無紋波高功率因數(shù)LED驅(qū)動(dòng)芯片研究與設(shè)計(jì)
本文關(guān)鍵詞:無紋波高功率因數(shù)LED驅(qū)動(dòng)芯片研究與設(shè)計(jì),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:隨著照明技術(shù)的不斷發(fā)展,LED照明已經(jīng)成為節(jié)能照明解決方案的首選。在LED大范圍應(yīng)用的同時(shí),一些國際標(biāo)準(zhǔn)如美國能源之星對(duì)LED照明的交流功率因數(shù)等提出了住宅照明應(yīng)大于0.7,商業(yè)照明應(yīng)大于0.9的要求。因此LED照明系統(tǒng)中必須加入功率因數(shù)校正。而功率因數(shù)校正技術(shù)會(huì)導(dǎo)致輸出電流存在比較大的紋波,從而不可避免地引入了頻閃問題。本文針對(duì)LED照明的特點(diǎn)和要求設(shè)計(jì)了一款無紋波高功率因數(shù)的LED驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路采用雙芯片控制方案,包含反激控制芯片和頻閃消除芯片。反激控制芯片通過原邊反饋控制和電壓控制型功率因數(shù)校正方案,實(shí)現(xiàn)了高精度輸出電流控制和高功率因數(shù)。同時(shí),反激控制芯片采用新型功率管柵極消磁時(shí)間采樣技術(shù),省去了輔助繞組,簡化了外圍電路。此外,驅(qū)動(dòng)電路在反激式副邊增加頻閃消除芯片,使得流過LED負(fù)載的電流恒定,實(shí)現(xiàn)LED無頻閃。芯片采用CSMC 0.8μm 700V BCD工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。驅(qū)動(dòng)電路的仿真結(jié)果表明,系統(tǒng)能在85~265V輸入電壓范圍內(nèi)正常工作,功率因數(shù)大于0.9,輸出電流精度優(yōu)于±3%,輸出電流紋波小于±0.4%,效率大于82%,符合系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求。頻閃消除芯片通過了流片驗(yàn)證。其測試結(jié)果表明,頻閃消除芯片能夠有效地跟隨負(fù)載電容上的紋波電壓,在不影響前級(jí)控制芯片功率因數(shù)校正和恒流功能的同時(shí),將輸出電流紋波限制在±1.5%以內(nèi),實(shí)現(xiàn)無紋波。
【關(guān)鍵詞】:LED驅(qū)動(dòng) 電流紋波 功率因數(shù) 原邊反饋 消磁時(shí)間采樣
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TM923.34
【目錄】:
- 致謝4-6
- 摘要6-7
- ABSTRACT7-15
- 第一章 緒論15-28
- 1.1. 背景介紹15
- 1.2. LED的原理15-16
- 1.3. LED照明對(duì)電源的要求16-17
- 1.4. 離線式LED驅(qū)動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)17-21
- 1.4.1. 常見離線式LED驅(qū)動(dòng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)17-18
- 1.4.2. 隔離式反激變換器結(jié)構(gòu)和原理18-21
- 1.5. 功率因數(shù)校正及實(shí)現(xiàn)方法21-23
- 1.5.1. 功率因數(shù)校正概述21-22
- 1.5.2. 無源功率因數(shù)校正22
- 1.5.3. 有源功率因數(shù)校正22-23
- 1.6. 功率因數(shù)校正和頻閃23-25
- 1.7. 研究現(xiàn)狀25-26
- 1.8. 研究內(nèi)容和論文結(jié)構(gòu)26-28
- 第二章 系統(tǒng)分析28-43
- 2.1. 應(yīng)用拓?fù)浼靶酒x28-31
- 2.1.1. 芯片應(yīng)用拓?fù)?/span>28-29
- 2.1.2. 芯片引腳定義及模塊劃分29-31
- 2.2. 系統(tǒng)主環(huán)路分析31-41
- 2.2.1. 電流平均值控制環(huán)路分析31-34
- 2.2.2. 功率因數(shù)校正原理分析34-35
- 2.2.3. 消磁時(shí)間檢測原理35-38
- 2.2.4. 頻閃消除原理分析38-41
- 2.3. 系統(tǒng)參數(shù)及工藝41-43
- 2.3.1. 系統(tǒng)規(guī)格41-42
- 2.3.2. 仿真工藝42-43
- 第三章 模塊設(shè)計(jì)和仿真43-77
- 3.1. 反激控制芯片啟動(dòng)及電源模塊43-59
- 3.1.1. 系統(tǒng)使能模塊44-46
- 3.1.2. 預(yù)穩(wěn)壓模塊46-48
- 3.1.3. 帶隙基準(zhǔn)模塊48-54
- 3.1.4. 參考電壓模塊54-56
- 3.1.5. 電流偏置模塊56-59
- 3.2. 反激控制芯片運(yùn)算電路模塊59-67
- 3.2.1. 電流采樣模塊59-64
- 3.2.2. 電流運(yùn)算放大器模塊及限壓電路64-67
- 3.3. 反激控制芯片脈寬調(diào)制波形產(chǎn)生模塊67-68
- 3.4. 反激控制芯片驅(qū)動(dòng)模塊68-69
- 3.5. 反激控制芯片消磁時(shí)間采樣模塊69-71
- 3.6. 反激控制芯片控制邏輯模塊71-74
- 3.6.1. 控制數(shù)字邏輯模塊71-72
- 3.6.2. 保護(hù)邏輯模塊72-74
- 3.7. 頻閃消除芯片電源模塊74-75
- 3.8. 頻閃消除芯片運(yùn)放控制模塊75-77
- 第四章 系統(tǒng)頂層仿真77-84
- 4.1. 反激控制芯片啟動(dòng)時(shí)序仿真78-79
- 4.2. 反激控制芯片消磁時(shí)間檢測仿真79
- 4.3. 頻閃消除芯片功能仿真79-80
- 4.4. 系統(tǒng)輸出仿真80-81
- 4.5. 系統(tǒng)功率因數(shù)特性仿真81-82
- 4.6. 系統(tǒng)工藝角仿真結(jié)果82-84
- 第五章 頻閃消除芯片測試84-88
- 5.1. 頻閃消除芯片版圖84-85
- 5.2. 頻閃消除芯片測試85-88
- 第六章 總結(jié)與展望88-90
- 6.1. 總結(jié)88
- 6.2. 展望88-90
- 參考文獻(xiàn)90-93
- 作者簡歷93
- 在學(xué)期間科研成果93
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