電力電子組件是混合式直流斷路器分?jǐn)喙收想娏鞯暮诵牟考?對(duì)于混合式直流斷路器的分?jǐn)嘈阅芫哂兄匾绊憽＜砷T極換流晶閘管（integrated gate commutated thyristor,IGCT）具有容量大、通態(tài)壓降低、關(guān)斷速度快、抗浪涌能力強(qiáng)等特點(diǎn),作為電力電子組件中的核心關(guān)斷器件具有廣泛應(yīng)用前景。為此,針對(duì)直流開斷工況設(shè)計(jì)并聯(lián)IGCT組件,基于理論分析和試驗(yàn)驗(yàn)證獲得了不同電流上升率、壓接壓力、接線方式情況下并聯(lián)IGCT通態(tài)均流效果的影響規(guī)律,提出了關(guān)斷時(shí)并聯(lián)IGCT均流的控制方法。研究結(jié)果表明:并聯(lián)IGCT通態(tài)均流效果主要受器件門檻電壓、斜率電阻參數(shù)的影響,且壓接力越大的器件斜率電阻越小;IGCT組件采用同側(cè)端接線方式的均流系數(shù)比異側(cè)端大;通過控制并聯(lián)IGCT的關(guān)斷時(shí)序,能夠改善關(guān)斷過程中瞬時(shí)功率分配不均衡,提升并聯(lián)IGCT組件的關(guān)斷能力與可靠性。 

【文章來源】：高電壓技術(shù). 2020,46(11)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

緩沖電路拓?fù)?br>

圖1 緩沖電路拓?fù)溆捎谙到y(tǒng)線路電感的作用，在組件關(guān)斷過程中i0可看作定值，由于IGCT支路雜散電感LG(n H級(jí))遠(yuǎn)小于緩沖支路雜散電感LS(百n H級(jí))，因此可忽略LG,IGCT器件電壓UIGCT可表示為

圖4所示為并聯(lián)IGCT電路以及IGCT通態(tài)伏安特性圖，其中陽極總電流為IA,IGCT器件G1、G2的陽極電流分別為IA1、IA2，通態(tài)電壓分別為UT1、UT2，門檻電壓分別為UT01、UT02，器件流過不同電流的通態(tài)電壓差分別為ΔU1、ΔU2，斜率電阻分別為rT1、rT2,2個(gè)支路的雜散電感分別為L(zhǎng)S1、LS2，支路電壓分別為UAK1、UAK2。圖4 IGCT并聯(lián)電路及通態(tài)伏安特性示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]IGCT在直流電網(wǎng)中的應(yīng)用展望[J]. 曾嶸,趙彪,余占清,宋強(qiáng),黃瑜瓏,陳政宇,劉佳鵬,周文鵬,呂綱.  中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2018(15)
[2]中壓直流開斷技術(shù)研究綜述[J]. 吳益飛,胡楊,易強(qiáng),楊飛,榮命哲,紐春萍,吳翊.  供用電. 2018(06)
[3]中高壓直流開斷技術(shù)[J]. 吳翊,榮命哲,鐘建英,楊飛,吳益飛,韓桂全.  高電壓技術(shù). 2018(02)
[4]固態(tài)限流器中大功率IGCT并聯(lián)關(guān)斷保護(hù)電路[J]. 琚興寶,彭振東,肖友國(guó),孫海順,周鑫.  高電壓技術(shù). 2018(02)
[5]適用于直流開斷的IGCT串聯(lián)均壓技術(shù)[J]. 屈魯,張翔宇,陳政宇,余占清,曾嶸.  高電壓技術(shù). 2018(02)
[6]先進(jìn)交直流輸電技術(shù)在中國(guó)的發(fā)展與應(yīng)用[J]. 湯廣福,龐輝,賀之淵.  中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2016(07)
[7]基于IGBT串聯(lián)技術(shù)的混合式高壓直流斷路器方案[J]. 藥韜,溫家良,李金元,陳中圓.  電網(wǎng)技術(shù). 2015(09)
[8]直流斷路器技術(shù)發(fā)展綜述[J]. 何俊佳,袁召,趙文婷,方帥,喻新林,潘垣.  南方電網(wǎng)技術(shù). 2015(02)
[9]大功率IGCT并聯(lián)關(guān)斷過程分析及其試驗(yàn)驗(yàn)證[J]. 彭振東,任志剛,姜楠,朱紅橋.  船電技術(shù). 2014(04)

碩士論文
[1]基于IGCT的中壓固態(tài)限流器研究[D]. 肖友國(guó).中國(guó)艦船研究院 2015



本文編號(hào)：3094283