè)硅粉驗(yàn)證了HF-Me_x（NO₃）

【文章來源】：貴州大學(xué)貴州省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 工業(yè)硅中B、P雜質(zhì)分布規(guī)律及特點(diǎn)
    1.3 工業(yè)硅中B、P雜質(zhì)去除的研究現(xiàn)狀
        1.3.1 濕法除B、P
        1.3.2 電子束熔煉除B、P
        1.3.3 造渣精煉除B、P
        1.3.4 吹氣精煉除B、P
    1.4 多孔層的構(gòu)建及其在硅除雜中的應(yīng)用
        1.4.1 多孔層在硅基體表面的構(gòu)建
        1.4.2 多孔層結(jié)構(gòu)在硅除雜中的應(yīng)用
    1.5 本論文研究目的及研究內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)原料及實(shí)驗(yàn)方案
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料介紹
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)原料制備
    2.2 實(shí)驗(yàn)試劑與設(shè)備
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
        2.2.2 主要實(shí)驗(yàn)設(shè)備
        2.2.3 主要分析設(shè)備
    2.3 實(shí)驗(yàn)方案
        2.3.1 實(shí)驗(yàn)總體方案
        2.3.2 硅表面多孔層原位構(gòu)建方案
第三章 硅表面多孔層的原位構(gòu)建
    3.1 單晶硅片的多孔層刻蝕研究
        3.1.1 金屬離子對多孔層形貌的影響
        3.1.2 硅片種類對多孔層形貌的影響
        3.1.3 輔助劑濃度對多孔層形貌的影響
        3.1.4 刻蝕時(shí)間對多孔層形貌的影響
    3.2 工業(yè)硅片的多孔層刻蝕研究
    3.3 工業(yè)硅粉的多孔層刻蝕研究
        3.3.1 刻蝕體系對多孔層形貌的影響
        3.3.2 固液比對多孔層形貌的影響
    3.4 本章小結(jié)
第四章 刻蝕制孔因素對B、P吸除的影響
    4.1 多孔層對B、P雜質(zhì)吸除作用初探
    4.2 刻蝕因素對B、P吸除的影響
        4.2.1 HF濃度對B、P吸除的影響
3）₃ 濃度對B、P吸除的影響">        4.2.2 Fe（NO₃）₃ 濃度對B、P吸除的影響
3濃度對B、P吸除的影響">        4.2.3 HNO₃濃度對B、P吸除的影響
        4.2.4 刻蝕溫度對B、P吸除的影響
        4.2.5 刻蝕時(shí)間對B、P吸除的影響
        4.2.6 最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件下對B、P吸除的影響
    4.3 退火對B、P強(qiáng)化吸除的影響
    4.4 本章小結(jié)
第五章 硅表面原位多孔層吸除B、P作用機(jī)理
    5.1 多孔層結(jié)構(gòu)與B、P吸除效果的關(guān)系
    5.2 多孔層中氧的引入與B、P吸除效果的關(guān)系
    5.3 硅表面原位構(gòu)建的含氧多孔層對B、P的吸除作用機(jī)理分析
        5.3.1 Si-B/P-O系熱力學(xué)分析
2多孔層對B、P吸附的作用機(jī)理">        5.3.2 非晶SiO₂多孔層對B、P吸附的作用機(jī)理
2多孔層溶解去除機(jī)理分析">        5.3.3 含B、P非晶SiO₂多孔層溶解去除機(jī)理分析
        5.3.4 硅表面原位構(gòu)建多孔層吸除B、P作用機(jī)理模型
    5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論與展望
    6.1 研究結(jié)論
    6.2 工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄



本文編號：3106587