電力電子組件是混合式直流斷路器分斷故障電流的核心部件,對于混合式直流斷路器的分斷性能具有重要影響。集成門極換流晶閘管（integrated gate commutated thyristor,IGCT）具有容量大、通態(tài)壓降低、關(guān)斷速度快、抗浪涌能力強等特點,作為電力電子組件中的核心關(guān)斷器件具有廣泛應用前景。為此,針對直流開斷工況設(shè)計并聯(lián)IGCT組件,基于理論分析和試驗驗證獲得了不同電流上升率、壓接壓力、接線方式情況下并聯(lián)IGCT通態(tài)均流效果的影響規(guī)律,提出了關(guān)斷時并聯(lián)IGCT均流的控制方法。研究結(jié)果表明:并聯(lián)IGCT通態(tài)均流效果主要受器件門檻電壓、斜率電阻參數(shù)的影響,且壓接力越大的器件斜率電阻越小;IGCT組件采用同側(cè)端接線方式的均流系數(shù)比異側(cè)端大;通過控制并聯(lián)IGCT的關(guān)斷時序,能夠改善關(guān)斷過程中瞬時功率分配不均衡,提升并聯(lián)IGCT組件的關(guān)斷能力與可靠性。 

【文章來源】：高電壓技術(shù). 2020,46(11)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

緩沖電路拓撲

圖1 緩沖電路拓撲由于系統(tǒng)線路電感的作用，在組件關(guān)斷過程中i0可看作定值，由于IGCT支路雜散電感LG(n H級)遠小于緩沖支路雜散電感LS(百n H級)，因此可忽略LG,IGCT器件電壓UIGCT可表示為

圖4所示為并聯(lián)IGCT電路以及IGCT通態(tài)伏安特性圖，其中陽極總電流為IA,IGCT器件G1、G2的陽極電流分別為IA1、IA2，通態(tài)電壓分別為UT1、UT2，門檻電壓分別為UT01、UT02，器件流過不同電流的通態(tài)電壓差分別為ΔU1、ΔU2，斜率電阻分別為rT1、rT2,2個支路的雜散電感分別為LS1、LS2，支路電壓分別為UAK1、UAK2。圖4 IGCT并聯(lián)電路及通態(tài)伏安特性示意圖

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3094283